Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов. - купить книгу в интернет-магазине CentrMag по лучшим ценам! (00-01123796)

Описание Отзывы

Развернуть ▼

В книге рассмотрено применение низкотемпературной (в том числе химически активной) плазмы для реализации ионных, ионно-химических и плазмохимических процессов травления и очистки материалов. Приведены методики выбора состава рабочего газа для травления и очистки конкретных материалов, а также основные конструкции систем для реализации этих процессов. Исследовано влияние операционных и конструктивных параметров на характеристики процессов травления и очистки материалов. Рассмотрены способы обеспечения вакуумно-технических требований при проведении этих процессов и методы их контроля.
Для инженеров-технологов и научных работников, использующих в своей практической работе очистку и травление материалов с помощью низкотемпературной плазмы. Может быть полезна также студентам старших курсов, аспирантам и преподавателям вузов.

Содержание
Предисловие
Наиболее часто используемые сокращения
Глава первая. Низкотемпературная неравновесная плазма как среда и активатор для проведения физико-химических процессов обработки материалов
1.1. Плазма: определения, свойства, процессы, классификация
1.2. Физико-химические процессы в низкотемпературной газоразрядной плазме
1.3. Классификация процессов травления и очистки материалов с использованием низкотемпературной газоразрядной плазмы
Глава вторая. Рабочие газы для процессов травления и очистки
2.1. Генерация химически активных частиц в газоразрядной плазме
2.2. Требования к рабочим газам
2.3. Номенклатура рабочих газов
2.4. Выбор рабочего газа
2.5. Влияние вакуумно-технических параметров на процесс травления материалов
2.6. Влияние контролируемых газовых добавок на процесс травления материалов
2.7. Влияние неконтролируемых газовых добавок на процесс травления материалов
Глава третья. Обеспечение вакуумно-технических параметров в установках для очистки и травления материалов
3.1. Требования к откачным средствам
3.2. Влияние соединительных трубопроводов на быстроту действия насосов
3.3. Механические насосы с масляным уплотнением
3.4. Средства защиты вакуумных насосов
3.5. Двухроторные насосы без масляного уплотнения
3.6. Диффузионные паромасляные насосы
3.7. Турбомолекулярные насосы
3.8. Крионасосы
3.9. Откачные системы
3.10. Измерение давления и газового потока
3.11. Обеспечение стабильности и воспроизводимости процесса травления
Глава четвертая. Ионно-плазменное травление
4.1. Механизм
4.2. Системы
4.3. Скорость
4.4. Селективность
4.5. Анизотропия
4.6. Равномерность
4.7. Влияние на обрабатываемые структуры
4.8. Тенденции развития
Глава пятая. Ионно-лучевое травление
5.1. Механизм
5.2. Системы
5.3. Скорость
5.4. Селективность
5.5. Анизотропия
5.6. Равномерность
5.7. Влияние на обрабатываемые структуры
5.8. Тенденции развития
Глава шестая. Радикальное травление
6.1. Механизм
6.2. Системы
6.3. Скорость
6.4. Селективность
6.5. Анизотропия
6.6. Равномерность
6.7. Влияние на обрабатываемые структуры
6.8. Тенденции развития
Глава седьмая. Плазменное травление
7.1. Механизм
7.2. Системы
7.3. Скорость
7.4. Селективность
7.5. Анизотропия
7.6. Равномерность
7.7. Влияние на обрабатываемые структуры
7.8. Тенденции развития
Глава восьмая. Реактивное ионно-плазменное травление
8.1. Механизм
8.2. Системы
8.3. Скорость
8.4. Селективность
8.5. Анизотропия
8.6. Равномерность
8.7. Влияние на обрабатываемые структуры
8.8. Тенденции развития
Глава девятая. Реактивное ионно-лучевое травление
9.1. Механизм
9.2. Системы
9.3. Скорость
9.4. Селективность
9.5. Анизотропия
9.6. Равномерность
9.7. Влияние на обрабатываемые структуры
9.8. Тенденции развития
Глава десятая. Радиационно-стимулированное травление
10.1. Классификация процессов радиационно-стимулированного травления
10.2. Механизм радиационно-стимулированного травления
10.3. Фотонно-стимулированное травление
10.4. Электронно-стимулированное травление
10.5. Ионно-стимулированное травление
Глава одиннадцатая. Измерение скорости травления и регистрация момента окончания процесса травления
11.1. Согласование ВЧ-генератора с системой травления и контроль ВЧ-напряжения
11.2. Требования к приборам для регистрации окончания травления
11.3. Резистивный метод и метод кварцевого резонатора (кварцевых микровесов)
11.4. Методы контроля электрофизических параметров плазмы
11.5. Метод оже-электронной спектроскопии
11.6. Масс-спектрометрический метод
11.7. Эмиссионно-спектральный метод
11.8. Фотометрический и интерференционный методы
11.9. Автоматизация процесса травления
11.10. Заключительные замечания
Глава двенадцатая. Перспективы развития процессов вакуумно- плазменного травления
12.1. Влияние интегральной электроники на развитие процессов вакуумно-плазменного травления
12.2. Критерии прогрессивности технологических процессов
12.3. Перспективы применения сфокусированных ионных пучков и фотонно-стимулированных процессов травления
12.4. Принципы построения гибкого автоматизированного производства
12.5. Технология изготовления интегральных схем на пороге нового тысячелетия
Список литературы

5.0

★ ★ ★ ★ ★

0 отзывов

Пока нет отзывов. Будьте первым, кто оставит отзыв.