- Артикул:00-01114964
- Автор: С. С. Горелик, М. Я. Дашевский
- Тираж: 12000 экз.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Металлургия (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 496
- Формат: 60х90 1/16
- Год: 1973
- Вес: 1505 г
- Серия: Учебное пособие для ВУЗов (все товары серии)
Развернуть ▼
Репринтное издание
В книге отсутствуют страницы: 475-478, 483-486
Учебное пособие охватывает круг основных проблем материаловедения неорганических материалов, предназначенных для использования в электронном приборостроении.
В пособии рассмотрены закономерности образования полупроводниковых и металлических фаз; дефекты структуры и примеси в полупроводниках и металлах; поверхностные явления в полупроводниках; процессы диффузии в полупроводниках и металлах; проблемы формирования некоторых свойств полупроводников и металлов; процессы кристаллизации, пластической деформации и термической обработки. в том числе процессы эпитаксиального наращивания тонких слоев; основные группы полупроводниковых материалов, используемых в полупроводниковой электронике.
Пособие предназначено для студентов вузов по специальности «Материалы электронной техники», «Полупроводники и диэлектрики» и «Полупроводниковые приборы». Оно может быть полезно научным работникам, аспирантам и инженерам, работающим в области химии, физики и материаловедения полупроводников и технологии полупроводниковых материалов и приборов.
Содержание
Предисловие
Глава I. Задачи курса «Материаловедение полупроводников и металловедение»
Раздел первый. Химические связи и атомное строение элементарных металлов и полупроводников и их свойства
Глава II. Химические связи в твердых телах
Глава III. Металлы. Металлическая связь
Глава IV. Полупроводники
1. Ковалентная (гомеополярная) связь
2. Ионная (гетерополярная) связь
3. Атомные (ионные) радиусы
Раздел второй. Фазовые равновесия и полупроводниковых и металлических системах
Глава V. Диаграммы фазового равновесия (диаграммы состояния)
Глава VI. Т-X-диаграммы состояния двухкомпонентных систем
1. Диаграммы с неограниченной растворимостью компонентов в жидком и твердом состояниях
2. Построение и анализ диаграмм состояния с неограниченной растворимостью по данным об изменении термодинамического потенциала. Коэффициенты распределения
Глава VII. Диаграммы состояния двухкомпонентных систем с ограниченной растворимостью компонентов
1. Переход от неограниченной растворимости к ограниченной
2. Диаграммы состояния с эвтектическим превращением
3. Диаграммы состояния с перитектическим превращением
4. Диаграммы состояния с химическими соединениями
5. Отклонения от равновесного состояния. Роль диаграмм состояния при выборе условии кристаллизации и термической обработки
Глава VIII. Т-Х-диаграммы состояния трех- и четырехкомпонентных систем
1. Тройные диаграммы состояния с неограниченной растворимостью
2. Тройные диаграммы состояния с тронной эвтектикой при отсутствии взаимной растворимости компонентов
3. Тронные диаграммы состояния с устойчивым химическим соединением
4. Тройные диаграммы состояния с неустойчивым (инконгруэнтно плавящимся) химическим соединением
5. Диаграммы состояния четырехкомпонентных систем
Глава IX. Р-Т- и Р-Т-Х-диаграммы состояния
1. Р-Т-диаграммы состояния
2. Р-Т- X-диаграммы состояния
Раздел третий. Двойные и тройные полупроводниковые и металлические фазы
Глава X. Двойные полупроводниковые фазы
1. Закономерности образования двойных полупроводниковых фаз
2. Двойные алмазоподобные полупроводниковые фазы
3. Соединения типа и твердые растворы на их основе
4. Соединения типа
5. Соединения типа и твердые растворы на их основе
6. Нитрид кремния, двуокись кремния
Глава XI. Тройные полупроводниковые фазы
1. Закономерности образования тройных полупроводниковых фаз
2. Тройные алмазоподобные полупроводниковые фазы
3. Ферриты
4. Сегнетоэлектрики
Глава XII. Металлические фазы
1. Упорядоченные твердые растворы
2. Электронные соединения
3. Фазы Лавеса
4. Фазы внедрения
Раздел четвертый. Структурные несовершенства и примеси в полупроводниках и металлах
Глава XIII. Несовершенства строения реальных кристаллов
1. Точечные дефекты
2. Линейные дефекты (дислокации)
3. Двумерные дефекты
4. Объемные несовершенства
Глава XIV. Примеси в полупроводниках
1. Примеси в элементарных полупроводниках
2. Примеси в полупроводниковых соединениях
Глава XV. Поверхностные явления в полупроводниках
1. Некоторые вопросы термодинамики поверхностных явлении
2. Физические свойства поверхности полупроводника
3. Методы получения атомарно чистых поверхностей. Определение площади поверхности
4. Поверхностные свойства некоторых алмлзоподобных полупроводников
Глава XVI. Диффузия в металлах и полупроводниках
1. Количественные закономерности диффузии
2. Основные параметры диффузии
3. Возможные механизмы диффузии в твердых телах
4. Влияние на скорость диффузии структурных несовершенств
5. Влияние состава сплава и природы диффундирующего вещества на скорость и параметры диффузии
6. Диффузия, сопровождающаяся фазовыми превращениями
Раздел пятый. Некоторые свойства металлов и полупроводников и их зависимость от состава и структуры
Глава XVII. Электропроводность и теплопроводность
1. Электропроводность
2. Теплопроводность
Глава XVIII. Магнитные свойства
Глава XIX. Механические свойства
Раздел шестой. Фазовые и структурные изменения при кристаллизации, пластической деформации и термической обработке
Глава XX. Основные представления общей теории образования фаз
1. Образование зародышей новой фазы
2. Рост зародышей новой фазы
3. Механизм фазовых превращений в твердом состоянии
Глава XXI. Кристаллизация полупроводников из расплавов и растворов
1. Свойства расплавов элементарных полупроводников и соединений типа
2. Примеси в расплавах и растворах полупроводников
3. Представления о механизмах роста кристаллов из расплава и раствора
4. Распределение примесей между расплавом (раствором) и растущим кристаллом
5. Выращивание монокристаллов с однородным или с заданным распределением примесей
6. Выращивание высокосовершенных монокристаллов
7. Выращивание монокристаллических слоев (пленок) из растворов
Глава XXII. Эпитаксиальное наращивание пленок полупроводников из паровой и газовой фаз
1. Газообразное состояние. Строение поверхности кристалла, находящегося в равновесии с паровой (газовой) фазой
2. Механизмы роста кристаллов из паровой (газовой) фазы. Примеси и дефекты в эпитаксиальных пленках
3. Методы эпитаксиального наращивания тонких слоев полупроводников
Глава XXIII. Пластическая деформация и термическая обработка металлов и полупроводниковых материалов
1. Механизмы пластической деформации
2. Текстуры деформации
3. Влияние пластической деформации на свойства материалов
4. Виды термической обработки
Раздел седьмой. Основные группы полупроводниковых материалов
Глава XXIV. Материалы основных полупроводниковых приборов
1. Полупроводниковые материалы для изготовления диодов и транзисторов
2. Контактные и электродные материалы
Глава XXV. Материалы для преобразователей энергии
1. Материалы для полупроводниковых квантовых генераторов
2. Материалы для термоэлектрического преобразования энергии
Глава XXVI. Магнитные полупроводниковые материалы (ферриты)
Список литературы
Рекомендуем
