- Артикул:00-01114159
- Автор: Д. М. Фреик, М. А. Галущак, Л. И. Межиловская
- Тираж: 2000 экз.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Вища школа (все книги издательства)
- Город: Львов
- Страниц: 152
- Формат: 60х90 1/16
- Год: 1988
- Вес: 267 г
Развернуть ▼
В монографии освещено современное состояние проблемы пленочного полупроводникового материаловедения халькогенидных соединений, широко применяемых в качестве активных элементов в опто- и микроэлектронике, спектроскопии, инфракрасной технике. Показаны возможности применения методов математического планирования для оптимизации технологических процессов по созданию пленочного материала с требуемыми свойствами.
Нормативные материалы приведены по состоянию на 1 января 1988 г.
Для преподавателей, научных и инженерно-технических работников. занимающихся вопросами физики полупроводников и микроэлектроники, аспирантов, студентов вузов.
Содержание
Предисловие
Глава I. Физико-химические свойства соединений групы AIVBvI и сложных систем на их основе
1.1. Монохалькогениды свинца и олова
1.2. Системы на основе соединений AIVBVI
1.3. Собственные дефекты в соединениях группы AIVBVI
1.4. Синтез кристаллов с заданными параметрами
Глава 2. Способы получения пленок соединений группы AIVBVI из паровой фазы
2.1. Характеристика полупроводниковых соединений по характеру их термического разложения
2.2. Получение пленок открытым испарением в вакууме
2.3. Получение пленок из навески механической смеси компонентов
2.4. Получение пленок квазиравновесными методами
2.5. Получение пленок методом газодинамического потока пара
2.6. Сравнительная характеристика способов получения пленок из паровой фазы
Глава 3. Физико-химические основы управления параметрами пленок AIVBVI в процессе выращивания
3.1. Зависимость свойств пленок от температуры выращивания
3.2. Расширенные технологические диаграммы пленок твердых растворов
3.3. Управление свойствами пленок при контролируемом давлении пара компонентов
3.4. Математическое планирование эксперимента и оптимизация способа выращивания пленок из паровой фазы
Глава 4. Кристаллическая структура пленок соединении группы AIVBVI, полученных из паровой фазы
4.1. Общие закономерности ориентированного роста пленок
4.2. Структура эпитаксиальных слоев, полученных открытым испарением в вакууме
4.3. Процессы реального кристаллообразования в эпитаксиальных слоях, полученных методом газодинамического потока пара
4.4. Субструктура эпитаксиальных слоев, полученных методом горячей стенки
4.5. Выделение фаз компонентов при синтезе пленок квазиравновесными методами
Глава 5. Деградация пленок соединений группы AIVBVI
5.1. Изменение состава пленок при отжиге в атмосфере кислорода
5.2. Изменение параметров реальной структуры эпитаксиальных слоев при отжиге
5.3. Деградация электрических свойств пленок в процессе взаимодействия с кислородом
Список литературы
Рекомендуем
