- Артикул:00-01096083
- Автор: Б.С. Гершунский
- ISBN: 5-11-001360-8
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Выща школа (все книги издательства)
- Город: Киев
- Страниц: 423
- Формат: 60х90 1/16
- Год: 1989
- Вес: 604 г
- Серия: Учебник для СПО (все книги серии)
Развернуть ▼
В учебнике изложены основные сведения о современных и наиболее перспективных элементах и узлах технической электроники, физическая сущность явлений, происходящих в дискретных полупроводниковых приборах и интегральных микросхемах, принципы построения и анализа наиболее распространенных электронных схем.
В четвертом издании (3-е изд. — 1987 г.) существенно расширен материал по основным направлениям функциональной микроэлектроники, голографии, магнетоэлектроники, криоэлектроники, хемотроники, биологической электроники, по схемотехническим особенностям построения микропроцессоров и электронных роботов.
Для учащихся средних специальных учебных заведений по специальности 0612 «Электронные вычислительные машины, приборы и устройства»
Содержание
Предисловие
Введение
0.1. Роль электроники в народном хозяйстве
0.2. Электроника: прошлое, настоящее, будущее
0.3. Как изучать электронику?
Раздел I. Физические основы электронной техники
Глава 1. Основы электронной теории
1.1. Электроны в атоме. Основы зонной теории твердого тела
1.2. Работа выхода электронов
1.3. Движение электронов в электрических и магнитных полях
1.4. Электрический ток в газе
Глава 2. Электрофизические свойства полупроводников
2.1. Внутренняя структура полупроводников
2.2. Собственная проводимость полупроводников
2.3. Примерная проводимость полупроводников
2.4. Температурная зависимость проводимости примесных полупроводников
2.5. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводнике
2.6. Электропроводность полупроводников в сильных электрических полях. Эффект Ганна
2.7. Эффект Холла
Глава 3. Контактные и поверхностные явления в полупроводниках
3.1. Формирование контакта полупроводник — полупроводник. Электронно-дырочный переход
3.2. Энергетическая диаграмма p-n перехода
3.3. Свойства p-n перехода при наличии внешнего напряжения
3.4. Вольтамперная характеристика p-n перехода
3.5. Температурные и частотные свойства p-n перехода
3.6. Туннельный эффект
3.7. Гетеропереход
3.8. Контакт металл — полупроводник. Переход Шоттки
3.9. Поверхностные явления в полупроводниках
Глава 4. Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках
4.1. Фотопроводимость в полупроводниках. Фоторезистивный эффект
4.2. Фотоэффект в p-n переходе
4.3. Электромагнитное излучение в полупроводниках. Лазеры
Раздел II. Полупроводниковые приборы
Глава 5. Полупроводниковые резисторы
5.1. Терморезисторы
5.2. Фоторезисторы
5.3. Варисторы
Глава 6. Полупроводниковые диоды
6.1. Выпрямительные диоды
6.2. Кремниевые стабилитроны
6.3. Высокочастотные диоды
6.4. Импульсные диоды
6.5. Варикапы
6.6. Туннельные диоды
6.7. Фотодиоды
6.8. Светодиоды
Глава 7. Транзисторы
7.1. Устройство биполярных транзисторов
7.2. Принцип работы транзистора
7.3. Схемы включения транзисторов
7.4. Статические характеристики транзистора
7.5. Динамический режим работы транзистора
7.6. Усилительные свойства транзисторов
7.7. Транзистор как активный четырехполюсник
7.8. Температурные и частотные свойства транзистора
7.9. Транзистор в режиме ключа
7.10. Эксплуатационные параметры транзистора
7.11. Полевые транзисторы
7.12. Однопереходный транзистор (двухбазовый диод)
7.13. Фототранзисторы
7.14. Четырехслойные полупроводниковые приборы (тиристоры)
Раздел III. Основы микроэлектроники
Глава 8. Гибридные интегральные микросхемы
8.1. Конструктивные элементы гибридных ИМС
8.2. Пассивные элементы
8.3. Бескорпусные полупроводниковые приборы
8.4. Основы проектирования и технологии изготовления гибридных ИМС
Глава 9. Полупроводниковые интегральные микросхемы
9.1. Принципы изготовления полупроводниковых ИМС
9.2. Компоненты полупроводниковых ИМС
9.3. Разработка топологии полупроводниковых ИМС
9.4. Большие интегральные схемы
9.5. Приборы с зарядовой связью в ИМС
Глава 10. Функциональная микроэлектроника
10.1. Оптоэлектроника
10.2. Акустоэлектроника
