- Артикул:00-01115040
- Автор: Д. Б. Кучер
- ISBN: 5-87314-162-2
- Тираж: 1000 экз.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Ахтиар (все книги издательства)
- Город: Севастополь
- Страниц: 188
- Формат: 60х90/16
- Год: 1997
- Вес: 312 г
В книге рассматриваются основные виды мощных электромагнитных излучений, их влияние на радиоэлектронную аппаратуру и особенности создания и применения быстродействующих сверхпроводящих защитных устройств. Монография предназначена для инженеров и научных сотрудников работающих в области технического применения высокотемпературной сверхпроводимости.
Содержание
Введение
1. Влияние мощных электромагнитных излучений на радиоэлектронную аппаратуру и основные способы осуществления защиты
1.1. Мощные электромагнитные излучения и их источники
1.1.1. Грозовые
1.1.2. Мощные радиопередающие средства
1.1.3. Электромагнитный импульс ядерного взрыва
1.1.4. Сверхмощные ультракороткие электромагнитные импульсы
1.2. Влияние мощных электромагнитных излучений на радиоэлектронную аппаратуру
1.2.1. Воздействие мощных электромагнитных излучений на полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы
1.2.2. Воздействие мощных электромагнитных излучений на радиокомпоненты
1.2.3. Эффекты в типовых схемах и возможные виды отказов в аппаратуре при воздействии мощных электромагнитных излучений
1.3. Конструкционные методы защиты радиоэлектронной аппаратуры от мощных электромагнитных излучений
1.4. Особенности защиты радиоэлектронной аппаратуры от проникновения мощных электромагнитных излучений через антенно-фидерные устройства
1.4.1. Воздействие мощных электромагнитных излучений на антенно-фидерные устройства
1.4.2. Возможности осуществления защиты радиоэлектронной аппаратуры от проникновения мощных электромагнитных излучений через антенно-фидерные устройства
2. Особенности применения высокотемпературных сверхпроводников для создания защитного устройства
2.1. Основные свойства высокотемпературных сверхпроводников
2.1.1. Критическая температура
2.1.2. Критический ток
2.2. Распространение электромагнитной волны по поверхности сверхпроводящей полоски
2.3. Поверхностный импеданс тонкой пленки
2.4. Фазовый переход из сверхпроводящего в нормальное состояние в ВТСП - пленке
2.4.1. Возможные механизмы разрушения сверхпроводящего состояния
2.4.2. Скорость фазового S N перехода
2.5. Эффективность защитного устройства на основе сверхпроводящей полоски
3. Варианты конструктивного исполнения защитного устройства на основе ВТСП
3.1. Сверхпроводящее защитное устройство на основе микро- полосковой линии передачи
3.2. Сверхпроводящее защитное устройство на основе компланарной передачи
3.3 Влияния ВТСП-защитного устройства на аппаратуру в рабочем режиме
3.3.1. Распределение напряжений и токов в экранированном симметричном фидере с учетом включения ВТСП-защитного устройства в сверхпроводящем состоянии
3.3.2. Распределение напряжений и токов в экранированном симметричном фидере с учетом включения ВТСП-защитного устройства в несверхпроводящем состоянии
4. Технология изготовления сверхпроводящих защитных устройств
4.1. Выбор материала подложек и промежуточных (буферных) слоев
4.2. Пути снижения взаимодействия между материалом подложки и ВТСП-пленкой
4.3. Сопоставление методов осаждения ВТСП-пленок
4.4. Специфика осаждения ВТСП-пленок с помощью магнетронных распылительных систем
4.5. Снижение температурного воздействия в процессе отжига ВТСП-пленок
4.6. Микроструктурирование ВТСП-пленок
4.7. Низкоомные контакты к пленкам ВТСП
Заключение
Список литературы



