- Артикул:00-01114167
- Автор: В. М. Фридкин
- Тираж: 4000 экз.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Наука (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 264
- Формат: 84х108 1/32
- Год: 1979
- Вес: 406 г
Развернуть ▼
В книге рассмотрены неравновесные электронные процессы в сегнетоэлектрическом кристалле, лежащие в основе фотосегнетоэлектрических явлений. К числу рассмотренных явлений относятся фотостимулированый сдвиг точки Кюри, влияние неравновесных электронов на спонтанную поляризацию, доменную структуру и другие макроскопические свойства сегнетоэлектриков. Рассмотрены особенности генерации, рекомбинации и рассеяния носителей в сегнетоэлектрике, обусловливающие существование аномального фотовольтаического эффекта и основанного на нем фоторефрактивного эффекта. Кратко изложено применение фоторефрактивного эффекта в сегнетоэлектриках в объемной фазовой голографии. Упоминаются и другие возможные применения фотосегнетоэлектриков.
Содержание
Предисловие
Глава 1. Термодинамика фотосегнетоэлектриков
§ 1.1. Свободная энергия сегнетоэлектрика - полупроводника
§ 1.2. Фазовые переходи первого и второго рода
§ 1.3. Влияние электронов на фазовый переход. Фотосегнетоэлектрические явления
§ 1.4. Аномалии ширины запрещенной зоны в области фазовых переходов. Особенности электропоглощения
§ 1.5. О термодинамической интерпретации ширины запрещенной зоны
§ 1.6. Электропроводность сегнетоэлектриков - полупроводников вблизи точки Кюри
Глава 2. К микроскопической теории фотосегнетоэлектрических явлений
§ 2.1. Сегнетоэлектрический фазовый переход и «мягкая» мода колебаний
§ 2.2. Влияние экранирования на «мягкую» моду колебаний
§ 2.3. Сегнетоэлектрический фазовый переход и межзонное электрон-фононное взаимодействие
§ 2.4. Псевдоэффект Ян-Теллера в широкозонных и примесных сегнетоэлектриках
§ 2.5. Изменение дипольного момента центров при оптической перезарядке
§ 2.6. Фазоны и флуктуоны
Глава 3. Экранирование спонтанной поляризации
§ 3.1. Монодоменный кристалл в отсутствие поверхностных уровней
§ 3.2. Дебаевская длина как параметр длины экранирования в сегнетоэлектрике
§ 3.3. Экранирование спонтанной поляризации при наличии поверхностного слоя
§ 3.4. Роль поверхностных уровней в экранировании спонтанной поляризации
§ 3.5. Экранирование и периодическая структура межфазовых границ в фотосегнетоэлектрике
Глава 4. Фотосегнетоэлектрические явления и фотостимулированные фазовые переходы
§ 4.1. К термодинамике фотосегнетоэлектрических явлений
§ 4.2. Фотостимулированный сдвиг температуры фазового перехода и фотогистерезесный эффект
§ 4.3. Влияние электронных возбуждений на спонтанную поляризацию
§ 4.4. Фотодеформационый эффект
§ 4.5. Фотоиндуцированное рэлеевское рассеяние в BaTi03
Глав а 5. Аномальный фотовольтаический эффект в сегнетоэлектриках
§ 5.1. Аномальные фотонапряжения (АФН эффект) в сегнетоэлектриках
§ 5.2. Фотовольтаический ток в режиме короткозамкнутых электродов
§ 5.3. Аномальный фотовольтаический эффект (АФ эффект) в сегнетоэлектриках группы KDP
§ 5.4. О природе аномального фотовольтаического эффекта в сегнетоэлектриках
§ 5.5. О других возможных механизмах аномальных фотонапряжений в сегнетоэлектриках
Глава 6. Фоторефрактивный эффект в сегнетоэлектриках
§ 6.1. Механизмы фоторефрактивного эффекта в сегнетоэлектриках
§ 6.2. Фоторефрактивная запись голограмм
§ 6.3. Фоторефрактивная чувствительность
§ 6.4. Фоторефрактивный эффект при многофотонном возбуждении
Глава 7. Явления экранирования
§ 7.1. Влияние неравновесных носителей на экранирование межфазовых границ
§ 7.2. Влияние экранирования на процессы переполяризации
§ 7.3. Фотодоменный эффект
§ 7.4. Экранирование и фототоки короткого замыкания
Литература
Алфавитный указатель
Рекомендуем
