- Артикул:00-01114959
- Автор: С. М. Рывкин
- Тираж: 3000 экз.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Государственное издательство физико-математической литературы (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 496
- Формат: 84х108 1/32
- Год: 1963
- Вес: 752 г
Развернуть ▼
Репринтное издание
В монографии рассматриваются процессы генерации, движения и рекомбинации неравновесных носителей тока в полупроводниках. Основное внимание уделено рассмотрению процессов рекомбинации через локальные центры, прилипания, диффузии и дрейфа неравновесных носителей тока в электрическом и магнитном полях и в связи с этим описанию явлений фотопроводимости (собственной и примесной), фотоэлектродвижущих сил, а также методов экспериментального исследования кинетики фотоэлектрических процессов.
Книга рассчитана на физиков и инженеров занимающихся полупроводниками.
Содержание
Предисловие
Глава 1. Феноменологическое описание фотопроводимости
§ 1. Равновесные и неравновесные носители тока, неравновесная проводимость
§ 2. Некоторые характеристики равновесной проводимости
§ 3. Распределение неравновесных носителей по энергиям
§ 4. Время жизни неравновесных носителей тока
§ 5. Релаксация неравновесной проводимости
А. Линейная рекомбинация
Б. Квадратичная рекомбинация
В. Мгновенное значение времени жизни
§ 6. Фотопроводимость образцов конечных размеров
Глава 2. Методы измерения стационарной фотопроводимости
§ 7. Методы с постоянным и модулированным освещением
§ 8. Вычисление фотопроводимости из данных опыта
А. Режим постоянного поля
Б. Режим постоянного тока
В. Режим максимальной чувствительности
Г. Случай малой относительной фотопроводимости
§ 9. О пороге чувствительности
§ 10. Об оптимальных размерах образцов для измерения фотопроводимости
§ 11. Исключение влияния контактов
А. Критерий исключения влияния нейтральных контактов
Б. Зондовый метод измерения фотопроводимости
§ 12. Исключение влияния неоднородности освещения
Глава 3. Определение основных феноменологических параметров ? и ? по исследованию кинетики фотопроводимости
§ 13. Частотная зависимость фотопроводимости
А. Прямоугольная модуляция интенсивности света
1. Симметричные прямоугольные волны света
2. Несимметричные прямоугольные волны света (tc0?tт0)
Б. Синусоидальная модуляция интенсивности света
§ 14. Определение времени жизни методом компенсации сдвига фаз
А. Синусоидальная модуляция
Б. Прямоугольная модуляция
В. О чувствительности метода компенсации сдвига фаз
§ 15. Исследование релаксации в нелинейном случае
§ 16. Некоторые методы модуляции интенсивности световых пучков
Глава 4. Процессы генерации неравновесных носителей тока
§ 17. Внутренний фотоэффект (возбуждение, связанное с поглощением света)
§ 18. Ионизация квантами и частицами больших энергий
§ 19. Другие методы «генерации» неравновесных носителей тока
А. Использование «анейтральных» контактов
Б. Образование неравновесных носителей при ударной ионизации
Глава 5. Рекомбинация через простые локальные центры
§ 20. Введение. Ограничения, налагаемые законами сохранения энергии и импульса
§ 21. Рекомбинация через локальные центры (ловушки). Захват локальными центрами носителей тока
§ 22. Полупроводник с одним типом ловушек
§ 23. Схема с одним типом ловушек. Стационарный случай
А. Случай малой концентрации ловушек
Б. Случаи любой концентрации ловушек
В. Заключение
§ 24. Случай нескольких типов ловушек
§ 25. Релаксация неравновесной проводимости
А. Малая концентрация ловушек
Б. Большая концентрация ловушек
Глава 6. Процессы прилипания неравновесных носителей
§ 26. Центры рекомбинации и центры прилипания
А. Демаркационные уровни
Раздел I. Монополярная фотопроводимость
Раздел I. Монополярная фотопроводимость
§ 27. Влияние уровней прилипания на стационарные характеристики и релаксацию неравновесной проводимости (слабое заполнение уровней - линейный случай)
А. Релаксация при наличии ?-центров прилипания
Б. Релаксация при наличии ?-центров прилипания
В. О критерии для разделения ?- и ?-прилипания
§ 28. Влияние а-прилипания на феноменологический выход и время жизни в общем случае любой степени заполнения уровней прилипания
§ 29. Влияние постоянной подсветки на релаксацию фотопроводимости при наличии а-прилипания
Раздел II. Биполярная фотопроводимость
§ 30. Влияние уровней прилипания на стационарную фотопроводимость и стационарные времена жизни электронов и дырок
§ 31. Влияние уровней прилипания на релаксацию неравновесной биполярной проводимости
Раздел III. «Нелинейные» процессы релаксации при сильном заполнении уровней прилипания
§ 32. Влияние сильного заполнения уровней прилипания на начальные стадии нарастания фотопроводимости
§ 33. Влияние уровней прилипания на общий характер релаксационных кривых фотопроводимости
§ 34. Заключение
Глава 7. Рекомбинация через многозарядные центры
§ 35. О спектре сложных центров
