- Артикул:00-01055755
- Автор: И.Е. Ефимов, И.Я. Козырь
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Высшая школа (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 384
- Формат: 84х108 1/32
- Год: 1983
- Вес: 555 г
- Серия: Учебник для ВУЗов (все книги серии)
Развернуть ▼
В книге изложены основные направления развития микроэлектроники; рассмотрены физические основы, конструкция, технология, структурные элементы и аспекты проектирования интегральных микросхем (ИМС) и больших интегральных схем (БИС). Во втором издании (первое вышло в 1975 г.) рассмотрены новые технологические процессы, структурные элементы и схемотехнические решения, машинные методы проектирования и изготовления.
Содержание
Предисловие
Введение
Глава 1. Основные положения микроэлектроники и направления ее развития
§ 1.1. Этапы миниатюризации и микроминиатюризации элементов электронной аппаратуры
§ 1.2. Общая характеристика микроэлектроники
§ 1.3. История развития микроэлектроники
§ 1.4. Изделия микроэлектроники и классификация интегральных микросхем
§ 1.5. Система обозначений интегральных микросхем
Глава 2. Физические принципы работы и создания интегральных микросхем
§ 2.1. Явления, процессы и методы, используемые в интегральной микроэлектронике
§ 2.2. Общая характеристика явлений и процессов, определяющих функционирование ИМС
§ 2.3. Базовые физико-химические методы создания микроэлектронных структур
Глава 3. Полупроводниковые интегральные микросхемы
§ 3.1. Типовые конструкции и структура полупроводниковых ИМС
§ 3.2. Биполярные транзисторы
§ 3.3. МДП-транзисторы
§ 3.4. Диоды
§ 3.5. Полупроводниковые резисторы
§ 3.6. Полупроводниковые конденсаторы
§ 3.7. Технология изготовления биполярных ИМС
§ 3.8. Технология изготовления МДП-ИМС
§ 3.9. Сборка и герметизация полупроводниковых ИМС
§ 3.10. Этапы разработки и проектирования полупроводниковых ИМС
Глава 4. Гибридные интегральные микросхемы
§ 4.1. Конструкция гибридных ИМС
§ 4.2. Элементы толстопленочных гибридных ИМС
§ 4.3. Методы получения тонких пленок
§ 4.4. Подложки для гибридных ИМС
§ 4.5. Пленочные резисторы
§ 4.6. Пленочные конденсаторы
§ 4.7. Индуктивные элементы в пленочных ИМС
§ 4.8. Пленочные проводники и контактные площадки
§ 4.9. Межслойная изоляция
§ 4.10. Методы получения различных конфигураций пассивных элементов гибридных ИМС
§ 4.11. Навесные компоненты гибридных ИМС
§ 4.12. Корпусы для гибридных ИМС
§ 4.13. Основные принципы разработки и этапы проектирования гибридных ИМС
§ 4.14. Исходные данные для проектирования гибридных ИМС
§ 4.15. Проектирование топологии и конструкции гибридных ИМС
Глава 5. Большие интегральные схемы
§ 5.1. Общая характеристика и основные параметры БИС
§ 5.2. Классификация и области применения БИС
§ 5.3. Элементная база БИС
§ 5.4. Конструкция и технология изготовления полупроводниковых БИС
§ 5.5. Конструкция и технология изготовления гибридных БИС
§ 5.6. Особенности и основные этапы проектирования БИС
Глава 6. Основы микросхемотехники и интегральные микросхемы для аппаратуры связи
§ 6.1. Схемотехнические особенности ИМС
§ 6.2. Основные типы цифровых ИМС на биполярных транзисторах
§ 6.3. Схемотехническая реализация основных логических функций ИМС
§ 6.4. Микромощные логические ИМС
§ 6.5. Логические ИМС на МДП-транзисторах
§ 6.6. Тенденции развития цифровых ИМС
§ 6.7. Основные типы аналоговых (линейных) ИМС
§ 6.8. Интегральные микросхемы для аппаратуры связи
§ 6.9. Микропроцессоры
§ 6.10. Интегральные микросхемы СВЧ-диапазона
Глава 7. Качество, надежность и применение интегральных микросхем
§ 7.1. Основные понятия теории качества
§ 7.2. Основные понятия теории надежности
§ 7.3. Методы контроля качества и оценки надежности ИМС
§ 7.4. Категории и виды испытаний ИМС
§ 7.5. Стоимость ИМС и БИС
§ 7.6. Пути повышения качества и надежности ИМС
§ 7.7. Основы применения ИМС и БИС
Глава 8. Функциональная микроэлектроника
§ 8.1. Основные направления развития функциональной микроэлектроники
§ 8.2. Оптоэлектроника
§ 8.3. Акустоэлектроника
§ 8.4. Диэлектрическая электроника
§ 8.5. Хемотроника
§ 8.6. Биоэлектроника
§ 8.7. Дальнейшее развитие микроэлектроники
Литература
Рекомендуем
