Электронные явления переноса в полупроводниках. - купить книгу в интернет-магазине CentrMag по лучшим ценам! (00-01126003)

Описание Отзывы

Развернуть ▼

Посвящена систематическому и подробному изложению линейной теории стационарных электронных явлений переноса в полупроводниках. Излагаются, как классическая, так и квантовая теории гальвано- и термомагнитных эффектов. Рассмотрены различные реальные модели зон: произвольная изотропная и анизотропная непараболическая зоны, а также зона типа дырочного германия. Учтено увлечение носителей тока фононами в произвольном неквантующем магнитном поле. Большое место занимает теория рассеяния носителей. Отдельная глава посвящена размерным эффектам в пленках.
Для научных работников, инженеров и аспирантов, занимающихся исследованием полупроводников, а также студентов старших курсов физических и инженерно-физических специальностей.

Содержание
Предисловие
Глава 1. Энергетический спектр носителей тока в полупроводниках
§1. Движение электрона в идеальной кристаллической решетке
§2. Энергетические зоны в твердых телах. Зоны Бриллюэна
§3. Структура краев энергетических зон некоторых полупроводников. Основные модели зон
Глава 2 Статистика носителей заряда в полупроводниках
§4. Концентрация электронов в зоне проводимости и уровень Ферми. Зависимость эффективной массы от концентрации
§5. Статистика носителей заряда в собственных полупроводниках и полуметаллах
§6. Статистика носителей заряда в примесных полупроводниках
Глава 3. Решение кинетического уравнения. Механизмы рассеяния
§7. Феноменологическое определение кинетических коэффициентов и их взаимная связь
§8. Кинетическое уравнение и условия его применимости
§9. Решение кинетического уравнения для произвольной сферически-симметричной зоны в приближении времени релаксации
§10. Рассеяние носителей заряда в полупроводниках с произвольной изотропной зоной. Примесное рассеяние
§11. Рассеяние носителей заряда на фононах в полупроводниках с произвольной изотропной зоной
§12. Теория рассеяния носителей заряда в полупроводниках с учетом блоховских волновых функций
Глава 4. Электронные явления переноса в полупроводниках с изотропной зоной
§13. Общие выражения основных кинетических коэффициентов
§14. Явления переноса в отсутствие магнитного поля
§15. Явления переноса в магнитном поле
§16. Явления переноса в полупроводниках типа p-Ge
§17. Увлечение носителей заряда фононами в полупроводниках с произвольной изотропной зоной
Глава 5. Явления переноса в полупроводниках с анизотропной ненараболической зоной. Анизотропное рассеяние
§18. Решение кинетического уравнения для анизотропной зоны в приближении тензора времени релаксации
§19. Тензоры проводимости в полупроводниках с анизотропным закопом дисперсии
§20. Основные кинетические эффекты в кубических полупроводниках с анизотропным законом дисперсии
Глава 6. Явления переноса в квантующих магнитных полях
§21. Энергетический спектр и статистика носителей заряда в квантующих магнитных полях
§22. Гальваномагнитные явления в квантующем магнитном поле
§23. Термомагнитные явления в поперечном квантующем магнитном поле
Глава 7. Электронные явления переноса в полупроводниковых пленках. Размерные эффекты
§24. Решение кинетического уравнения в пленках с учетом граничных условий
§25. Явления переноса в пленках с произвольным изотропным законом дисперсии
§26. Квантовые размерные эффекты
Список литературы

5.0

★ ★ ★ ★ ★

0 отзывов

Пока нет отзывов. Будьте первым, кто оставит отзыв.