- Артикул:00-01110829
- Автор: Виноградов Ю.В.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Связь (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 288
- Формат: 84х108 1/32
- Год: 1977
- Вес: 494 г
- Серия: Учебник для СПО (все товары серии)
Развернуть ▼
В книге изложены физические основы теории электропроводности полупроводников и контактные явления в них, принцип работы, устройство, характеристики и параметры основных типов полупроводниковых диодов, транзисторов и интегральных микросхем, электронных ламп и электроннолучевых трубок, фотоэлектрических приборов. Основное внимание уделяется полупроводниковым приборам и интегральным микросхемам.
Книга предназначена в качестве учебника по курсу «Электронные приборы» для студентов техникумов связи.
Содержание
Предисловие
Введение
Глава 1. Электропроводность полупроводников. Основные понятия
1.1. Электропроводность твердого тела
1.2. Типы электропроводности полупроводников
1.3. Распределение носителей заряда по зонам и их концентрация в полупроводниках
1.4. Удельная электропроводность
1.5. Неравновесные носители заряда и их эффективное время жизни
1.6. Дрейфовые и диффузионные токи. Уравнение непрерывности
1.7. Термисторы и варисторы
Глава 2. Электронно-дырочный переход
2.1. Плоскостной р-п-переход
2.2. Эффект выпрямления. Толщина р-n-перехода
2.3. Вольт-амперная характеристика
2.4. Дифференциальные сопротивления и емкости
2.5. Явление пробоя
2.6. Типы переходов
2.7. Методы изготовления р- n -переходов
Глава 3. Полупроводниковые диоды
3.1. Классификация. Основные характеристики и параметры
3.2. Выпрямительные диоды
3.3. Импульсные диоды
3.4. Полупроводниковые стабилитроны
3.5. Варикапы
3.6. Сверхвысокочастотные диоды
3.7. Туннельные диоды
Глава 4. Транзисторы
4.1. Общие сведения. Устройство транзистора
4.2. Основные процессы в плоскостном бездрейфовом транзисторе
4.3. Токи транзистора
4.4. Модуляция толщины базы
4.5. Коэффициент передачи тока эмиттера
4.6. Дифференциальные сопротивления и емкости
4.7. Схемы включения
4.8. Статические характеристики. Коэффициент передачи тока базы
4.9. Т-образные эквивалентные схемы для переменных составляющих сигнала
4.10. Транзистор как четырехполюсник
4.11. Зависимость параметров от режима работы и температуры
4.12. Зависимость параметров от частоты
4.13. Дрейфовые транзисторы
4.14. Работа с нагрузкой
4.15. Работа в импульсном режиме
4.16. Шумы
4.17. Электрические параметры и классификация
4.18. Технологические методы изготовления и конструктивное исполнение
Глава 5. Полевые транзисторы и тиристоры
5.1. Полевые транзисторы с управляющим р-п-переходом
5.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором
5.3. Параметры и эквивалентные схемы полевых транзисторов
5.4. Тиристоры
Глава 6. Интегральные микросхемы
6.1. Задачи микроэлектроники. Разновидности интегральных микросхем
6.2. Полупроводниковые интегральные микросхемы
6.3. Гибридные интегральные микросхемы
6.4. Конструктивное исполнение
6.5. Классификация и электрические параметры
6.6. Большие интегральные схемы и функциональные приборы
Глава 7. Электронные лампы
7.1. Общие сведения
7.2. Электронная эмиссия
7.3. Катоды электронных ламп
7.4. Диод
7.5. Триод
7.6. Работа лампы с нагрузкой. Эквивалентные схемы и входная проводимость
7.7. Экранированные лампы
7.8. Комбинированные и частотопреобразовательные лампы. Электронносветовые индикаторы
7.9. Генераторные и модуляторные лампы
7.10. Приборы СВЧ
Глава 8. Газоразрядные приборы
8.1. Общие сведения
8.2. Газоразрядные приборы с накаливаемым катодом
8.3. Газоразрядные приборы с холодным катодом
Глава 9. Электроннолучевые трубки
9.1. Общие сведения
9.2. Осциллографические трубки
9.3. Другие виды электроннолучевых трубок
Глава 10. Фотоэлектрические приборы
10.1. Разновидности фотоэлектрических приборов. Основные фотометрические единицы
10.2. Фотодиоды
10.3 Фототранзисторы
10.4. Фотоэлементы и фотоэлектронные умножители
Приложение 1. Система обозначений полупроводниковых приборов
Приложение 2. Основные параметры ряда полупроводниковых приборов
Предметный указатель
Список литературы
Рекомендуем
