- Артикул:00-01106369
- Автор: Некрасов М. М., Платонов В. В., Дадеко Л. И.
- Тираж: 6000 экз.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Вища школа (все книги издательства)
- Город: Киев
- Страниц: 304
- Формат: 60х90 1/16
- Год: 1981
Развернуть ▼
Изложены теория и техника физического направления в надежности. Обобщен и систематизирован материал по методикам, аппаратуре и автоматизации прогнозирования отказов изделий с целью выявления и отбраковки потенциально ненадежных приборов неразрушающими испытаниями. Приведены методы инженерного расчета надежности изделий, основанные на применении физического и статистического прогнозирования, что позволяет повысить надежность изделий и точность ее определения. Приведены расчетные формулы и конкретные примеры, способы повышения качества изделий.
Справочное пособие предназначено для студентов и преподавателей втузов, а также специалистов, занимающихся конструированием, разработкой и эксплуатацией радио- и электроаппаратуры.
Содержание
Введение
Глава 1. Основные понятия и принципы определения надежности изделий электронной техники
1.1. Надежность и процессы изменения объектов
1.2. Классификация информативных показателей надежности
1.3. Прогнозирование надежности элементов
1.4. Надежность и принцип дополнительности
1.5. Соотношение между воздействующими факторами нагрузки и прочностью изделий
1.6. Определение коэффициента неоднородности элементов и систем
Глава 2. Старение и разрушение материалов и элементов
2.1. Основные типы разрушений
2.2. Пробой материалов
2.3. Роль процессов электродиффузии в нарушении стабильности характеристик приборов
2.4. Разрушение органических материалов
2.5. Закономерности разрушения тонкопленочных резистивных элементов
2.6. Разрушение поверхности материала
2.7. Особенности поверхностного и объемного разрушения полупроводников
2.8. Роль усталостных явлений в разрушении полупроводниковых приборов
2.9. Механизм разрушения композиционных структур металл -диэлектрик - полупроводник (МДП)
2.10. Закономерности механического разрушения материалов
Глава. 3. Методы и испытания для прогнозирования надежности пассивных элементов НЭТ
3.1. Типы отказов пленочных резисторов
3.2. Методы выявления потенциально нестабильных пленочных резисторов
3.3. Влияние локальных дефектов на качество непроволочных резисторов
3.4. Влияние структуры конденсаторов на их надежность
3.5. Оценка надежности керамических трубчатых конденсаторов
3.6. Прогнозирование надежности тонкопленочных конденсаторов
3.7. Определение срока службы и надежности тонкопленочных конденсаторов неразрушающими методами
3.8. Влияние режимов эксплуатации на срок службы ТПК и его расчет
3.9. Оценка качества индуктивностей
Глава 4. Физика отказов и испытания на надежность полупроводниковых и электровакуумных приборов
4.1. Интегральная диагностика и прогнозирование надежности изделий электронной техники
4.2. Контроль качества и информативные параметры надежности полупроводниковых диодов
4.3. Оперативный метод неразрушающего контроля надежности полупроводниковых диодов
4.4. Механизм отказов транзисторов и информативные параметры их надежности
4.5. Особенности отказов биполярных транзисторов
4.6. Контроль качества транзисторов с помощью /п-параметров
4.7. Неразрушающий метод обнаружения дефектов, возникающих в процессе изготовления мощных германиевых транзисторов
4.8. Прогнозирование надежности электровакуумных приборов
4.9. Методы определения неоднородностей в прямопакальном катоде
4.10. Прогнозирование надежности нити накаливания объектов
4.11. Прогнозирование надежности электролюминесцентных приборов
Глава 5. Прогнозирование надежности микросхем
5.1. Типы отказов микросхем
5.2. Специфика отказов интегральных схем
5.3. Механизм отказов активных элементов ИС
5.4. Влияние металлизации на отказы ИС
5.5. Параметрические отказы элементов ИС
5.6. Влияние коротких замыканий металлизации на отказы ИС
5.7. Оценка качества корпусов микросхем
5.8. Влияние ширины металлизации на срок службы интегральных схем
5.9. Испытания интегральных схем
Глава 6. Средства неразрушающего контроля изделий электронной техники
6.1. Испытания электроизоляционных конструкций и изоляторов измерением коэффициентов абсорбции и неоднородности
6.2. Исследования поверхности твердых тел методом экзоэлектронной эмиссии
6.3. Измеритель спектральной плотности НЧ шумов резисторов
6.4. Метод стимулированной контактной разности потенциалов для исследования десорбции с поверхности полупроводников
6.5. Испытания транзисторов методом измерения шумов
6.6. Испытания транзисторов методом измерения теплового сопротивления
6.7. Оценка надежности по измерению инфракрасного излучения объекта
6.8. Измерение m-параметра полупроводниковых приборов
6.9. Оценка состояния поверхности р -перехода осциллографированием зависимости
6.10. Применение сканирующего электронного микроскопа для исследования элементов интегральных схем
6.11. Методы и приборы контроля герметичности корпусов полупроводниковых приборов и интегральных схем
Глава 7. Методы повышения надежности элементов и узлов радиоэлектронной аппаратуры
7.1. Основные принципы обеспечения надежности
7.2. Методы обеспечения надежности резисторов
7.3. Стабилизация параметров керамических конденсаторов
7.4. Контроль и обеспечение надежности индуктивных узлов высоковольтных трансформаторов
7.5. Эффективные методы обеспечения надежности транзисторов
7.6. Повышение надежности радиоэлектронной аппаратуры за счет применения интегральных схем
7.7. Обеспечение надежности интегральных схем за счет применения многоуровневой металлизации
Список литературы
Рекомендуем
