- Артикул:00-01114960
- Автор: Б. А. Нестеренко, О. В. Снитко
- Тираж: 1650 экз.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Наукова Думка (все книги издательства)
- Город: Киев
- Страниц: 264
- Формат: 60х90/16
- Год: 1983
- Вес: 464 г
Развернуть ▼
В монографии рассмотрены вопросы кристаллической структуры, фононного спектра и электронных свойств атомарно-чистой поверхности полупроводников. Обсуждаются физические причины перестройки свободных граней полупроводников, наиболее вероятные модели их кристаллического строения. Приведены данные по амплитудам атомных колебаний на поверхности полупроводников, характеризующие силу и направленность химических связен, а также результаты исследования поверхностных фононных мод. Проанализировано влияние специфики границы кристалл - вакуум на ее термодинамические характеристики. Рассмотрены разнообразные электронные явления (электрические, оптические, фотоэлектрические) на свободных гранях. Показана тесная взаимосвязь структурных, фононных и электронных явлений на поверхности полупроводников.
Для специалистов в области физики поверхности и тонких слоев, микроэлектроники, а также аспирантов и студентов физико-технических вузов.
Содержание
Предисловие
Основные обозначения и сокращения
Глава 1. Методы получения и анализа химического состава атомарно-чистой поверхности полупроводников
1.1. Получение чистой поверхности
1.2. Методы контроля чистоты поверхности и анализа ео химического состава
1.3. Способы сохранения, консервации и восстановления чистоты поверхности
Выводы
Глава 2. Кристаллическое строение чистых граней полупроводников
2.1. Краткая характеристика метода дифракция медленных электронов
2.2. Поверхностные структуры чистых гранен полупроводников
2.3. Физические причины реконструкции поверхности
2.4. Об адекватности некоторых кристаллографических понятии применительно к поверхности
2.5. Геометрический модели строения поверхности полупроводников
2.6. О роли атомной структуры в формировании физико-химических свойств поверхности
Выводы
Глава 3. Колебания поверхностных атомов
3.1. Теоретическое рассмотрение вопроса
3.2. Роль колебании решетки в дифракционных явлениях
3.3. Методика эксперимента по определению амплитуд колебаний с помощью ДМЭ
3.4. Экспериментальные данные об амплитудах колебаний поверхностных атомов
3.5. Динамика решетки и возможные типы сверхструктур полупроводников
Выводы
Глава 4. Термическое расширение поверхностных решеток полупроводников
4.1. Теоретические основы взаимосвязи характеристик силовых полей с тепловым расширением решетки
4.2. Экспериментальные методы исследования термического расширения поверхности
4.3. Результаты теоретических и экспериментальных исследовании теплового расширения поверхности
4.4. Межатомные силы и специфика некоторых кинетических явлении на поверхности
Выводы
Глава 5. Фононный спектр кристаллов, ограниченных свободной поверхностью
5.1. Общая характеристика поверхностных мод (теория)
5.2. Функция распределения плотности состоянии и термодинамические потенциалы (результаты теории)
5.3. Экспериментальное изучение фононных спектров поверхности
5.4. Локальные колебания поверхностных решеток
Выводы
Глава 6. Поверхностная диффузия
6.1. Экспериментальные методы изучения поверхностной диффузии
6.2. Основные представления о масс-переносе на поверхности твердого тела
6.3. Миграция атомов на поверхности полупроводников
Выводы
Глава 7. Результаты теоретического изучения поверхностных электронных состояний
7.1. Обоснование наличия локальных уровней электронов па границе кристалл - вакуум
7.2. Развитие теории поверхностных состояний
7.3. Поверхностные электронные состояния, обусловленные примесями и структурными дефектами
Выводы
Глава 8. Методы исследования электронных характеристик чистой поверхности
8.1. Поверхностная проводимость
8.2. ФотоЭДС
8.3. Эффект поля
8.4. Спектроскопические методы изучения ПЭС
8.5. Сочетание измерения фото- и термоэлектронных работ выхода
8.6. Автоэлектронная эмиссия
8.7. Электронный парамагнитный резонанс
8.8. Оптические и фотоэлектрические методы
Выводы
Глава 9. Электронные характеристики атомарно-чистой поверхности германия
9.1. Грани (111) скола германия (низкие температуры)
9.2. Сколотая поверхность германия (111) - 2 X 1
9.3. Фазовый структурный переход Ge (111) - 2 X 1 -> Ge (111) - 2 X 8
9.4. Адсорбция газов и металлов
Выводы
Глава 10. Электронная и атомная структура атомарно-чистых граней кремния
10.1. Грань скола Si (111) - 2 X 1. Электронные свойства
10.2. Фазовый переход Si (111) - 2 X 1 -> Si (111) - 7 X 7
10.3. Физическая модель решеток Si (111) - 2 X 1 и Si (111) - 7 X 7
10.4. Поверхность (110) кремния
10.5. Поверхность (100) кремния
10.6. Взаимодействие адсорбированных частиц с чистой поверхностью кремния
Выводы
Глава 11. Электронные свойства поверхности полупроводниковых соединений А3 В5
11.1. Атомная и электронная структура сколотых граней (110) арсенида галлия
11.2. Электронный механизм адсорбции на грани (110) GaAs
11.3. Грань (110) других полупроводниковых соединений А3В5
11.4. Полярные поверхности полупроводников А3В5
Глава 12. Поверхность других бинарных полупроводниковых соединений
Выводы
Заключения
Список литературы
Рекомендуем
