Новые материалы в полупроводниковой электронике

В наличии Цена за шт.

285

Количество
Купить

Акции и скидки Поделиться


📍
🚚
✉️
Почта России
Отправка товара по почте
🏢
Транспортные компании
Деловые Линии для юридических лиц
Подробнее о доставке
  • Артикул:00-01089141
  • Автор: П.А. Арсеньев, А.И. Попов, В.А. Филиков
  • Обложка: Мягкая обложка
  • Издательство: Высшая школа (все книги издательства)
  • Город: Москва
  • Страниц: 80
  • Формат: 60х88 1/16
  • Год: 1988
  • Вес: 94 г
  • Серия: Учебное пособие для СПО (все товары серии)
Развернуть ▼

В книге описаны свойства, методы получения и области применения новых материалов электронной техники: полупроводниковых, магнитных, диэлектрических и лазерных. Показана связь между составом, структурой, физическими и химическими свойствами материалов, технологией их производства и параметрами изготовляемых приборов.

Содержание
Предисловие
Глава первая. Некристаллические полупроводники
§ 1. Основные сведения
§ 2. Стеклообразные и аморфные полупроводники
§ 3. Методы получения гидрогенизированного аморфного кремния
§ 4. Применение гидрогенизированного аморфного кремния в электронных приборах
Глава вторая. Магнитные материалы
§ 5. Основные сведения
§ 6. Магнитные материалы с прямоугольной петлей гистерезиса
§ 7. Материалы для магнитооптики
§ 8. Методы получения магнитных кристаллов и пленок
§ 9. Магнитооптические среды в устройствах магнитооптики
Глава третья. Диэлектрические материалы
§ 10. Основные сведения
§ 11. Методы получения диэлектрических пленок
§ 12. Свойства диэлектрических пленок
§ 13. Диэлектрические подложки
§ 14. Процесс кристаллизации
§ 15. Методы выращивания диэлектрических монокристаллов из расплава
Глава четвертая. Диэлектрические монокристаллы для лазеров
§ 16. Основные сведения
§ 17. Энергетические уровни активаторных центров
§ 18. Усиление и генерация вынужденного излучения. Принцип действия лазера
§ 19. Природа энергетических уровней активаторных центров. Требования к активной среде лазеров на диэлектрических монокристаллах
§ 20. Диаграммы состояний бинарных систем
§ 21. Формирование активных сред на диэлектрических монокристаллах
§ 22. Матрицы активных сред лазеров
Заключение
Рекомендуемая литература


5.0
0 отзывов
Оставить отзыв
Пока нет отзывов. Будьте первым, кто оставит отзыв.