- Артикул:00-01114961
- Автор: П. С. Киреев
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Высшая школа (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 584
- Формат: 60х90 1/16
- Год: 1975
- Вес: 862 г
- Серия: Учебное пособие для ВУЗов (все товары серии)
Развернуть ▼
Репринтное издание
В книге рассматриваются элементы электронной теории проводимости и проводимости полупроводников; зонная теория на основе теории возмущения; статистика электронов и дырок; кинетические явления в полупроводниках; теория рассеяния, контактные и неравновесные явления на основе уравнения непрерывности; теории оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниках.
Содержание
Предисловие ко второму изданию
Предисловие к первому изданию .
Глава I. Электронная теория проводимости
§ I. Электронная теория проводимости. Закон Ома
§ 2. Функция распределения времен и длин свободного пробега
§ 3. Функция распределения электронов по состояниям. Средние значения физических величин
§ 4. Полупроводники. Классификация веществ по величине проводимости
§ 5. Модельные представления о проводимости полупроводников. Понятие дырки
§ 6. Собственная и примесная проводимость
Глава II. Основы зонной теории полупроводников
§ 7. Уравнение Шредингера для кристалла
§ 8. Адиабатическое приближение
§ 9. Одноэлектронное приближение
§ 10. Периодическое поле решетки кристалла. Оператор трансляции
§ 11. Квазиимпульс
§ 12. Эффективная масса электрона
§ 13. Связь скорости с квазиимпульсом
§ 14. Оператор ускорения
§ 15. Зоны Бриллюэна
§ 16. Нормировка в ящике и дискретность квазиимпульса
§ 17. Теория квазисвободного электрона
§ 18. Теория квазисвязанного электрона
§ 19. Метод эффективной массы. Влияние внешних полей на спектр энергии кристалла
§ 20. Локализованные состояния
§ 21. Элементарная теория примесных состояний
§ 22. Поверхностные состояния
§ 23. Квантование энергии электрона в магнитном поле. Уровни Ландау
§ 24. Принцип Паули. Понятие металла, полупроводника и диэлектрика
§ 25. Основные характеристики дырки
§ 26. Зонная структура некоторых полупроводников
§ 27. Понятие о квазичастицах
Глава III. Статистика электронов и дырок в полупроводниках
§ 28. Плотность состояний
§ 29. Концентрация электронов и дырок
§ 30. Уравнение электронейтральности
§ 31. Собственный полупроводник
§ 32. Примесный полупроводник. Примесь одного вида
§ 33. Полупроводник, содержащий акцепторную и донорную примесь
§ 34. Вырожденный полупроводник
§ 35. Плотность состояний в магнитном поле
Глава IV. Кинетические явления в полупроводниках
§ 36. Кинетическое уравнение Больцмана
§ 37. Время релаксации
§ 38. Плотность электрического тока и плотность потока энергии
§ 39. Кинетические коэффициенты
§ 40. Электропроводность полупроводников
§ 41. Гальваномагнитные эффекты
§ 42. Эффект Холла в области примесной проводимости
§ 43. Эффект Холла в веществе с носителями заряда нескольких типов
§ 44. Зависимость коэффициента Холла от магнитного поля
§ 45. Магнитнорезистивный эффект
§ 46. Теплопроводность полупроводников
§ 47. Термоэлектрические явления
§ 48. Термомагнитные явления
§ 49. Общий анализ кинетических явлений
§ 50. О кинетических явлениях в полупроводниках с тензорной эффективной массой
§ 51. Тензорезистивный эффект. Тензочувствительность
§ 52. Тензорезистивный эффект. Коэффициенты пьезосопротивления
Глава V. Теория рассеяния носителей заряда
§ 53. Эффективное сечение рассеяния
§ 54. Связь времени релаксации с эффективным сечением
§ 55. Понятие о теории квантовых переходов
§ 56. Рассеяние на нонах примеси
§ 57. Рассеяние на нейтральных атомах примеси
§ 58. Колебания решетки. Нормальные координаты. Фононы
§ 59. Акустические и оптические колебания решетки
§ 60. Теплоемкость решетки. Статистика фононов
§ 61. Рассеяние на тепловых колебаниях решетки. Метод потенциала деформации
§ 62. Зависимость подвижности носителей заряда от температуры
§ 63. Зависимость времени релаксации от внешних полей. Нарушения закона Ома
Глава VI. Рекомбинация носителей заряда
§ 64. Уравнение непрерывности. Время жизни
§ 65. Механизмы рекомбинации. Линейная рекомбинация
§ 66. Диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда
§ 67. Поверхностная рекомбинация
Глава VII. Контактные явления в полупроводниках
§ 68. Дебаева длина экранирования
§ 69. Работа выхода
§ 70. Контактная разность потенциалов. Контакт металл - металл
§ 71. Контакт металл- полупроводник
§ 72. Неоднородный полупроводник, p-n-переход
Глава VIII. Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках
§ 73. Спектр поглощения света
§ 74. Поглощение света свободными носителями заряда
§ 75. Циклотронный резонанс
§ 76. Собственное поглощение света
§ 77. Поглощение света решеткой
§ 78. Поглощение света электронами в локализованных состояниях
§ 79. Влияние внешних условии на спектр поглощения
§ 80. Фоторезистивный эффект
§ 81. Эффект Дембера. Фотогальванический эффект
§ 82. Фотомагнитноэлектрический эффект
§ 83. Эффект Фарадея
§ 84. Спин-орбитальное расщепление энергетических зон
Основные условные обозначения
Предметный указатель
Рекомендуем
