- Артикул:00-01114499
- Автор: С. В. Свечников, В. В. Химинец, Н. И. Довгошей
- ISBN: 5-12-002362-2
- Тираж: 270 экз.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Наукова Думка (все книги издательства)
- Город: Киев
- Страниц: 296
- Формат: 60х90/16
- Год: 1992
- Вес: 504 г
Развернуть ▼
В книге рассмотрены физико-технологические основы некристаллического материаловедения, получения монолитных стекол и тонких пленок на их основе, структурообразования и химического взаимодействия в сложных халькогенидных и халькогалогенидных системах. Изложены основные физико-химические, оптические и электрофизические параметры и свойства стеклообразных полупроводников сложного состава в объемном и тонкопленочном исполнении, их зависимости от температуры, электромагнитного поля, высокоэнергетического электронного и лазерного облучения. Освещены прикладные аспекты использования стеклообразных полупроводников в оптоэлектронике и интегральной оптике в качестве оптических материалов, материалов для оптической и электрической записи, обработки и хранения информации, активных элементов акустооптических устройств, защитных просветляющих, отражающих и антиотражающих покрытий, иммерсионных сред, интерференционных фильтров и поляризаторов ИК излучения.
Для научных, инженерно-технических работников, преподавателей, аспирантов и студентов старших курсов, интересующихся вопросами материаловедения, физики и особенностей применения некристаллических полупроводников.
Содержание
Предисловие
1. Взаимодействие и стеклообразование в халькогенидных и халькогалогенидных системах
1.1. Диаграммы состояния и особенности стеклообразования в системах As - BVI
1.1.1. Система As - S.
1.1.2. Система As - Se.
1.1.3. Система As -Те
1.2. Смешанные системы
1.3. Стеклообразование в системах As - BVI - I
1.3.1. Система As - S - I. 1.3.2. Система As - Se - I
1.3.2. 1.3.3. Система As - Те - I
1.3.4. Особенности процессов стеклообразования в системах As - BVI - I
1.4. Стеклообразование в сложных халькогенидных системах
1.4.1. Синтез сплавов
1.4.2. Процессы взаимодействия и стеклообразования
1.5. Термодинамические характеристики халькогенидов мышьяка
1.5.1. Соединения As.B3v1
1.5.2. Соединения As2B2VI
2. Строение кристаллических и стеклообразных халькогенидов мышьяка
2.1. Структура кристаллических соединений
2.1.1. Соединения системы As - S
2.1.2. Соединения системы As - Se
2.1.3. Соединения системы As - Те
2.2. Строение стеклообразных соединений
2.3. Строение нестехиометрических стеклообразных сплавов системы As -S
2.4. Колебательные спектры стеклообразных сплавов системы As-S-I
2.5. Комбинационное рассеяние и длинноволновые ИК спектры стекол системы Ge - As - S - I
2.6. Колебательные спектры стекол системы As - Se
2.7. Колебательные спектры стекол системы As - Se - I
3. Физико-химические свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников
3.1. Механические и термические свойства
3.2. Оптические свойства
3.3. Электрофизические свойства
3.4. Влияние условий получения стекол на их физико-химические свойства
3.4.1. Физические свойства и строение стеклообразного соединения As2S3
3.4.2. Влияние условий синтеза на строение и свойства стеклообразных сплавов нестехиометрического состава
4. Процессы испарения халькогенидов и халькогалогенидов сложного состава и получение их пленок
4.1. Процессы испарения халькогенидов и халькогалогенидов сложного состава
4.2. .Методы и технологические условия получения пленок некристаллических материалов с заданными составом и структурой
5. Формирование аморфных пленок халькогенидов и халькогалогенидов сложного состава
5.1. Процессы образования аморфных пленок типов Av- BVI - CVI1 и Me - DIV - BVI
5.2. Процессы образования аморфных конденсатов полупроводников типа Cd4GeSe
5.3. Структура аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников Ge - As (Sb) - S (Se) и Ge - As (Sb) - S (Se) - I
6. Физические свойства пленок некристаллических халькогенидов и халькогалогенидов сложного состава
6.1. Механизм переноса носителей заряда в аморфных пленках Ge As (Sb) - Se
6.2. Взаимосвязь структурных неоднородностей и явлений переноса в стеклах и аморфных пленках DIV - Av - BVI и Me - Av - BVI - CVII
6.3. Исследование спектра локализованных состояний в пленках Ge (As)- Sb - S - I
6.4. Сопоставление оптических свойств вакуумных конденсатов и массивных стекол As2S3 - GeS2, As2Se3 - GeSe2, GeS, - AsSI и GeSe2- AsSI
6.5. Некоторые сведения об адгезии и механических свойствах аморфных пленок халькогенидов сложного состава
7. Влияние высокоэнергетического электронного облучения на физические свойства стекол Ge - Sb (As) - Se и пленочных структур на их основе
7.1. Методика эксперимента и расчет концентрации радиационных дефектов, образующихся в стеклах и пленках типа Ge -0 As - Se
7.2. Влияние ВЭО на структуру и химический состав аморфных пленок и стекол системы Ge - As (Sb) - Se
7.3. Влияние ВЭО на электрофизические свойства и энергетический спектр локализованных состояний в аморфных слоях системы Ge - Sb - Se
7.4. Влияние ВЭО на основные оптические характеристики структуры пленка - подложка
8. Практическое применение стеклообразных халькогенидов мышьяка
8.1. Стеклообразные материалы для оптического приборостроения
8.2. Стеклообразные материалы для электрической памяти
8.3. Стеклообразные материалы для оптической обработки информации
8.4. Стеклообразные материалы для оптической герметизации светоизлучающих диодов и полупроводниковых приборов
8.4.1. Стеклообразные материалы для защиты р -n-переходов и интегральных схем
8.4.2. Стеклообразные материалы для оптической герметизации светоизлучающих диодов
8.5. Стеклообразные материалы для элементов волоконной оптики
8.5.1. Интерференционные фильтры и диэлектрические зеркала
8.5.2. Волоконные световоды и волноводы И К диапазона
8.5.3. Волоконно-оптические датчики физических величин
9. Применение пленок халькогенидов сложного состава в опто- и микро-электронике
9.1. Применение аморфных пленок сложных халькогенидов для защиты и гетернирования р - л-переходов и элементов микроэлектроники
9.2. Использование аморфных пленок сложных халькогенидов для создания защитных просветляющих покрытий к оптическим элементам
9.2.1. Защитные покрытия к гигроскопическим оптическим элементам
9.2.2. Антиотражающие покрытия для электрооптических элементов из кристаллов KHP04, GaAs и CdTe
9.2.3. Просветляющие покрытия к элементам оптоэлектроники
9.3. Отражающие многослойные системы на основе стеклообразных халькогенидов для ИК лазеров
9.4. Использование слоев халькогенидов для улучшения светопередачи в оптронах
9.5. Контрастирующие и антибликовые покрытия на основе ХСП для плоских устройств отображения информации
9.6. Лучестойкие интерференционные поляризаторы на основе широкозонных ХСП
9.7. Использование пленок ХСП в интегральной оптике
Список литературы
Рекомендуем
