описание
звоните нам с 9:00 до 19:00
 

Основы проектирования усилительных и импульсных схем на транзисторах (скачать в электронном виде)

Основы проектирования усилительных и импульсных схем на транзисторах (скачать в электронном виде)
Количество:
  
-
+
Цена: 199 
P
В корзину
В наличии
Артикул: 00543216
Издательство: Машиностроение (все книги издательства)
Год: 1973
Товар высылается по электронной почте в электронном виде!!!

В книге изложены принципы проектирования основных типов транзисторных усилителей, импульсных схем и стабилизаторов напряжения.
Второе издание переработано и дополнено сведениями по проектированию резонансных усилителей. Подробно рассмотрены вопросы эксплуатационных характеристик полупроводниковых приборов и их учета при проектировании схем. Приведены общие сведения о конструировании радиоэлектронной аппаратуры различного назначения на полупроводниковых элементах. Изложены основы построения полупроводниковых интегральных схем, тонкопленочных, гибридных и совмещенных микросхем, рассказано о технологии изготовления интегральных схем, их сборке и герметизации.
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие
Раздел первый
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
Глава I. Полупроводники и их физические свойства
§ 1.1. Собственный полупроводник
§ 1.2. Электронный полупроводник
§1.3. Дырочный полупроводник
§ 1.4. Диффузионный ток в полупроводниках
Глава II. Полупроводниковые диоды
§ 2.1. Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода
§ 2.2. Инжекция неосновных носителей. Диффузионная емкость
§ 2.3. Барьерная емкость р—я-перехода
§ 2.4. Частотные свойства полупроводникового диода
§ 2.5. Импульсные свойства полупроводникового диода
Глава III. Транзисторы
§ 3.1. Физические процессы в транзисторе и его статические характеристики
§ 3.2. Эквивалентные схемы и параметры транзисторов
§ 3.3. Основные параметры предельных режимов работы транзистора .
§ 3.4. Влияние температуры на транзистор. Тепловые параметры
§ 3. 5. Частотные свойства транзистора
§ 3. 6. Импульсные свойства транзистора.
Раздел второй
ТРАНЗИСТОРНЫЕ УСИЛИТЕЛИ
Глава IV. Усилители с емкостной связью
§ 4. 1. Три схемы включения транзистора
§ 4.2. Статический режим усилительного каскада
§ 4. 3. Стабильность рабочей точки усилительного каскада
§ 4.4. Расчет основных параметров усилительного каскада с емкостной связью
§ 4.5. Частотная характеристика усилителя с емкостной связью
Глава V. Усилители с трансформаторной связью
§ 5. I. Расчет основных параметров усилительного каскада с трансформаторной связью
§ 5.2. Частотная характеристика усилителя с трансформаторной связью
Глава VI. Усилители постоянного тока
§ 6. 1. Особенности усилителей постоянного тока
§ 6.2. Однотактные усилители постоянного тока
§ 6.3. Двухтактные (балансные) усилители постоянного тока
§ 6.4. Стабилизаторы напряжения
Глава VII. Мощные усилительные каскады
§ 7. 1. Особенности выходных каскадов
§ 7.2. Однотактные каскады класса А
Глава VIII. Резонансные усилители
§ 8.1. Особенности резонансных усилителей
§ 8.2. Основные характеристики колебательного контура
§ 8.3. Расчет каскадов резонансного усилителя
Раздел третий
ИМПУЛЬСНЫЕ СХЕМЫ НА ТРАНЗИСТОРАХ И ДИОДАХ
Глава IX. Транзисторные ключи
§ 9. 1. Режим ключа
§ 9.2. Быстродействие транзисторного ключа
§ 9.3. Сокращение времени включения транзисторного ключа увеличением степени насыщения
§ 9.4. Применение запирающего смещения в базе
§ 9.5. Применение форсирующей емкости для повышения быстродействия
§ 9.6. Ненасыщенные транзисторные ключи
§ 9.7. Расчет транзисторного ключа
Глава X. Статический триггер
§ 10.1. Описание работы триггера
§ 10.2. Ненасыщенный триггер
§ 10.3. Способы запуска триггера
§ 10.4. Запуск триггера по цепи коллектора
§ 10.5. Запуск триггера по цепи базы
§ 10.6. Триггер с автоматическим смещением
§ 10.7. Расчет триггера
Глава XI. Мультивибраторы
§ 1.1.1. Описание работы мультивибратора
§ 11.2. Быстродействующие мультивибраторы
. § 11.3. Ждущий мультивибратор (одновибратор)
§ 11.4. Одновибратор с эмиттерной связью
§ 11.5. Расчет мультивибратора
Глава XII. Блокннг-генераторы
§ 12. 1. Описание работы блокинг-генератора
§ 12.2. Ждущий блокинг-генератор
§ 12.3. Расчет блокинг-генератора
Глава XIII. Диодные логические элементы
§ 13. 1. Диодная логическая схема «И»
§ 13.2. Расчет логической схемы «И»
§ 13.3. Диодная логическая схема «ИЛИ»
§ 13.4. Расчет логической схемы «ИЛИ»
Глава XIV. Ограничители
§ 14. 1. Последовательные диодные ограничители
§ 14.2. Параллельные диодные ограничители
§ 14. 3. Быстродействие диодных ограничителей
§ 14.4. Транзисторные ограничители
§ 14.5. Расчет диодного ограничителя
§ 14.6. Расчет транзисторного ограничителя
Глава XV. Импульсные схемы на ферритах и полупроводниковых приборах
§ 15.1. Параметры ферритов
§ 15.2 Феррит-диодные регистры сдвига
§ 15.3. Феррит-транзисторная ячейка
§ 15.4. Расчет феррит-транзисторной ячейки
§ 15.5. Расчет феррит-диодной схемы
Раздел четвертый
КОНСТРУИРОВАНИЕ И ЭКСПЛУАТАЦИЯ.'АППАРАТУРЫ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ
Глава XVI. Эксплуатационные свойства полупроводниковых приборов
§ 16. 1. Выбор типа полупроводникового прибора
§ 16.2. Выбор режима работы полупроводникового прибора
§ 16.3. Учет разброса, нестабильности и дрейфа параметров полупроводниковых приборов при проектировании радиоэлектронных схем
§ 16.4. Отвод тепла от полупроводниковых приборов
§ 16.5. Методы защиты полупроводниковых приборов от электрических перегрузок
§ 16.6. Механические и климатические условия работы транзисторов и диодов
§ 16.7. Хранение и транспортировка полупроводниковых приборов
Глава XVI. Конструирование аппаратуры на полупроводниковых микроэлементах. Микроэлектроника
§ 17.1. Модули
§ 17.2. Микромодули
§ 17.3. Тонкопленочная электроника
§ 17.4. Полупроводниковые интегральные схемы
Список литературы

Пожалуйста, оставьте отзыв на товар.

Что бы оставить отзыв на товар Вам необходимо войти или зарегистрироваться
Все права защищены и охраняются законом. © 2006 - 2018 CENTRMAG