10.3. Магнетоэлектроника
10.4. Криоэлектроника
10.5. Хемотроника
10.6. Диэлектрическая электроника
10.7. Функциональные устройства, основанные на эффекте Ганна
10.8. Биоэлектроника
Раздел IV. Основы электронной схемотехники
Глава 11. Логические потенциальные элементы
11.1. Представление информации в цифровой вычислительной технике
11.2. Основные логические операции
11.3. Простейшие логические схемы
11.4. Логические интегральные микросхемы (классификация)
11.5. Характеристики и параметры логических ИМС
11.6. Логические ИМС типа ТЛНС, РТЛ и РЕТЛ
11.7. Логические ИМС типа ДТЛ
11.8. Логические ИМС типа ТТЛ
11.9. Логические ИМС с эмиттерными связями (переключатели тока)
11.10. Логические ИМС на МДП (МОП)-транзисторах
11.11. Логические ИМС с использованием оптоэлектронных элементов
11.12. Краткая характеристика некоторых серий логических ИМС
Глава 12. Основные показатели работы усилителей
12.1. Классификация усилителей
12.2. Основные технические показатели усилителей
Глава 13. Усилители низкой частоты
13.1. Предварительные каскады усиления
13.2. Межкаскадные связи
13.3. Выходные каскады усилителей (общая характеристика)
13.4. Однотактный выходной каскад
13.5. Двухтактные выходные каскады
13.6. Широкополосные усилители
Глава 14. Обратная связь в усилителях
14.1. Влияние обратной сзязи на коэффициент усиления и входное сопротивление усилителя
14.2. Влияние отрицательной обратной связи на нелинейные и частотные искажения
14.3. Устойчивость усилителя с обратной связью
14.4. Схемы усилителей с отрицательной обратной связью
14.5. Паразитные обратные связи и способы их устранения
Глава 15. Усилители постоянного тока
15.1. Усилители постоянного тока прямого усиления
15.2. Балансные каскады УПТ
15.3. Усилители постоянного тока с преобразованием
15.4. Операционные (решающие) усилители
Глава 16. Колебательные цени и избирательные усилители
16.1. Свободные колебания в контуре
16.2. Вынужденные колебания в контуре. Последовательный колебательный контур
16.3. Параллельный колебательный контур. Резонанс токов
16.4. Связанные колебательные контуры
16.5. Избирательные усилители
Глава 17. Усилители на линейных (аналоговых) интегральных микросхемах
17.1. Дифференциальный усилитель как базовый элемент линейных ИМС
17.2. Операционные усилители на линейных ИМС
17.3. Усилители низкой частоты и широкополосные усилители на ИМС
17.4. Интегральные избирательные усилители
Глава 18. Генераторы синусоидальных колебаний
18.1. Принцип работы транзисторного автогенератора типа LC
18.2. Энергетические показатели транзисторного автогенератора типа LC
18.3. Разновидности схем транзисторных автогенераторов
18.4. Автогенераторы на туннельных диодах
18.5. Стабилизация частоты LC-генераторов
18.6. Автогенераторы типа RC
18.7. Генераторы синусоидальных колебаний на интегральных микросхемах
Глава 19. Выпрямительные устройства
19.1. Однополупериодные выпрямители
19.2. Двухполупериодная схема выпрямления с выводом средней точки
19.3. Двухполупериодная мостовая схема
19.4. Схемы выпрямления с умножением напряжения
19.5. Трехфазные выпрямители
19.6. Управляемые выпрямители
19.7. Сглаживающие фильтры
Глава 20. Стабилизаторы и преобразователи
20.1. Структурные схемы компенсационных стабилизаторов
20.2. Основные параметры стабилизаторов
20.3. Полупроводниковые стабилизаторы постоянного напряжения компенсационного типа
20.4. Стабилизаторы тока
20.5. Стабилизаторы постоянного напряжения в интегральном исполнении
20.6. Стабилизаторы переменного напряжения
20.7. Преобразователи постоянного напряжения
Раздел V. Устройства отображения информации
Глава 21. Устройства отображения информации на электронно-лучевых трубках
21.1. Электронно-лучевые трубки с электростатическим управлением
21.2. Электронно-лучевые трубки с магнитным управлением
21.3. Запоминающие ЭЛТ
21.4. Знакопечатающие ЭЛТ (характроны)
21.5. Матричные индикаторы на ЭЛТ
Глава 22. Буквенно-цифровые индикаторы
22.1. Газоразрядные индикаторы
22.2. Вакуумные электролюминесцентные и накальные индикаторы
22.3. Полупроводниковые индикаторы
22.4. Жидкокристаллические индикаторы
Список рекомендуемой литературы
Рекомендуем
