- Артикул:00-01114264
- Автор: В. С. Вавилов
- Тираж: 15000 экз.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Государственное издательство физико-математической литературы (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 264
- Формат: 84х108 1/32
- Год: 1963
- Вес: 464 г
Развернуть ▼
Репринтное издание
В книге изложены физические представления о действии электромагнитного и корпускулярных излучений на полупроводники. Рассмотрены процессы поглощения электромагнитного излучения, фотоионизация и ионизация при прохождении заряженных частиц высокой энергии, а также основные типы процессов рекомбинации, приводящей к возвращению возбужденного излучением кристалла в исходное равновесное состояние. В отдельной главе содержатся данные об излучательной рекомбинации в полупроводниках.
Приведены основы теории возникновения структурных дефектов в полупроводниках под действием жесткой радиации и экспериментальные данные об изменениях физических свойств полупроводников, обусловленных такими дефектами.
Книга предназначается для научных сотрудников, занимающихся физикой полупроводников и близкими к ней вопросами физики твердого тела, для читателей, работающих в области практического использования полупроводников в инфракрасной технике, энергетике и экспериментальной ядерной физике, а также для студентов старших курсов соответствующих специальностей.
Содержание
Предисловие
Глава 1. Поглощение света полупроводниками
§ 1. Оптические константы полупроводников и методика их определения
§ 2. Полоса «собственного» оптического поглощения (основная полоса)
§ 3. Влияние температуры, давления, электрического и магнитного полей на оптическое поглощение в основной полосе
а) Влияние температуры и давления
б) Влияние электрического поля на край основной полосы оптического поглощения
в) Влияние магнитного поля на основную полосу поглощения
§ 4. Поглощение света, сопровождаемое образованием экситонов
§ 5. Поглощение света, связанное с фотоионизацией или возбуждением примесей и дефектов структуры
а) Центры с мелкими энергетическими уровнями
б) Инфракрасное поглощение, связанное с глубокими уровнями примесей и дефектов
§ 6. Инфракрасное поглощение носителями тока
а) Неселективное поглощение
б) Селективное поглощение
§ 7. Влияние электрически неактивных примесей на инфракрасное поглощение в полупроводниках
§ 8. Поглощение света при возбуждении колебании кристаллической решетки
Глава 2. Фотоионизация и фотопроводимость в полупроводниках
§ 9. Основные величины и соотношения, характеризующие фотопроводимость
§ 10. Квантовый выход фотоионизации и его спектральная зависимость
а) Понятие о квантовом выходе и его определение по фототокам в однородных кристаллах
б) Определение квантового выхода фотоионизаиии в кристаллах полупроводников с р-n-переходами
в) Результаты исследования спектральной зависимости квантового выхода фотоионизации
г) Обсуждение и интерпретация данных о спектральной зависимости квантового выхода фотоионизации
§ 11. Ионизация при поглощении фотонов большой энергии (рентгеновское излучение и гамма-лучи)
§ 12. Рекомбинация и захват электронов и дырок в полупроводниках
а) Рекомбинационный захват носителей локальными центрами
б) Статистика процессов рекомбинации для центров с одним уровнем
в) Пример процесса рекомбинации на локальных центрах: химические примеси в кристаллах германия
г) Рекомбинация неравновесных носителей в кремнии и в антимониде индия
д) Процессы, связанные с захватом (прилипанием) носителей
е) Рекомбинация и захват носителей центрами на поверхности полупроводников
§ 13. Зависимость фотопроводимости от интенсивности возбуждения. Тушение фотопроводимости. Отрицательная фотопроводимость
а) Сенсибилизация (очувствление) фотополупроводника
б) Сверхлинейность
в) Тушение фотопроводимости
г) Отрицательная фотопроводимость
Глава 3. Ионизация в полупроводниках при прохождении заряженных частиц высоких энергий
§ 14. Характер взаимодействия заряженных частиц большой энергии с веществом. Ионизационные потерн энергии
§ 15. Экспериментальное определение средней энергии образования пары неравновесных носителей в полупроводниках
а) Германий
б) Кремний
в) Ионизация ?-частицами в алмазе
§ 16. Обсуждение экспериментальных данных и теоретическая интерпретация
Глава 4. Излучательная рекомбинация в полупроводниках возможности усиления и генерации света с помощью полупроводников
§ 17. Теория рекомбинации электронов и дырок с испусканием фотона
§ 18. Экспериментальные методы возбуждения и исследования спектров рекомбинационного излучения
§ 19. Спектры рекомбинационного излучения германия
а) «Собственное» излучение
б) Примесное излучение германия
§ 20. Излучательная рекомбинация в кремнии
§ 21. Излучательная рекомбинация в полупроводниковых соединениях (InSb, GaSb, InP, PbS)
§ 22. Возможности осуществления инверсных распределений (отрицательных температур) в полупроводниках. Усиление и генерация когерентного излучения
а) Понятие «отрицательной температуры»
б) Возможности осуществления состояний с отрицательной температурой в полупроводниках
Глава 5. Изменение свойств полупроводников под действием быстрых электронов, гамма-лучей, нейтронов и тяжелых заряженных частиц
А. Теоретические представления о процессах возникновения радиационных дефектов
§ 23. Действие быстрых электронов и гамма-лучей
а) Исходные предположения
б) Угловое распределение атомов после рассеяния электронов и распределение по энергиям
в) Вероятность возникновения дефектов Френкеля
§ 24. Уточненная теория смещения атома из узла в междоузлие для кристаллической решетки типа алмаз (пример германия)
§ 25. Возникновение радиационных дефектов под действием гамма-лучей
§ 26. Действие быстрых нейтронов и тяжелых заряженных частиц
а) Энергия ядер отдачи
б) Образование вторичных дефектов структуры в результате каскадов упругих столкновений
в) Столкновения с перемещением дефектов
г) Тепловая теория возникновения групп радиационных дефектов
Б. Радиационные дефекты и последствия ядерных реакций в полупроводниках (данные экспериментов)
§ 27. Цели и методы изучения радиационных дефектов в полупроводниках
§ 28. Радиационные дефекты в монокристаллах кремния
а) Порог образования радиационных дефектов
б) Влияние радиационных дефектов на равновесную концентрацию носителей тока
в) Инфракрасное поглощение и фотопроводимость, связанные с радиационными дефектами в кремнии
г) Влияние радиационных дефектов на рекомбинацию неравновесных носителей в кремнии
§ 29. Радиационные дефекты в монокристаллах германия
а) Зависимость вероятности возникновения радиационных дефектов от энергии, передаваемой атомам при бомбардировке электронами
б) Энергетические уровни радиационных дефектов
германии и влияние дефектов на рекомбинацию неравновесных носителей
§ 30. Радиационные дефекты в полупроводниковых соединениях
§ 31. Отжиг радиационных дефектов в полупроводниках
§ 32. Последствия ядерных реакций в полупроводниках
Литература
Рекомендуем
