- Артикул:00-01114165
- Автор: М. Шур
- ISBN: 5-03-002514-6
- Тираж: 1000 экз.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: МИР (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 480
- Формат: 60х90 1/16
- Год: 1992
- Вес: 1465 г
Развернуть ▼
Современное фундаментальное учебное пособие, написанное известным американским специалистом, в котором с единых позиций рассматриваются физические принципы работы, конструктивные особенности и технология изготовления практически всех полупроводниковых приборов и монолитных интегральных схем на их основе. В кн. 1 содержатся сведения о физике полупроводников, барьерных и омических контактах, биполярных транзисторах, а также полевых транзисторах на основе кристаллического и аморфного кремния, GaAs и гетероструктур.
Для специалистов в области физики твердого тела, электроники, полупроводниковой техники, а также преподавателей, аспирантов и студентов соответствующих специальностей.
См. также Физика полупроводниковых приборов. Книга 2
Содержание
Предисловие редакторов перевода
Предисловие к русскому изданию
Предисловие
Глава I. Основы физики полупроводников
1.1. Введение
1.2. Квантовомеханический подход и атомные состояния
1.3. Химические связи
1.4. Структура твердых тел
1.5. Зонная структура
1.6. Статистика электронов и дырок в полупроводниках
1.7. Собственные, примесные и компенсированные полупроводники
1.8. Колебания решетки
1.9. Подвижности н дрейфовые скорости электронов и дырок
1.10. Эффект Холла и машиносопротивление
1.11. Уравнения переноса в полупроводниках с учетом диффузии и зависимости скорости от поля
1.12. Квазиуровни Ферми. Генерация и рекомбинация носителей
1.13. Уравнение переноса Больцмана и скорости рассеяния
1.14. Моделирование методом Монте-Карло
1.15. Феноменологические уравнения переноса
Задачи
Литература
Глава 2. р-n-переходы, барьеры Шоттки, гетеропереходы и омические контакты
2.1. Введение
2.2. р-n-переход при нулевом смещении
2.3. Вольт-амперные характеристики идеального р-n-перехода
2.4. Токи генерации и рекомбинации
2.5. Емкость обедненной области
2.6. Диффузионная емкость и эквивалентная схема р-n-диода
2.7. Туннелирование и туннельные диоды
2.8. Лавинный пробой перехода
2.8.1. Механизмы лавинного пробоя
2.8.2. Ударная ионизация и лавинный пробой
2.9. Барьеры Шоттки
2.10. Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки
2.10.1. Модель термоэлектронной эмиссии
2.10.2. Вольт-амперные характеристики для термополевой и полевой эмиссии
2.10.3. Малосигнальная модель диода Шоттки
2.11. Омические контакты
2.12. Гетеропереходы
Задачи
Литература
Глава 3. Биполярные транзисторы
3.1. Принцип действия
3.2. Профили концентрации неосновных носителей в биполярном транзисторе
3.3. Составляющие тока и коэффициент по току
3.4. Распределенное сопротивление базы и сжатие эмиттерного тока в биполярных транзисторах
3.5. Влияние неоднородного легирования в базовой области: дрейфовые транзисторы
3.6. Выходные характеристики биполярного транзистора и эффект Эрли
3.7. Модель Эберса-Молла
3.8. Модель Гуммеля-Пуна
3.9. Пробой в биполярных транзисторах
3.10. Рабочая точка и эквивалентные схемы при малом уровне сигнала
3.11. Биполярный транзистор как. усилитель слабого сигнала. Частота отсечки
3.12. Биполярный транзистор в качестве переключателя
3.13. Биполярные транзисторы в интегральных схемах
3.14. Гетеропереходиые биполярные транзисторы
Задачи
Литература
Глава 4. Полевые транзисторы
4.1. Введение
4.2. Поверхностный заряд в МОП-конденсаторе
4.3. Вольт-фарадные характеристики МОП-структур
4.4. Полевые транзисторы на МОП-структурах. Приближение плавного канала и модель управления зарядом
4.4.1. Принцип работы
4.4.2. Приближение плавного канала и модель с постоянной подвижностью
4.4.3. Модель управления зарядом
4.4.4. Влияние последовательных сопротивлений истока и стока на характеристики МОП ПТ
4.5. Эффекты насыщения скорости в МОП ПТ
4.6. Особенности приборов с коротким каналом и нелинейный эффект в МОП ПТ
4.7. Допороговый ток в МОП ПТ
4.8. Емкость и эквивалентная схема МОП ПТ
4.9. Режимы обогащения и обеднения МОП ПТ. Комплементарные МОП ПТ (КМОП Г1Т) и кремний на сапфире
4.10. Полевые транзисторы с барьером Шоттки
4.11. Гетероструктурные полевые транзисторы
4.12.Транзисторы на тонких пленках аморфного кремния
4.13. Высоковольтные ТПТ на основе аморфного кремния
4.14. Полевые транзисторы с двойной инжекцией на основе аморфного кремния
Задачи
Литература
Рекомендуем
