- Артикул:00-01112520
- Автор: под общ. А. А. Васенкова, Я. А. Федотова
- Тираж: 12500 экз.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Советское радио (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 288
- Формат: 84х108/32
- Год: 1978
- Вес: 494 г
Развернуть ▼
В настоящем выпуске представлены статьи отечественных авторов по следующим вопросам: проектирование, разработка, применение и перспективы развития приборов с зарядовой связью (ПЗС); разработка математических моделей, пригодных для машинного проектирования БИС; разработка, перспективы развития и параметры полупроводниковых ЗУ, мощных высоковольтных транзисторов, приборов для тепловой печати; исследование ряда дискретных приборов (биполярных и МОП-транзисторов, диодов Ганна и варакторов) и интегральных схем; устойчивость интегральных схем. Материалы по ПЗС отражают основное содержание докладов, сделанных авторами на I Всесоюзной конференции: «Теоретические основы и перспективы применения приборов с зарядовой связью». Статьи по ожеспектроскопии знакомят с новым перспективным методом исследования полупроводников и металлов.
Сборник предназначен для широкого круга специалистов, занимающихся разработкой, изготовлением и исследованием изделий электронной техники, микроэлектронной аппаратуры, применением полупроводниковых приборов и микросхем.
Содержание
Ф. П. Пресс, А. В. Вето. Состояние и перспективы развития приборов с зарядовой связью
М. А. Тришенков. Сравнительный анализ одноэлементных, матричных и мозаичных фотоприемников при приеме оптических сигналов точечных источников
Е. В. Авдеев, Ю. Н. Миргородский, В. И. Потапова, Л. Л. Руденко. Моделирование на ЭВМ характеристик ячейки трехтактного ПЗС с поверхностным переносом заряда
С. А. Левин, Ф. П. Пресс, Б. М Хотя нов, В. А. Шилин. Математическая модель ПЗС для машинного расчета интегральных схем
А. В. Вето, Ф. П. Пресс, Д. И. Рубинштейн, Б. М. Хотянов. В. А. Шилян. Анализ и оптимизация выходных схем ПЗС
А.С. Жеребцов, А. В. Зеленцов, Е. С. Любимов. Использование ионного легирования при изготовлении интегральных схем на основе приборов с зарядовой связью
В.И. Золотарев, В. М. Красовский, А. А. Лавренев, В. В. Ракитин, А. Г. Сафонов. Полупостоянные запоминающие устройства на ПЗС с МНОП-конденсаторами
Р. В. Смирнов. Проблемы и перспективы разработки запоминающих устройств на БИС
П. В. Демиденко, В. В. Палиенко, Д. С. Сержанович. Некоторые схемотехнические решения при проектировании БИС
Л. Н. Афонин, Е. 3. Мазель. Мощные высоковольтные транзисторы
В. Н. Кулешов, Б. Е. Лешуков, И. П. Бережняк А. В. Лучинин. Экспериментальное исследование характеристик шумов транзисторов КТ904А, КТ907А
Э. Р. Караханян. Электрические характеристики МДП транзистора, работающего в режиме плавающего потенциала на затворе
Р. С. Нахмансон и Я. О. Ройзин. Шумы в МОП-структурах, связанных с токами утечки
П. Т. Евсеенков. В. В. Мартынкин. Применение транзисторов КТ912А, Б в линейном широкополосном двухтактном каскаде усилителя мощности
Ю. В. 3авражнов. Г. Е. Кущев. Эквивалентный выход ной импеданс линейного транзисторного усилителя мощности
В. С. Беляков. Мощный толстопленочный гибридный усилитель постоянного тока
В. А. Горохов, В. С. Рыбаков, М. Б. Щедрин. Схемотехника распределителей-коммутаторов на основе цепочек инжекционных элементов с внутренней памятью
П. И. Овсищер, И. М. Лазер. В. Л. Шубарев. И. И. Лившиц, Ю. С. Крылов. Устойчивость микроэлектронных цифровых устройств к действию внутренних помех
В. И. Котиков, В. И. Морозов. Экспериментальное исследование импедансных характеристик активных структур диодов Ганна в режиме большого сигнала
А. С. Берлин. Метод измерения распределения примеси в приповерхностном слое полупроводниковой структуры варактора
Ю. В. Московский, Ю. В. Поликанов. Микроэлектронные приборы для тепловой печати
В. А. Скорик. В. И. Стафеев. Г. И. Фурсин. Исследование нейристоров на основе п-р-i-р-структур
Д. Г. Емельяненков, В. И. 3апорожченко, В. В. Канцель. Электронная ожеспектроскопия как метод исследования поверхности полупроводников и металлов
Рекомендуем
