- Артикул:00-01115026
- Автор: А. В. Любченко, Е. А. Сальков, Ф. Ф. Сизов
- Тираж: 1400 экз.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Наукова Думка (все книги издательства)
- Город: Киев
- Страниц: 256
- Формат: 60х90/16
- Год: 1984
- Вес: 454 г
Развернуть ▼
В монографии изложены современные представления о физических свойствах электромагнитного излучения (в частности, теплового), его статистических свойствах и методах обнаружения посредством внутреннего фотоэффекта в полупроводниках. Значительное внимание уделено специфике детектирования световых сигналов в условиях прямого и гетеродинного преобразований. Рассмотрены физические свойства полупроводников, связанные с зонной структурой, и основные физические процессы в полупроводниках с узкой запрещенной зоной-твердых растворах А2В6 и А4В6, неравновесные процессы при световом возбуждении (генерация и рекомбинация неравновесных носителей заряда, их диффузия и дрейф, фотопроводимость, рекомбинационное излучение, флуктуационные явления и др.).
Для специалистов по физике полупроводников и полупроводниковым приборам.
Содержание
Предисловие
Введение
Глава 1. Электромагнитное излучение и его физические свойства
1.1. Электромагнитные волны
1.2. Законы излучения при тепловом равновесии
1.3. Взаимодействие излучения с квантовыми системами
1.4. Феноменологическая теория поглощения
1.5. Классическая теория восприимчивости
1.6. Случайные процессы. Корреляция
1.7. Хаотичность и когерентность волн
1.8. Статистические свойства излучения
Глава 2. Физические принципы детектирования qH-сигналов
2.1. Внутренний фотоэффект
2.2. Пороги чувствительности
2.3. Оптическое гетеродинирование как метод нелинейного преобразования шума
Глава 3. Узкозонные полупроводники. Твердые растворы Hg1-хxCdxTe и Pb1-xSnx
3.1. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава х твердых растворов
3.2. Кристаллическая решетка и зона Бриллюэна
Г лава 4. Зонная структура и основные свойства Hg1-xCdxTe
4.1. Общая картина зонной структуры
4.2. Зависимость ширины запрещенной зоны от температуры и давления
4.3. Форма краев зон Hg1-xCdxTe вблизи точки Г зоны Брюллюэна
4.4. Статистика электронного газа и собственная концентрация носителей
4.5. Состояния вакансий и примесей
4.6. Диффузия компонентов и примесей
4.7. Оптические свойства
Глава 5. Зонная структура и свойства полупроводников А4В6
5.1. Общая картина зонной структуры
5.2. Зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах А4В6 от температуры и давления
5.3. Форма краев зон в РЬ1-xSnxTe вблизи точки L зоны Бриллюэна
5.4. Статистика электронного газа и собственная концентрация носителей в Pb1-xSnxTe
5.5. Состояния вакансий и примеси в Pb1-xSnxTe
5.6. Диффузия компонентов н примесей в Pb1-xSnxTe
5.7. Оптические свойства Pb1-xSnxTe
5.8. Механизмы рассеяния носителей тока в Pb1-xSnxTe
Глава 6. Неравновесные процессы в полупроводниках
6.1. Неравновесные носители заряда
6.2. Диффузия и дрейф носителей
6.3. Фотопроводимость (однородное возбуждение)
6.4. Экстракция неосновных носителей
6.5. Длинноволновая фотопроводимость, долговременные релаксации
6.6. Фотопроводимость (неоднородное возбуждение)
Глава 7. Механизмы н статистика рекомбинации в полупроводниках
7.1. Основные рекомбинационные механизмы
7.2. Ударная междузонная рекомбинация
7.3. Статистика междузонной Оже-рекомбинации
7.4. Ограничение времени жизни в неоднородных кристаллах
7.5. Нелинейная Оже-рекомбинация
7.6. Рекомбинация при поверхностном возбуждении
7.7. Излучательная рекомбинация Cdx Hg1-xТе и Pb1_x Snx Те
Заключение
Список литературы
Рекомендуем
