- Артикул:00-01106942
- Автор: под ред. Ллойда П. Хантера
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Машиностроение (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 508
- Формат: 60х90 1/16
- Год: 1975
Развернуть ▼
Репринтное издание
В справочнике изложены вопросы проектирования электронных схем на полупроводниковых приборах. Рассмотрены усилители высокой частоты, видео усилители, усилители постоянного тока, генераторы синусоидальных и несинусоидальных колебаний, переключающие схемы, логические схемы на полупроводниковых приборах и интегральных микросхемах, применение полупроводниковых приборов на СВЧ, источники питания (преобразователи и стабилизаторы напряжения и тока), переключающие приборы, физические явления в интегральных микросхемах и их компонентах, проектирование линейных полупроводниковых интегральных микросхем.
Справочник рассчитан на инженерно-технических работников, занимающихся разработкой и эксплуатацией полупроводниковой электронной аппаратуры.
Содержание
Предисловие к русскому изданию
Глава I. Усилители высокой частоты и видеоусилители
1. 1. Современные усилительные полупроводниковые приборы
1. 2. Сравнение транзисторов
1. 3. Время пролета
1. 3. 1. Время пролета через область базы
1. 3. 2. Время пролета через обедненный слой
1. 4. Барьерные емкости
1. 4. 1. Барьерная емкость эмиттерного перехода
1. 4. 2. Барьерная емкость коллекторного перехода
1. 5. Полное сопротивление выводов
1. 5. 1. Сопротивление базы
1. 5. 2. Распределенное сопротивление коллектора
1. 5. 3. Распределенное сопротивление эмиттера
1. 5. 4. Индуктивность выводов
1. 6. Эквивалентные схемы транзисторов
1. 6. 1. Эквивалентная схема собственно транзистора
1. 6. 2. Эквивалентная схема полного транзистора
1. 7. Зависимость высокочастотных параметров от смещения
1. 7. 1. Влияние эмиттерного тока
1. 7. 2. Влияние коллекторного напряжения
1. 8. Коэффициент шума
1. 8. 1. Коэффициент шума на средних частотах
1. 8. 2. Коэффициент шума на высоких частотах
1. 8. 3 Верхняя частота области белого шума
1. 8. 4. Оптимальное сопротивление источника
1. 8. 5. Зависимость минимального значения коэффициента шума от частоты
1. 8. 6. Использование смещения для получения минимального коэффициента шума
1. 9. Температурная зависимость параметров на высоких частотах
1. 10. Представление распределенных параметров четырехполюсника
1. 11. Показатели качества транзисторов на высоких частотах
1. 11. 1. Характеристическая частота fT
1. 11. 2. Максимальная частота генерации fmax
1. 12. Коэффициент усиления
1. 13. Однокаскадные видеоусилители
1. 13. 1. Транзисторный усилитель по схеме с общим эмиттером
1. 13. 2. Транзисторный усилитель по схеме с общей базой
1. 14. Многокаскадные видеоусилители
1. 15. Компромисс между коэффициентом усиления и шириной полосы
1. 15. 1. Варианты каскадного включения транзисторов с обратной связью
1. 15. 2. Каскад, управляемый напряжением
1. 15. 3. Каскад, управляемый током
1. 16. Полосовые усилители
1. 16. 1. Высокочастотные схемы
1. 17. Межкаскадные цепи
1. 18. Нейтрализация (компенсация внутренней обратной связи)
1. 18. 1. Недостаточная нейтрализация
1. 18. 2. Постоянная нейтрализация
1. 18. 3. Каскады без нейтрализации
1. 19. Некоторые соображения по проектированию схем
1. 20. Входное и выходное сопротивления усилителя
1. 20. 1. Входное сопротивление
1. 20. 2. Выходное сопротивление
1. 20. 3. Влияние нейтрализации
1. 21. Потери в межкаскадных цепях
1. 22. Ширина полосы резонансных усилителей
1. 23. Управление коэффициентом усиления резонансных усилителей
1. 23. 1. АРУ и взаимная модуляция
1. 24. Усиление мощности на высоких частотах
Глава II. Усилители постоянного тока
2. 1. Введение
2. 2. Шумы
2. 2. 1. Шумы биполярного плоскостного транзистора
2. 2. 2. Шумы полевого транзистора с р—n-переходом
2. 2. 3. Шумы транзистора со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-транзистор)
2. 3. Влияние температуры на параметры приборов
2. 3. 1. Температурная зависимость биполярного транзистора
2. 3. 2. Температурная зависимость полевого транзистора с р-п-переходом
2. 3. 3. Температурная зависимость полевого транзистора с изолированным затвором
2. 4. Усилитель с непосредственной связью
