- Артикул:00-01033503
- Автор: Придорогин В.М.
- Обложка: Мягкий переплет
- Издательство: Энергия (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 161
- Формат: 84х108 1/32
- Год: 1976
- Вес: 230 г
- Серия: Библиотека по радиоэлектронике (все книги серии)
Развернуть ▼
Книга посвящена анализу различных шумовых характеристик биполярных транзисторов в диапазоне звуковых частот, оценке конкретных источников шума, наблюдаемых в современных транзисторах, прежде всего кремниевых планарных, определению условий оптимизации собственных шумов транзисторов в различных случаях, в том чипе и при изменении температуры и воздействии радиации. Подробно рассмотрены зависимости коэффициента шума от сопротивления источника сигнала, режима смещения транзистора, частоты. Обсуждаются особенности кремниевых пленарных транзисторов и их характеристики в области малых смещений. Рассмотрен ряд вопросов, связанных с оценкой качества биполярных транзисторов по их низкочастотным шумам.
Книга рассчитана на широкий круг инженерно-технических работников, занимающихся разработкой транзисторной аппаратуры, и специалистов в области разработки и производства транзисторов.
Оглавление
Предисловие
Глава первая. Эквивалентные шумовые параметры е2 и i2 транзисторов
1. Источники шумов в транзисторах. Общая характеристика
2. Коэффициент шума. Эквивалентные шумовые напряжение и ток
3. Связь параметров е2 и i2 с источниками шумов в области белого спектра
4. Расчет эквивалентного шумового напряжения и эквивалентного шумового тока в области шума типа lf
5. Связь шумовых характеристик с параметрами транзистора и режимом смещения
6. Выбор условий согласования с помощью эквивалентных шумовых напряжения и тока
7. Методы измерения параметров е2 и i2
Глава вторая. Особенности шумовых свойств кремниевых планарных транзисторов
8. Особенности кремниевых планарных транзисторов, определяющие их шумовые свойства
9. Источники шумов в кремниевых планарных транзисторах на низких частотах
10. Шумовые свойства в микрорежиме
11. Физические предпосылки методов снижения шумов транзисторов
12. Сравнение с шумовыми свойствами других транзисторов
Глава третья. Зависимость шумовых характеристик транзисторов от температуры и радиации
13. Источники шума в области повышенных температур
14. Причины возрастания шума при отрицательных температурах
15. Поведение шумовых и усилительных параметров при изменении температуры
16. Влияние ионизирующей радиации на низкочастотные шумы
Глава четвертая Низкочастотные шумы и дефекты в транзисторах
17. Применение шумовых параметров к оценке качества транзисторов. Общие соображения
18. Измерение шумов для оценки состояния поверхности транзисторов
19. Выявление шумов, связанных с дефектами контактов и объема полупроводника
20. Шумы как средство оценки устойчивости транзисторов к температурным и механическим нагрузкам
Глава пятая. Условия минимизации коэффициента шума транзисторов
21. Частотная характеристика коэффициента шума
22. Выбор сопротивления источника сигнала
23. Зависимость коэффициента шума от режима смещения
24. Выбор режима смещения для диапазона температур
Список литературы
Рекомендуем
