- Артикул:00-01108898
- Автор: Овечкин Ю.А.
- Обложка: Мягкая обложка
- Издательство: Высшая школа (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 303
- Формат: 60х90 1/16
- Год: 1986
- Вес: 381 г
Развернуть ▼
В книге рассмотрены принципы работы, устройство, основные параметры и технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. 3-е издание (2-е - 1979 г.) переработано с учетом последних достижений в области физики, химии и технологии изготовления полупроводниковых приборов; в него включены материалы по микросборкам, новым полупроводниковым приборам и микросхемам.
Содержание
Предисловие
Введение
Глава 1. Полупроводники и их физические свойства
§ 1.1. Собственный полупроводник
§ 1.2. Примесный полупроводник
§ 1.3. Диффузионный ток в полупроводниках
Глава 2. Электронно-дырочный переход
§ 2.1. Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода
§ 2.2. Инжекция неосновных носителей заряда. Диффузионная емкость
§ 2.3. Зарядная емкость р-п-перехода
§ 2.4. Пробой р-и-перехода
§ 2.5. Контакт металл - полупроводник. Переход Шоттки
Глава 3. Полупроводниковые диоды
§ 3.1. Устройство полупроводниковых диодов
§ 3.2. Основные характеристики и параметры диодов
§ 3.3. Выпрямительные диоды
§ 3.4. Импульсные диоды
§ 3.5. Высокочастотные диоды
§ 3.6. Детекторные СВЧ-диоды
§ 3.7. Смесительные СВЧ-диоды
§ 3.8. Переключательные СВЧ-диоды
§ 3.9. Стабилитроны
§ 3.10. Варикапы
§ 3.11. Туннельные диоды
§ 3.12. Обращенные диоды
§ 3.13. Лавинно-пролетные диоды
§ 3.14. Диоды Ганна
Глава 4. Биполярные транзисторы
§ 4.1. Устройство и принцип действия биполярных транзисторов
§ 4.2. Схемы включения транзисторов
§ 4.3. Статические характеристики транзисторов
§ 4.4. Рабочий режим транзисторов
§ 4.5. Эквивалентные схемы транзисторов
§ 4.6. Частотные свойства транзисторов
§ 4.7. Импульсные свойства транзисторов
§ 4.8. Параметры предельных режимов работы транзистора и влияние температуры на его параметры
§ 4.9. Основные типы транзисторов
§ 4.10. Высокочастотные и сверхвысокочастотные транзисторы
§ 4.11. Высоковольтные транзисторы
§ 4.12. Мощные транзисторы
§ 4.13. Лавинные транзисторы
§ 4.14. Однопереходные транзисторы
Глава 5. Тиристоры
§ 5.1. Принцип работы тиристора
§ 5.2. Параметры тиристоров
§ 5.3. Конструирование и изготовление тиристоров
§ 5.4. Симметричный триодный тиристор
Глава 6. Полевые транзисторы
§ 6.1. Принцип действия полевого транзистора
§ 6.2. Эквивалентная схема, параметры и характеристики полевых транзисторов
§ 6.3. Конструкции полевых транзисторов
Глава 7. Варисторы
Глава 8. Термоэлектрические полупроводниковые приборы
§ 8.1. Термоэлектрогенераторы
§ 8.2. Термоэлектрические батареи
§ 8.3. Терморезисторы
§ 8.4. Полупроводниковые болометры
Глава 9. Элементы оптоэлектроники
§ 9.1. Полупроводниковые фотоэлектрические приемники излучения. Фоторезисторы
§ 9.2. Фотогальванические приемники излучения
§ 9.3. Фотодиоды
§ 9.4. Фототранзисторы
§ 9.5. Фототиристоры
§ 9.6. Светоизлучающие диоды
§ 9.7. Оптроны
Глава 10. Магнитоэлектрические полупроводниковые приборы
§ 10.1. Датчики Холла
§ 10.2. Магниторезисторы
§ 10.3. Магнитодиоды
Глава 11. Полупроводниковые тензометры
§ 11.1. Тензорезисторы
§ 11.2. Тензодиоды
§ 11.3. Тензотранзисторы
§ 11.4. Тензотиристоры
Глава 12. Интегральные микросхемы
§ 12.1. Общие сведения
§ 12.2. Полупроводниковые интегральные микросхемы
§ 12.3. Гибридные интегральные микросхемы
§ 12.4. Совмещенные интегральные микросхемы
§ 12.5. Большие интегральные микросхемы
§ 12.6. Функциональная электроника
Глава 13. Надежность полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
§ 13.1. Надежность полупроводниковых приборов
§ 13.2. Надежность микросхем
Заключение
Приложение
Литература
Условные обозначения основных физических величин, принятые в книге
Предметный указатель
Рекомендуем
