- Артикул:00-01106938
- Автор: Гершунский Б. С., Романовская А. В., Ващенко Н. М., Власенко В. В.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Вища школа (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 352
- Формат: 60х90 1/16
- Год: 1974
- Вес: 516 г
Развернуть ▼
Репринтное издание
В доступной форме излагаются физические основы работы, принципы действия, схемные построения и технические показатели наиболее типичных и распространенных электронных приборов и узлов.
Справочник носит учебный характер и рассчитан на широкий круг читателей, желающих получить первоначальные сведения, расширить и систематизировать свои знания в области современной электроники - инженерно-технических работников, не имеющих специального образования по электронике, но по роду своей деятельности сталкивающихся с вопросами электронной техники, студентов вузов, специализирующихся, главным образом, по смежным с электроникой специальностям, учащихся техникумов и профессионально-технических училищ радиотехнического и электронного профиля, слушателей курсов повышения квалификации, а также подготовленных радиолюбителей.
Содержание
Предисловие
Раздел I. Электронные явления
Глава 1. Электронная эмиссия
§ 1-1. Электроны в атоме
§ 1-2. Работа выхода
§ 1-3. Термоэлектронная эмиссия
§ 1-4. Фотоэлектронная эмиссия
§ 1-5. Вторичная электронная эмиссия
§ 1-6. Электростатическая эмиссия
Глава 2. Движение электронов в электрических и магнитных полях
§ 2-1. Электрон в электрическом поле
§ 2-2. Электрон в магнитном поле
Глава 3. Электрический разряд в газе
§ 3-1. Основные явления электрического разряда в газе
§ 3-2. Вольт-амперная характеристика газового разряда
§ 3-3. Характеристика основных видов газового разряда
Глава 4. Электропроводность полупроводников
§ 4-1. Основные особенности полупроводниковых материалов
§ 4-2. Собственная проводимость полупроводника
§ 4-3. Примесная проводимость полупроводника
§ 4-4. Подвижность носителей заряда
§ 4-5. Температурная зависимость проводимости полупроводников
§ 4-6. Рекомбинационные процессы в полупроводниках
§ 4-7. Электропроводность полупроводников в сильных электрических полях. Эффект Ганна
§ 4-8. Фотопроводимость (внутренний фотоэффект)
§ 4-9. Тензорезистивный эффект
§ 4-10. Термоэлектрические явления
§ 4-11. Гальваномагнитные явления
Глава 5. Электронно-дырочный переход
§ 5-1. Образование р-n-перехода
§ 5-2. Вольт-амперная характеристика р- n-перехода
§ 5-3. Температурные и частотные свойства р-п-перехода
§ 5-4. Туннельный эффект
§ 5-5. Фотогальванический эффект
Раздел II. Электровакуумные и ионные приборы
Глава 6. Электронные лампы
§ 6-1. Классификация и система обозначений
§ 6-2. Диоды
§ 6-3. Триоды
§ 6-4. Тетроды
§ 6-5. Лучевые тетроды
§ 6-6. Пентоды
§ 6-7. Специальные лампы
Глава 7. Электроннолучевые трубки
§ 7-1. Классификация и система обозначений
§ 7-2. Осциллографические трубки
§ 7-3. Индикаторные трубки
§ 7-4. Кинескопы
§ 7-5. Запоминающие трубки
§ 7-6. Передающие телевизионные трубки
Глава 8. Ионные приборы
§ 8-1. Классификация и система обозначений
§ 8-2. Неоновые лампы
§ 8-3. Стабилитроны
§ 8-4. Тиратроны тлеющего разряда
§ 8-5. Декатроны
§ 8-6. Цифровые индикаторные лампы
§ 8-7. Ионные разрядники
§ 8-8. Газотроны
§ 8-9. Тиратроны с накаленным катодом
Глава 9. Фотоэлементы с внешним фотоэффектом и фотоэлектронные умножители
§ 9-1. Классификация и система обозначений
§ 9-2. Вакуумные и газонаполненные фотоэлементы'
§ 9-3. Фотоэлектронные умножители (ФЭУ)
Раздел III. Полупроводниковые приборы
Глава 10. Полупроводниковые резисторы
§ 10-1. Классификация и система обозначений
§ 10-2. Терморезисторы с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления
§ 10-3. Позисторы
§ 10-4. Фоторезисторы
§ 10-5. Варисторы
Глава И. Полупроводниковые диоды
§ 11-1. Классификация и система обозначений
§ 11-2. Выпрямительные диоды
§ 11-3. Стабилитроны
§ 11-4. Высокочастотные диоды
§ 11-5. Импульсные диоды
§ 11-6. Сверхвысокочастотные диоды
§ 11-7. Варикапы
§ 11-8. Туннельные диоды
§ 11-9. Динисторы и тиристоры
§ 11 -10. Фотодиоды
Глава 12. Транзисторы
§ 12-1. Классификация и система обозначений
§ 12-2. Конструкция
§ 12-3. Принцип работы
§ 12-4. Схемы включения
§ 12-5. Характеристики
§ 12-6. Эквивалентные схемы и параметры
§ 12-7. Применение
§ 12-8. Полевые транзисторы
§ 12-9. Однопереходный транзистор (двухбазовый диод)
§ 12-10. Фототранзистор
Глава 13. Основы микроэлектроники
§ 13-1. Основные направления в микроэлектронике
§ 13-2. Микромодули
§ 13-3. Пленочные интегральные микросхемы
§ 13-4. Полупроводниковые (твердые) интегральные схемы
§ 13-5. Функциональные устройства
Литература
Рекомендуем
Артикул 00204639
