- Артикул:00-01106923
- Автор: Палатник Л. С., Сорокин В. К.
- Тираж: 11000 экз.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Энергия (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 280
- Формат: 84x108 1/32
- Год: 1978
- Вес: 484 г
Развернуть ▼
В книге освещены основные вопросы материаловедения в области микроэлектроники. Рассматриваются поверхностные свойства полупроводников, металлов и диэлектриков, вопросы адсорбции на поверхности газов и паров, вопросы диффузии и приповерхностный слой примесей, а также методы нанесения и свойства пленочных материалов: проводящих, сверхпроводящих, магнитных, резистивных пленок и эпитаксиальных пленок кремния.
Книга предназначена для широкого круга научных и инженерно-технических работников, а также может служить в качестве учебного пособия по теоретическим проблемам конструирования и производства микросхем для студентов и аспирантов вузов.
Содержание
Предисловие редактора
Предисловие
Глава первая. Атомное строение твердого тела
1-1. Межатомные связи и свойства материалов
1-2. Дефекты кристаллического строения
1-3. Аморфное и стеклообразное состояния
Глава вторая. Поверхность как особая область твердого тела
2-1. Атомарно-чистая поверхность
2-2. Адсорбция на поверхности
Глава третья. Поверхность раздела двух твердых фаз
3-1. Свойства поверхности раздела при отсутствии взаимного проникновения граничащих фаз
3-2. Диффузия и электродиффузия через поверхность раздела
3-3. Реактивная диффузия
Глава четвертая. Поверхность твердого тела в контакте с жидкой фазой
4-1. Межфазные явления на границе расплав-твердое тело
4-2. Физико-химические процессы на границе раздела раствор-твердое тело
Глава пятая. Основы вакуумного материаловедения
5-1. Формирование в вакууме газодинамических потоков и молекулярных пучков
5-2. Ионно-плазменный метод в микроэлектронике
5-3. Неравновесные состояния в пленках
Глава шестая. Пленочные материалы
6-1. Проводящие пленки
6-2. Магнитные пленки
6-3. Сверхпроводящие пленки
6-4. Резистивные пленки
Глава седьмая. Химические методы нанесения пленок
7-1. Выращивание эпитаксиальных пленок методом химической кристаллизации
7-2. Дефекты кристаллического строения в эпитаксиальных пленках
7-3. Легирование эпитаксиальных пленок в процессе роста
Глава восьмая. Проблемы материаловедения в области планарной микроминиатюризации
8-1. Современные методы планарной технологии в микроэлектронике
8-2. Создание и использование активированного состояния при обработке материала ионными пучками
8-3. Световые и электронные пучки и их воздействие на материалы
Список литературы
Рекомендуем
