- Артикул:00-01109608
- Автор: Ю. П. Ермолаев, М. Ф. Пономарев, Ю.Г. Крюков
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Советское радио (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 256
- Формат: 60х90 1/16
- Год: 1980
- Вес: 396 г
- Серия: Учебник для ВУЗов (все товары серии)
Представлены методы расчета и технология изготовления пассивных пленочных элементов. Рассмотрены способы оптимизации топологии комплексов пленочных элементов с позиций точности и стабильности выходных параметров микросхем. Изложены общие вопросы конструирования гибридных интегральных микросхем (тепловой режим, паразитные связи, надежность). Описаны технология сборки и монтажа, а также организация производства гибридных интегральных микросхем (ГИС) и больших гибридных интегральных микросхем (БГИС). Уделено внимание микросхемам СВЧ диапазона и функциональным микроэлектронным элементам и устройствам.
Предназначается для студентов, обучающихся во специальностям «Конструирование и производство радиоаппаратуры» и «Конструирование и производство электронно-вычислительной аппаратуры».
Содержание
Предисловие
Введение.
Глава 1. Технология больших гибридных интегральных схем
1.1.Основные технологические методы, применяемые в производстве ГИС, БГИС, и их классификация
1.2.Подготовка подложек перед нанесением пленок
1.3 Осаждение пленок термическим испарением в вакууме
1.4.Осаждение пленок ионным распылением
1.5.Вакуумное оборудование для изготовления тонкопленочных микросхем
1.6.Химические способы осаждения пленок
1.7.Основы фотолитографии
1.8.Раздельное нанесение пленки и оформление контуров элементов по всей подложке
1.9.Совместное нанесение пленки и оформление контуров элементов по всей подложке
1.10.Раздельное нанесение пленки и оформление контуров элементов последовательной обработкой поверхности подложки
1.11.Совместное нанесение пленки и оформление контуров элементов последовательной обработкой поверхности подложки
1.12.Точность технологических процессов изготовления пленочных элементов
1.13.Подгонка параметров пленочных элементов
1.14.Технология сборки и монтажа ГИС и БГИС
1.15.Технико-экономическая оценка технологических процессов изготовления ГИС и БГИС и выбор оптимального варианта
1.16.Организация производства ГИС и БГИС
Глава 2. Элементы и компоненты ГИС и БГИС
2.1.Подложки пленочных микросхем
2.2.Пленочные резисторы и проводники
2.3.Контактные пленочные соединения
2.4.Пленочные конденсаторы
2.5.Пленочные индуктивные катушки
2 6.Избирательные устройства на основе пленочных LС-элементов
2.7.Пленочные RС-структуры с распределенными параметрами
2.8.Компоненты ГИС и БГИС
Глава 3. Конструкция гибридных интегральных микросхем
3.1.Принцип компоновки ГИС и БГИС
3.2.Конструкции корпусов ГИС и БГИС
3.3.Конструирование ГИС и БГИС
3.4.Типичные конструкции ГИС и БГИС
3.5.Классификация, система обозначения и типы отечественных микросхем
Глава 4. Микросхемы СВЧ диапазона
4.1.Общие понятия о микросхемах СВЧ диапазона
4.2.Элементы и компоненты микросхем СВЧ диапазона
4.3.Конструкции СВЧ устройств
Глава 5. Общие вопросы проектирования ГИС и БГИС
5.1.Математическое представление корреляционных связей параметров групп совместно обрабатываемых элементов микросхем
5.2.Расчет разброса выходного параметра микросхемы с учетом корреляции параметров групп элементов
5.3.Оптимизация групп пленочных элементов по критерию разброса выходного параметра
5.4.Паразитные связи и помехи в ГИО
5.5.Тепловые режимы ГЙС
5.6.Надежность ГИС
5.7.Температурная и временная стабильность ГИС и БГИС
5.8.Совместный выход годных одинаковых функциональных узлов на общей плате
5.9.Оптимальное количество узлов или групп элементов на плате и эффективность технологического резервирования
5.10.Поиск оптимального решения при различных вариантах компоновки БГИС
5.11.Разработка ГИС и БГИС и оформление конструкторской и технологической документации
Глава 6. Функциональные микроэлектронные элементы и устройства
6.1.Электротеплозые функциональные элементы (ЭТФЭ)
6.2.Акустоэлектронные функциональные устройства
6.3.Оптоэлектронные устройства
Список литературы
Предметный указатель



