Люминесцентные методы контроля параметров полупроводниковых материалов и приборов

Артикул:00-01097547
Автор: Г.П. Пека, В.Ф. Коваленко, В.Н. Куценко
Тираж: 4500 экз.
Обложка: Мягкая обложка
Издательство: Технiка (все книги издательства)
Город: Москва
Страниц: 152
Формат: 84х108 1/32
Год: 1986
Вес: 192 г

Описание Отзывы

В книге рассмотрены неразрушающие методы контроля, которые базируются на измерении фото- и электролюминесценции. Эти методы позволяют одновременно определить большое число характеристик и повысить надежность радиоэлектронной аппаратуры.
Рассчитана на инженерно-технических работников, занимающихся разработкой радиоэлектронной аппаратуры, а также может быть полезной студентам вузов.

Содержание
Предисловие
Глава 1. Основные характеристики люминесценции и экспериментальные методы их измерения
1. Определение люминесценции. Механизмы излучательной рекомбинации
2. Механизмы безызлучательной рекомбинации
3. Методы возбуждения люминесценции
4. Спектр излучения
5. Внутренний и внешний квантовые выходы
6. Спектр возбуждения люминесценции
7. Методики экспериментального определения стационарных характеристик фотолюминесценции
8. Методика измерения поляризованной люминесценции
9. Методика измерения характеристик катодолюминесценции
10. Кинетические характеристики люминесценции и методики их измерения
11. Методы измерения распределения характеристик люминесценции по толщине структуры
Глава 2. Люминесцентные методы определения параметров зонной структуры
1. Типы и параметры зонной структуры
2. Определение ширины запрещенной зоны
3. Люминесцентный метод определения зависимости Eg от состава твердого раствора
4. Определение деформационных потенциалов
5. Определение параметров зонной структуры
6. Определение коэффициентов температурного изменения ширины запрещенной зоны
7. Определение градиента ширины запрещенной зоны в варизонных полупроводниках
Глава 3. Люминесцентные методы определения параметров глубоких центров
1. Типы и параметры глубоких уровней
2. Определение энергетического положения и концентрации глубоких центров
3. Определение коэффициентов захвата носителей и зарядового состояния центров
4. Определение коэффициентов захвата носителей из измерения внутренней квантовой эффективности примесной фотолюминесценции
5. Определение сечений фотоионизации центров излучательной рекомбинаций
6. Определение параметров фононного взаимодействия
7. Определение параметров глубоких центров в высокоомных монополярных полупроводниках
8. Определение параметров глубоких уровней прилипания
9. Определение параметров глубоких центров в составе донорно-акцепторных пар
Глава 4. Определение электрофизических характеристик полупроводниковых материалов и устройств люминесцентными методами
1. Определение концентрации основных носителей заряда
2. Определение типа и концентрации легирующей примеси
3. Люминесцентные методы определения степени компенсации
4. Определение пространственного распределения дефектов структуры
5. Определение коэффициентов диффузии примесей
Глава 5. Фотолюминесцентные методы контроля макроскопических рекомбинационных параметров в полупроводниковых материалах и устройствах
1. Влияние рекомбинационных параметров на характеристики полупроводниковых устройств
2. Фотолюминесцентные методы определения рекомбинационных параметров
3. Определение рекомбинационных параметров в некоторых полупроводниковых устройствах фотолюминесцентными методами
4. Определение рекомбинационных параметров из характеристик катодолюминесценции
Глава 6. Люминесцентные методы определения рекомбинационных параметров варизонных материалов и устройств на их основе
1. Особенности неравновесных процессов в варизонных структурах
2. Фотолюминесцентные методы определения параметров варизонных структур
3. Определение рекомбинационных параметров из измерения характеристик фотолюминесценции при учете переизлучения
4. Катодолюминесцентные методы определения рекомбинационных параметров варизонных материалов и устройств на их основе
Глава 7. Контроль качества полупроводниковых материалов и устройств
1. Идентификация примесей и дефектов
2. Контроль однородности полупроводниковых материалов
3. Контроль параметров переходных областей в эпитаксиальных структурах
4. Методы выделения длинноволновых полос фотолюминесценции, относящихся к различным областям гетероструктуры
6. Люминесцентные методы определения механических напряжений в эпитаксиальных структурах
Глава 8. Электролюминесцентные методы контроля качества полупроводниковых устройств
1. Механизмы электролюминесценции
2. Методы, основанные на измерении инжекционной электролюминесценции
3. Использование электролюминесценции для контроля качества интегральных схем
4. Контроль свечения микроплазм как метод диагностики отказов полупроводниковых устройств
5. Контроль параметров светоизлучающих приборов при изучении их деградации
Список литературы

Оставьте отзыв о товаре