§ 36. Время жизни при рекомбинации через многозарядные центры
Глава 8. Собственная (межзонная) рекомбинация
§ 37. Излучательная рекомбинация свободных электронов и дырок
§ 38. Исследование спектров излучательной рекомбинации
А. Индуцированная излучательная рекомбинация
§ 39. Влияние прилипания на излучательную рекомбинацию
§ 40. Ударная рекомбинация
А. Высокий уровень возбуждения: Дn(Дp)» n0+p0
Б. Низкий уровень возбуждения: Дn (Дp) «n0+p0
Глава 9. «Примесная фотопроводимость»
§ 41. Особенности примесной фотопроводимости
§ 42. Примесная фотопроводимость, связанная с одним типом уровней
А. Люкс-амперные характеристики
Б. Кривые релаксации
В. Влияние прилипания
§ 43. Критерии монополярности примесной фотопроводимости
А. Термооптические переходы
Б. Двойные оптические переходы
Глава 10. Некоторые эффекты комбинированного возбуждения
§ 44. Индуцированная примесная фотопроводимость
§ 45. Оптическая перезарядка примесных центров и кинетика примесной фотопроводимости
А. Влияние перезарядки на кинетику примесной фотопроводимости
Б. О «предельной» оптической перезарядке примесных центров
§ 46. Термостимулированная проводимость
§ 47. О знаке фотопроводимости плохо проводящих полупроводников
§ 48. Метод длинноволнового зондирования локальных уровней
Глава 11. О смысле используемых понятий о «времени жизни»
§ 49. Время жизни носителей тока в зонах
§ 50. Микроскопическое и релаксационное время жизни
А. Примесная фотопроводимость
Б. Собственная фотопроводимость. Рекомбинация через ловушки
В. Смысл релаксационного времени жизни
Глава 12. Диффузия и дрейф неравновесных носителей тока (монополярный случай)
§ 51. Общие соображения и основные уравнения
§ 52. Распределение концентрации, заряда и поля при диффузии в случае низкого уровня возбуждения. Длина экранирования Дебая
§ 53. Эффективное время установления диффузионного равновесия («постоянная времени Максвелла»)
§ 54. Распределение концентрации при наличии внешнего электрического поля
§ 55. О длине экранирования Дебая в плохо проводящих полупроводниках и диэлектриках
§ 56. О так называемом «вторичном» и сквозном фототоках в полупроводниках
А. Введение
Б. О кинетике фототока
В. О так называемом «первичном» фототоке
Г. О так называемом «вторичном» фототоке
Д. Некоторые вопросы терминологии
Глава 13. Диффузия и дрейф неравновесных носителей тока (биполярный случай)
§ 57. Диффузия и дрейф неосновных носителей тока
§ 58. Метод экспериментального определения длины диффузионного смещения lD и времени жизни неосновных носителей тока
§ 59. Прямой метод определения подвижности неосновных носителей тока
§ 60. Определение соотношения между подвижностью и коэффициентом диффузии для неравновесных неосновных носителей
§ 61. Метод определения времени жизни и подвижности неосновных носителей с помощью движущегося светового пятна
А. Компенсационный (нулевой) метод измерения подвижности
§ 62. Количественное рассмотрение диффузии и дрейфа при любых соотношениях между концентрациями электронов и дырок
§ 63. ЭДС Дембера
Глава 14. Некоторые фотомагнитоэлектрические и фотомагнитоконцентрационные эффекты
§ 61. Метод определения
Раздел I. Фотоэлектромагнитные эффекты
§ 64. Биполярный фотоэлектромагнитный эффект Кикоина - Носкова
А. Фотомагнитная ЭДС и ток короткого замыкания
Б. Компенсационный метод измерения lD при низком уровне возбуждения
В. Использование фотомагнитного эффекта для определения скорости поверхностной рекомбинации
Г. Фотомагнитный эффект при любом соотношении между концентрациями неравновесных электронов и дырок
§ 65. Монополярный нестационарный фотомагнитный эффект
§ 66. Отрицательная фотопроводимость в магнитном поле
Раздел II. Магнитоконцентрационные эффекты
§ 67. Продольный магнитоконцентрационный эффект
§ 68. Магнитоконцентрационный эффект Суля
Глава 15. Фотоэлектродвижущие силы в неоднородных полупроводниках
§ 69. Механизм действия электронно-дырочных фотоэлементов А. Энергетическая схема электронно-дырочного перехода
Б. Основное уравнение фотодиода
§ 70. Основные характеристики электронно-дырочных фотоэлементов
А. Вольт-амперная характеристика
Б. Люкс-амперная характеристика
В. Спектральное распределение фоточувствительности
Г. Температурная зависимость темпового тока, фототока и фото-ЭДС
Д. Экспериментальная проверка соотношения для вентильной фото-ЭДС
§ 71. О кинетике фотодиодов
А. Фотодиодный режим
Б. Режим вентильной фото-ЭДС
В. «Гибридный режим»
§ 72. Кинетика вентильной фото-ЭДС при наличии нагрузки и любых соотношениях между ? и R0 C
§ 73. Влияние прилипания на релаксацию фототока фотодиода
§ 74. Малоинерционные фотодиоды
§ 75. Об оптимальном режиме использования фотодиодов для регистрации малых сигналов
§ 76. Фотоэлектродвижущие силы в области примесного возбуждения
§ 77. «Внешний» фотоэффект из металла в полупроводник
§ 78. Фототриоды
§ 79. Фотодиод как преобразователь световой энергии в электрическую
Литература
Рекомендуем
