- Артикул:00-01112518
- Автор: под общ. ред. А.А. Васенкова, Я.А. Федотова
- Тираж: 10500 экз.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Советское радио (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 328
- Формат: 84х108 1/32
- Год: 1976
- Вес: 544 г
В книге публикуются статьи отечественных авторов по следующим вопросам: общие проблемы и физические основы микроэлектроники, полупроводниковые интегральные микросхемы, интегральные гибридные и пленочные микросхемы, основы технологии интегральных схем, микросхемотехника, методы контроля и измерительная аппаратура, проектирование микроэлектронной аппаратуры и технология ее изготовления, оптоэлектроника, новые направления микроэлектроники, а также новые полупроводниковые приборы и особенности их применении в схемах, в частности инжекционно-полевые транзисторы, планарные и др.
Сборник предназначен для широкого круга специалистов, научных работников, занимающихся разработкой, изготовлением и применением микросхем и микроэлектронной аппаратуры.
Содержание
К. А. Валиев, Г. Г. Казеннов, В. Я. Кремлев, Г. И. Стороженко. Классификация и перспективы применения функционально-интегрированных элементов при разработке БИС
А. А. Васенков, Ю. В. Терехов. Структура и основные параметры «дерева целей» современных полупроводниковых запоминающих устройств
Ю. И. Щетинин, В. А. Митина. Проектирование и контроль интегральных полупроводниковых ПЗУ с произвольной таблицей истинности
Ю. И. Щетинин. О. Л. Крамаренко, В. А. Неклюдов. Монолитные ПЗУ 155РЕ1 емкостью 256 бит со схемами управления
А. И. Мальцев, В. В. Поспелов. Запоминающие устройства на основе МНОП структур
Ю.Ф. Адамов. Ю. П. Родионов, Л Ю. Шишина. Особенности проектирования квазистатических ЗУ с произвольной выборкой конденсаторного типа на МДП-структурах
А. И. Березенко, О. И. Тищенко. Машинный анализ возможности получения контрольных и диагностических тестов логических неисправностей полупроводникового ОЗУ
Ю.И. Герасимов, А. Н. Кармазинский, С. Н. Юрков. Особенности расчета пятитранзисторной ячейки памяти на дополняющих МДП-транзисторах
В. В. Баринов. В. Я. Контарев, В. И. Мошкин, А. А. Орликовский. Логические и запоминающие интегральные схемы с инжекционным питанием
Е. М. Онищенко. Схемотехника периферийных цепей БИС памяти на биполярных транзисторах
А. А. Орликовский. Н. А. Подопригора. Анализ статических режимов биполярных накопителей в ИС памяти
А. С. Березин, В. И. Кимарский, Ю. И. Кузовлев. Е. М. Онищенко, А. С. Федонин. Использование элементов памяти с инжекционным питанием в субсисемах малой емкости
А. С. Березин, В. И. Кимарский, Е. М. Онищенко, В. Н. Шендерович. Исследование запоминающих элементов на основе р-п-р-п-структур с помощью ЭВМ
В. А. Березкин, Ю. М. Полубояринов, В. В. Ракитин. Биполярный динамический элемент памяти для ЗУ большой емкости
Б. В. Тарабрин, А. С. Назаров, К. А. Кейджян А. В. Фомин, А. Н. Енгалычев. .Метод определения оптимальной номенклатуры выходных электрических параметров ИС
А.Ф.Трутко, Я. А. Федотов, Ю. А. Каменецкий Д. И. Сметанина. Интегральная электроника сверхвысоких частот
Ю. А. Каменецкий, А. М. Косогов, Д. И. Сметанина, М. А. Пашкевич. Интегральный микрополосковый фазовращатель S-диапазона
А Б. Полянов, О. В. Чкалова. Полевые транзисторы с барьером Шоттки на арсениде галлия
В. В. Вейц, В. М. Вальд-Перлов, Б. И. Карташев, Ю. В. Фомин. Лавинно-пролетный диод из арсенида галлия с барьером Шоттки Х-диапазона
Е. 3. Мазель. Мощные высокочастотные транзисторы для линейных широкополосных усилителей
В. Т. Кленов, Ю. А. Кузнецов, В. Д Манагаров, Я. А. Федотов. Передающие телевизионные трубки с кремниевыми мишенями - кремниконы и суперкремниконы
В. Н. Данилин, А. А. Морозов, А. Ф. Трутко, А. Л. Филатов. Малошумящие тонкопленочные гибридные усилители ВЧ и СВЧ диапазона длин волн
В. В. Бачурин, В. С. Либермай, О. В. Сопов. Новый класс полупроводниковых приборов-мощные высокочастотные МДП-транзисторы
Н. 3. Шварц. Система нестандартных S-параметров Э. Р Караханян. О канонической форме записи выражений, описывающих вольт-амперные характеристики МДП- транзистора
Ю. Н. Миргородский, А. А. Руденко. Алгоритм численного решения нелинейного уравнения Пауссона в двумерной полупроводниковой структуре



