- Артикул:00-01110604
- Автор: Ефимов И. Е., Горбунов Ю. И., Козырь И. Я.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Высшая школа (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 312
- Формат: 60х90 1/16
- Год: 1978
- Вес: 524 г
- Серия: Учебное пособие для ВУЗов (все товары серии)
Развернуть ▼
Пособие является второй частью книги "Микроэлектроника (физические и технологические основы, надежность)", выпущенной издательством "Высшая школа" в 1977 г. В ней рассматриваются вопросы проектирования биполярных и МДП-ИМС, гибридных ИМС и БИС, основные виды интегральных микросхем и новые направления развития микроэлектроники.
Содержание
Предисловие
Введение
Глава 1 Основные принципы проектирования полупроводниковых ИМС
§ 1.1. Особенности проектирования ИМС
§ 1.2. Методы статистического расчета ИМС
§ 1.3. Этапы проектирования и разработки топологии ИМС
§ 1.4. Построение примесных профилей при высокой концентрации диффундирующих атомов
§ 1.5. Распределение атомов примеси при двустадийном диффузионном процессе
§ 1.6. Определение основных технико-экономических показателей ИМС
Глава 2. Проектирование полупроводниковых ИМС на биполярных транзисторах
§ 2.1. Технологические методы изготовления полупроводниковых ИМС
§ 2.2. Структура и методы проектирования транзистора полупроводниковой ИМС
§ 2.3. Структура и методы проектирования диода полупроводниковой ИМС
§ 2.4. Расчет и проектирование диффузионных резисторов полупроводниковой ИМС
§ 2.5. Расчет и проектирование конденсаторов полупроводниковой ИМС
§ 2.6. Общие принципы разработки топологии полупроводниковой ИМС
§ 2.7. Практические примеры разработки топологии
§ 2.8. Основные принципы проектирования полупроводниковых ИМС на биполярных транзисторах
Глава 3. Проектирование МДП-ИМС
§ 3.1. Сравнительная оценка полупроводниковых ИМС на биполярных и МДП-транзисторах
§ 3.2. Принципы работы и конструктивные особенности МДП-транзистора
§ 3.3. Приборы с зарядовой связью
§ 3.4. Основные принципы изготовления МДП-структур
§ 3.5. Проектирование и изготовление МДП-ИМС на комплементарных транзисторах
§ 3.6. Примеры инженерного проектирования МДП-ИМС
Глава 4. Проектирование гибридных ИМС
§ 4.1. Этапы разработки и особенности проектирования гибридных ИМС
§ 4.2. Определение функциональной сложности гибридных ИМС
§ 4.3. Методика проектирования оптимальной структуры гибридных ИМС
§ 4.4. Исходные данные для проектирования гибридных ИМС
§ 4.5. Расчет и проектирование пленочных элементов
§ 4.6. Принципы практического проектирования и компоновки топологической структуры гибридных ИМС
§ 4.7. Разработка топологии и конструкции гибридных ИМС
Глава 5. Проектирование БИС
§ 5.1. Особенности проектирования БИС
§ 5.2. Ограничения и проблемы при проектировании БИС
§ 5.3. Основные этапы расчета и проектирования БИС
§ 5.4. Роль и функции ЭВМ при проектировании БИС
§ 5.5. Определение функционального состава БИС
§ 5.6. Проектирование топологии БИС
§ 5.7. Автоматизированная система проектирования БИС
Глава 6. Основные виды ИМС
§ 6.1. Классификация и система обозначений ИМС
§ 6.2. Основные типы цифровых ИМС на биполярных транзисторах
§ 6.3. Схемотехническая реализация основных логических функций ИМС
§ 6.4. Микромощные логические ИМС
§ 6.5. Логические ИМС на МДП-транзисторах
§ 6.6. Тенденции развития цифровых ИМС
§ 6.7. Основные типы аналоговых (линейных) ИМС
§ 6.8. Усилители на ИМС
§ 6.9. Примеры БИС
Глава 7. ИМС диапазона СВЧ
§ 7.1. Основные определения и методы интеграции
§ 7.2. Элементы СВЧ-ИМС
§ 7.3. Подложки СВЧ-ИМС
§ 7.4. Микрополосковые линии передачи СВЧ-ИМС
§ 7.5. Пассивные элементы с сосредоточенными параметрами для СВЧ-ИМС
§ 7.6. Активные элементы для СВЧ-ИМС
§ 7.7. Некоторые вопросы конструирования СВЧ-ИМС
§ 7.8. Характеристики некоторых типов СВЧ-ИМС и их дальнейшее развитие
Глава 8. Новые направления развития микроэлектроники
§ 8.1. Функциональная микроэлектроника
§ 8.2. Оптоэлектроника
§ 8.3. Акустоэлектроника
§ 8.4. Магнетоэлектроника
§ 8.5. Приборы на эффекте Ганна
§ 8.6. Диэлектрическая электроника
§ 8.7. Криоэлектроника
§ 8.8. Хемотроника
§ 8.9. Биоэлектроника
§ 8.10. Прогноз развития микроэлектроники
Литература
Рекомендуем
