- Артикул:00-01052031
- Автор: И.Е. Ефимов, И.Я. Козырь, Ю.И. Горбунов
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Высшая школа (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 464
- Формат: 60х90 1/16
- Год: 1986
- Вес: 713 г
- Серия: Учебное пособие для ВУЗов (все книги серии)
Развернуть ▼
В книге изложены основные принципы и направления развития микроэлектроники; приведена классификация изделий микроэлектроники и их общая характеристика; описаны физико-химические основы и технология изготовления полупроводниковых и гибридных ИМС и БИС.
Во 2-м издании (1-е - 1977 г.) использованы последние достижения в разработке ИМС, более подробно рассмотрены новые технологические процессы и т. д.
Содержание
Предисловие
Введение
Глава 1. Основные положения и направления развития микроэлектроники
§ 1.1. Этапы развития электроники
§ 1.2. Основные положения и принципы микроэлектроники
§ 1.3. История развития микроэлектроники
§ 1.4. Факторы, определяющие развитие микроэлектроники
§ 1.5. Классификация изделий микроэлектроники
§ 1.6. Новые направления развития микроэлектроники
Глава 2. Физические явления и процессы в полупроводниковых структурах
§ 2.1. Общие сведения о полупроводниках
§ 2.2. Статистика подвижных носителей заряда
§ 2.3. Кинетические процессы в полупроводниковых структурах
§ 2.4. Поверхностные явления в полупроводниковых структурах
Глава 3. Контактные свойства полупроводниковых структур
§ 3.1. Контактные явления в микроэлектронных структурах
§ 3.2. Физические процессы в электронно-дырочных переходах
§ 3.3. Вольт-амперная характеристика р-n-перехода
§ 3.4. Туннельный эффект в р-n-переходах
§ 3.5. Явления пробоя р-n-перехода
Глава 4. Физические явления и процессы в пленочных структурах
§ 4.1. Размерные эффекты и основные свойства тонких пленок
§ 4.2. Токи надбарьерной эмиссии в контактирующих тонкопленочных системах
§ 4.3. Туннельная эмиссия в контактирующих тонкопленочных системах
§ 4.4. Токи в диэлектрических пленках, ограниченные объемным зарядом
§ 4.5. Металлические пленки как конструктивный материал интегральных микросхем
§ 4.6. Диэлектрические пленки и области их применения в микроэлектронике
Глава 5. Конструктивно-технологические особенности и элементы конструкций интегральных микросхем
§ 5.1. Классификация ИМС и система условных обозначений
§ 5.2. Полупроводниковые ИМС
§ 5.3. Пленочные и гибридные ИМС
§ 5.4. Большие интегральные микросхемы
§ 5.5. Микросборки
§ 5.6. Компоненты гибридных ИМС
§ 5.7. Корпуса для интегральных микросхем
§ 5.8. Сравнение различных типов ИМС
Глава 6. Подложки интегральных микросхем и обработка их поверхности
§ 6.1. Назначение и классификация подложек ИМС
§ 6.2. Подложки полупроводниковых ИМС
§ 6.3. Подложки пленочных и гибридных ИМС
§ 6.4. Виды загрязнений поверхности подложек и методы их удаления
§ 6.5. Способы жидкостной обработки пластин и подложек
§ 6.6. Способы сухой очистки пластин и подложек
§ 6.7. Типовые процессы очистки пластин и подложек
Глава 7. Технологические основы полупроводниковой микроэлектроники
§ 7.1. Общие сведения
§ 7.2. Получение слоев оксида и нитрида кремния
§ 7.3. Литография
§ 7.4. Легирование полупроводников диффузией
§ 7.5. Ионное легирование полупроводников
§ 7.6. Эпитаксиальное наращивание полупроводниковых слоев
Глава 8. Технологические основы пленочной микроэлектроники
§ 8.1. Нанесение тонких пленок в вакууме
§ 8.2. Химическое и электрохимическое нанесение пленок
§ 8.3. Нанесение толстых пленок
§ 8.4. Металлизация полупроводниковых структур
§ 8.5. Получение различных конфигураций тонкопленочных структур
Глава 9. Технология изготовления полупроводниковых ИМС и БИС
§ 9.1. Особенности, этапы и классификации процессов изготовления полупроводниковых ИМС
§ 9.2. Изготовление полупроводниковых биполярных ИМС с изоляцией р-п-переходом
§ 9.3. Изготовление биполярных ИМС с диэлектрической изоляцией
§ 9.4. Изготовление биполярных ИМС с комбинированной изоляцией
§ 9.5. Изготовление совмещенных ИМС
§ 9.6. Изготовление МДП- и КМДП-ИМС
§ 9.7. Особенности технологии и методы создания БИС и СБИС
§ 9.8. Технологические процессы изготовления БИС и СБИС
Глава 10. Технология изготовления гибридных ИМС, БИС и МСБ
§ 10.1. Особенности, классификация процессов и основные этапы изготовления плат
§ 10.2. Изготовление тонкопленочных гибридных ИМС
§ 10.3. Изготовление толстопленочных гибридных ИМС
§ 10.4. Стабилизация и подгонка параметров элементов гибридных ИМС
§ 10.5. Изготовление гибридных БИС и МСБ
Глава 11. Сборка и защита ИМС и БИС
§ 11.1. Методы и этапы сборки
§ 11.2. Разделение пластин, и подложек
§ 11.3. Монтаж кристаллов и плат
§ 11.4. Микроконтактирование
§ 11.5. Способы защиты ИМС
§ 11.6. Сборка и защита полупроводниковых ИМС и БИС
§ 11.7. Сборка и защита гибридных ИМС и БИС
Глава 12. Качество интегральных микросхем
§ 12.1. Основные понятия теории качества
§ 12.2. Назначение и виды контроля
§ 12.3. Контроль полупроводниковых ИМС
§ 12.4. Контроль гибридных ИМС
§ 12.5. Измерение статических и динамических параметров ИМС
§ 12.6. Контроль БИС
§ 12.7. Методы неразрушающего контроля качества ИМС
§ 12.8. Подготовка производства и разработка технологии изготовления ИМС
Глава 13. Надежность интегральных микросхем
§ 13.1. Основные положения теории надежности
§ 13.2. Показатели надежности ИМС
§ 13.3. Тестовый метод оценки надежности ИМС
§ 13.4. Имитационные методы оценки надежности интегральных микросхем
Глава 14. Испытания интегральных микросхем
§ 14.1. Эксплуатационные воздействия на интегральные микросхемы
§ 14.2. Классификация испытаний ИМС
§ 14.3. Проведение испытаний на надежность и оценка их результатов
§ 14.4. Автоматизация испытаний
§ 14.5. Основные виды и причины отказов ИМС
§ 14.6. Анализ отказов ИМС
Заключение
Литература
Предметный указатель
Рекомендуем