2. 5. Усилитель постоянного тока с модуляцией входного сигнала
2. 5. 1. Применение биполярного транзистора в качестве переключателя
2. 5. 2. Применение полевых транзисторов в качестве переключателей
2. 5. 3. Модулятор на фоторезисторе
2. 6. Стабильность и старение полупроводниковых приборов
Глава III. Транзисторные генераторы
3. 1. Генераторы на одном транзисторе
3. 1. 1. Схемы с общей базой
3. 1. 2. Цепи смещения
3. 1. 3. Схемы включения транзистора с общим эмиттером
3. 1. 4. Схемы включения транзистора с. общим коллектором
3. 1. 5. Схемы без внешней обратной связи
3. 1. 6. Схемы генераторов с последовательным резонансным контуром
3. 1. 7. Цепи обратной связи с распределенными параметрами
3. 2. Обобщенный метод расчета генераторов
3. 2:1. Режим самовозбуждения
3. 2. 2. Трансформаторная обратная связь
3. 2. 3. Бестрансформаторная обратная связь
3. 2. 4. Анализ генератора с помощью h-параметров
3. 2. 5. Схемы включения транзисторов
3. 2. 6. Эквивалентная схема транзистора
3. 2. 7. Максимальная частота генерации
3. 2. 8. Идеализированный расчет генератора
3. 2. 9. Условия самовозбуждения
3. 3. Режим работы генератора
3. 3. 1. Колебания класса А
3. 3. 1. Колебания класса С
3. 3. 2. Одновременное генерирование колебаний нескольких частот
3. 4. Стабильность генератора
3. 4. 1. Стабильность амплитуды
3. 4. 2. Стабильность частоты
3. 4. 3. Генераторы с кварцевой стабилизацией частоты
Генераторы с температурной и кварцевой стабилизацией
3. 5. Модуляция транзисторного генератора
3. 6. Переходные режимы в генераторе
3. 7. Двухтактные схемы
3. 8. RC- генераторы
3. 9. Релаксационные генераторы
3. 10. Блокинг-генераторы
3. 11. Мультивибраторы
Глава IV. Транзисторные переключающие схемы
4. 1. Характеристики биполярных транзисторов
4. 2. Характеристики полевых транзисторов
4. 3. Характеристики диодов
4. 4. Характеристики пассивных элементов
4. 5. Методы проектирования переключающих схем
4. 5. 1. Установившийся режим
4. 5. 2. Переходный процесс
4. 5. 3. Устойчивость
4. 5. 4. Методы проектирования
4. 6. Входные каскады
4. 7. Каскады насыщающегося инвертора-усилителя
4. 7. 1. Требования к статическому режиму
4. 7. 2. Переходная характеристика
4. 7. 3. Длительность фронта
4. 7. 4. Время рассасывания
4. 7. 5. Длительность спада
4. 7. 6. Стабилизация состояния, "выключено"
4. 7. 7 Накопление неосновных носителей заряда
4 7 8 Использование нелинейной обратной связи
4. 8. Эмиттерный повторитель. Выходные каскады
4. 8. 1. Установившийся режим
4. 8. 2. Переходная характеристика
4. 8. 3. Двухтактные выходные каскады
4. 9. Биполярные логические схемы
4. 9. 1 Резисторно-транзисторная логические схемы (РТЛ)
4. 9. 2. Транзисторные логические схемы с непосредственной (ТЛНС)
4. 9. 3 Диодно-транзисторные логические схемы (ДТЛ)
4. 9. 4. Транзисторно-транзисторные логические схем (ТТЛ)
4. 9. 5. Логические схемы с эмиттерными повторителями
4 9 6. Логические схемы, работающие в режиме управления по току
4. 10 Логические схемы на полевых транзисторах
4. 10. 1 Логические схемы с непосредственной связь
4. 10. 2. Многофазные схемы
4. 10. 3. Схемы на дополняющих полевых транзисторах
4. 11. Триггеры с двумя устойчивыми состояния
4 11. 2. Запуск триггера
4 11. 3. Счетный запуск
4. 11. 4. Переходные процессы
4. 12. Схемы с одним устойчивым состоянием
4. 12. 1. Одновибраторы
4. 12. 2. Блокинг-генераторы
4. 13. Схемы на туннельных диодах
4. 13. 1. Переходная характеристика
4. 13. 2. Схемы на туннельных диодах и транзисторах
4. 13. 3. Схемы на двух туннельных диодах и транзисторах
Глава V. Применение полупроводниковых приборов на СВЧ
5. 1. Введение
5. 2. Туннельные диоды
5. 2. 1. Полное сопротивление туннельных диодов
5. 2. 2. Усилители на туннельных диодах
5. 2. 3. Генераторы на туннельных диодах
5. 2. 4. Преобразователи частоты на туннельных диодах
5. 3. Параметрические приборы
5. 3. 1. Параметрические усилители и преобразователи частоты
5. 3. 2. Умножение частоты
5. 4. СВЧ-транзисторы
5. 4. 1. Схемы на транзисторах
5. 4. 2. Умножение частоты
5. 5. Объемные приборы
5. 5. 1. Диоды на основе эффекта переноса электронов (ганновские)
5. 5. 2. Лавинно-пролетные диоды
5. 6. Точечные диоды и диоды с барьером Шотки
