Методы контроля технологии производства полупроводниковых приборов

В наличии Цена за шт.

400

Количество
Купить

Акции и скидки Поделиться


📍
🚚
✉️
Почта России
Отправка товара по почте
🏢
Транспортные компании
Деловые Линии для юридических лиц
Подробнее о доставке
  • Артикул:00-01036041
  • Автор: Концевой Ю.А., Кудин В.Д.
  • Тираж: 7000 экз.
  • Обложка: Мягкий переплет
  • Издательство: Энергия (все книги издательства)
  • Город: Москва
  • Страниц: 144
  • Формат: 84х108 1/32
  • Год: 1973
  • Вес: 181 г
  • Серия: Библиотека радиотехнолога (все товары серии)
Развернуть ▼

Репринтное издание
В книге описываются электрические, оптические, рентгеновские и электронномикроскопические методы контроля технологии изготовления полупроводниковых приборов. Рассматриваются принципы организации технологического контроля при разработках и в производстве приборов.
Книга рассчитана на инженеров и технологов, занимающихся разработкой и производством полупроводниковых приборов и интегральных схем, а также на студентов, специализирующихся в области физики и технологии полупроводниковых приборов.

Оглавление
Предисловие
Глава первая. Объекты, методы контроля и его организация
1. Основные виды контроля при производстве полупроводниковых приборов
2. Особенности контроля технологических операций при изготовлении полупроводниковых приборов
3. Объекты и методы контроля
4. Организация контроля
5. Статистический контроль
6. Автоматизированные системы управления технологическими процессами (АСУТП) на основе встроенных систем контроля с применением ЭВМ
Глава вторая. Электрические методы контроля
7. Измерение вольт-фарадных характеристик полупроводниковых структур
8. Теоретические соотношения для вольт-фарадных характеристик р-п переходов и МДП-структур
9. Контроль свойств границы раздела диэлектрик—полупроводник
10. Особенности методики измерений и аппаратура контроля вольт-фарадных характеристик
11. Контроль вольт-амперных характеристик р-п переходов
12. Методы контроля сопротивления омических контактов
Глава третья. Оптические методы контроля
13. Контроль качества полированных поверхностей по картинам отражения когерентного света лазера
14. Контроль качества полированной поверхности и толщин прозрачных диэлектрических пленок на ней по интенсивности отраженного монохроматического света
15. Контроль плоскостности поверхности и равнотолщинности полупроводниковых пластин интерференционными методами
16. Контроль плоскостности стекол и пластин с фото-эмульсией, применяющихся при изготовлении фотошаблонов
17. Эллипсометрические методы контроля параметров
структур диэлектрик—полупроводник
18. Контроль инфракрасного излучения полупроводниковых структур
Глава четвертая. Рентгеновские и электронно-микроскопические методы контроля
19. Характеристика рентгеновских методов контроля
20. Ориентировка монокристаллов
21. Определение дефектов структуры в полупроводниковых пластинах методами рентгеновской топографии
22. Просвечивание полупроводниковых структур и приборов рентгеновскими лучами
23. Методы растровой электронной микроскопии
24. Просвечивающая электронная микроскопия
Список литературы


5.0
0 отзывов
Оставить отзыв
Пока нет отзывов. Будьте первым, кто оставит отзыв.