Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы

Артикул:00-01028599
Автор: Ермаков О.Н., Сушков В.П.
ISBN: 5-256-00736-X
Обложка: Твердая обложка
Издательство: Радио и связь (все книги издательства)
Город: Москва
Страниц: 240
Формат: 60х90 1/16
Год: 1990
Вес: 345 г

Описание Отзывы

Рассмотрены принцип действия, физические основы, устройство и технология изготовления полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов. Приведены основные параметры и характеристики различных типов полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов (цифро-знаковых индикаторов, модулей экрана, шкал). Изложены основные пути оптимизации параметров и главные направления развития этого класса полупроводниковых приборов.
Для инженерно-технических работников, связанных с разработкой и использованием полупроводниковых приборов и оптико-электронной аппаратуры.

Оглавление
Предисловие
Введение
Глава 1. Эргономические принципы конструирования полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов
1.1. Логика развития индикаторов для систем отображения информации
1.2. Морфологический и эргономический анализ полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов
1.3. Система параметров полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов
Глава 2. Физические принципы работы полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов
2.1. Зонная диаграмма гомо-и гетеропереходов и особенности инжекции неосновных носителей заряда
2.2. Рекомбинационные процессы в прямозонных материалах
2.3. Рекомбинационные процессы в непрямозонных материалах
2.4. Особенности безызлучательной рекомбинации и широкозонных полупроводниковых материалах
Глава 3. Оптимизация параметров светоизлучающих кристаллов
3.1. Физическая модель светоизлучающего кристалла
3.2. Оптимизация параметров светоизлучающих структур на основе прямозонных материалов
3.3. Оптимизация параметров светоизлучающих структур на основе непрямозонных материалов
Глава 4. Технологические особенности получения полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов
4.1. Технология получения полупроводниковых структур
4.2. Технология получения светоизлучающего кристалла
4.3. Технология разделения пластин на кристаллы и сборки приборов
Глава 5. Особенности конструирования полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов
5.1. Базовые конструкции
5.2. Физические основы конструирования светоизлучающих диодов и многоэлементных индикаторов
5.3. Особенности конструировании цифро-знаковых индикаторов
5.4. Особенности конструирования модулей экрана
5.5. Особенности конструирования линейных шкал
Глава 6. Перспективные полупроводниковые материалы в технологии знакосинтезирующих индикаторов
6.1. Бинарные соединения
6.2. Трехкомпонентные твердые растворы
6.3. Четырехкомпонентные твердые растворы
6.4. Цветовые характеристики люминесценции в полупроводниковых материалах и проблема космоцветных индикаторов
Глава 7 Влияние дестабилизирующих факторов на параметры полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов
7.1. Влияние изменений температуры окружающей среды
7.2. Физико-технологические принципы управления температурной зависимостью излучательных характеристик индикаторов
7.3. Влияние деградационных явлений на излучательные характеристики индикаторов
7.4. Радиационные эффекты в светоизлучающих приборах
Глава 8. Оптимизация условий функционирования полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов
8.1. Основные характеристики и режимы функционирования
8.2. Оптимизация режимов функционирования
Глава 9. Применение полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов
9.1. Области применения
9.2. Схемы управления полупроводниковыми знакосинтезирующими индикаторами
9.3. Проблемы интеграции знакосинтезирующих индикаторов со схемами управления
9.4. Оптимизация эргономических характеристик ПЗСИ в системах отображения информации
Заключение
Приложения
Список литературы
Предметный указатель

Оставьте отзыв о товаре