5. 7. Диоды типа р-i-n
Глава VI. Источники питания
6. 1. Классификация источников питания
6. 2. Дестабилизированные источники питания с преобразованием переменного тока в постоянный
6. 2. 1. Выпрямители
6. 2. 2. Фильтры
6. 2. 3. Схемы умножителей напряжения
6. 3. Дестабилизированные источники питания с преобразованием постоянного тока в переменный
6. 3. 1. Принципы работы инверторов
6. 3. 2. Транзисторные инверторы
6. 3. 3. Инверторы па кремниевых управляемых выпрямителях (тиристорах)
6. 3. 4. Инверторы на туннельных диодах
6. 3. 5. Синтез колебаний синусоидальной формы
6. 4. Стабилизированные источники питания непрерывного действия
6. 4. 1. Последовательные стабилизаторы
6. 4. 2. Стабилизаторы напряжения и тока
6. 4. 3. Измерительные элементы
6. 4. 4. Источники опорного напряжения и тока
6. 4. 5. Усилители ошибки
6. 4. 6. Регулирующие элементы
6. 4. 7. Стабилизаторы в интегральном исполнении
6. 5. Стабилизированные источники питания с ключевыми элементами
6. 5. 1. Основные стабилизаторы
6. 5. 2. Предстабилизаторы
6. 5. 3. Наборные стабилизаторы
6. 6. Особенности стабилизаторов
6. 6. 1. Дистанционный контроль и программирование
6. 6. 2. Защита от перегрузки и индикация перегрузки
6. 6. 3. Переход с режима постоянного напряжения на режим постоянного тока
6. 7. Системы источников питания
6. 7. 1. Автоматическая система с последовательным включением источников питания
6. 7. 2. Автоматическая система с параллельным включением источников питания
8. 7. 3. Системы с автоматическим слежением
6. 7. 4. Блокированное включение и выключение источников питания
6. 8. Охлаждение мощных полупроводниковых приборов
6. 8. 1. Тепловые параметры полупроводниковых приборов
6. 8. 2. Соображения относительно приборов и теплоотводов
6. 8. 3. Охлаждение полупроводниковых приборов естественной конвекцией
6. 8. 4. Охлаждение полупроводниковых приборов принудительной конвекцией
6. 8. 5. Другие способы охлаждения полупроводниковых приборов
Глава VII. Переключающие приборы
7. 1. Введение
7. 2. Состояния переключающего прибора
7. 3. Диоды с барьером Шотки
7. 4. Диоды с накоплением заряда
7. 4. 1. Применение диодов с накоплением заряда
7. 4. 2. Импульсный генератор
7. 4. 3. Генератор напряжения прямоугольной формы
7. 5. Туннельные диоды
7. 5. 1. Однотактный релаксатор
7. 6. Лавинные транзисторы
7. 7. Тиристоры
Глава VIII. Физические явления в интегральных микросхемах
8. 1. Классификация интегральных микросхем
8. 1. 1. Структура полупроводниковой интегральной микросхемы
8. 1. 2. Структура гибридной интегральной микросхемы
8. 2. Биполярные транзисторы в интегральном исполнении
8. 2. 1. Область коллектора
8. 2. 2. Области базы и эмиттера
8. 2. 3. Дополняющие транзисторы
8. 2. 4. Паразитная емкость
8. 3. Интегральные плоскостные диоды
8. 3. 1. Диоды на эмиттерном переходе
8. 3. 2. Диоды на коллекторном переходе
8. 3. 3. Диоды на параллельно включенных эмиттерных и коллекторных переходах
8. 4. Интегральные полевые транзисторы
8. 4. 1. Полевые транзисторы с р-n-переходом
8. 4. 2. Полевые транзисторы с изолированным затвором
8. 4. 3. Ограничитель тока на полевом транзисторе
8. 4. 4. Резистор на полевом транзисторе со смещением
8. 5. Пассивные элементы полупроводниковых интегральных микросхем
8. 5. 1. Диффузионные резисторы
8. 5. 2. Конденсатор на р-n-переходе
8. 5. 3. Тонкопленочные резисторы и конденсаторы
8. 6. Элементы гибридных интегральных микросхем
Г лава IX. Проектирование линейных полупроводниковых интегральных микросхем
9. 1. Элементы интегральных микросхем
9. 1. 1. Р-n-р-транзисторы
9. 1. 2. Транзисторы со сверхвысоким усилением
9. 1. 3. Резисторы
9. 1. 4. Полевые транзисторы
9. 1. 5. Стабилитроны
9. 1. 6. Конденсаторы
9. 1. 7. Утечки переходов
9. 2. Методы проектирования интегральных микросхем
9. 2. 1. Цепи смещения
9. 2. 2. Активные коллекторные нагрузки
9. 2. 3. Методы проектирования линейных интегральных микросхем, работающих при слабых токах
9. 2. 4. Температурная компенсация интегральных микросхем
9. 3. Операционные усилители
9. 3. 1. Уменьшение входного тока операционных усилителей
9. 3. 2. Быстродействующие усилители
9. 4. Заключение
Список литературы
Рекомендуем
