- Артикул:00-01048529
- Автор: Иванов-Есипович Н.К.
- Обложка: Твердый переплет
- Издательство: Высшая школа (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 256
- Формат: 84х108 1/32
- Год: 1972
- Вес: 454 г
- Серия: Учебное пособие для вузов (все книги серии)
Развернуть ▼
В книге рассматриваются вопросы технологии толстых композиционных пленок, вакуумтермической технологии, технологии полупроводниковых микросхем. Значительное внимание уделено ионноплазменному распылению, как способу получения тонкопленочных микросхем.
Вопросы технологии освещаются с позиций физико-химических процессов, протекающих при изготовлении микросхем.
Оглавление
Предисловие
Введение
Глава первая. Невакуумная технология микросхем
§ 1.1. Конструкция ГИС применительно к технологической реализации на стеклоэмалевых пленках
§ 1.2. Сцепление пиропасты с наполнителем и подложкой
§ 1.3. Технологические особенности стеклометаллических и стеклокерамических пироэмалей
§ 1.4. Трафаретная паста
§ 1.5. Технология рисунка толстопленочных микросхем
§ 1.6. Хемоэмалевые тонкие пленки
Глава вторая. Вакуумтермическая технология
§ 2.1. Основы испарения в вакууме
§ 2.2. Мешающее динамическое присутствие газовых молекул на подложке в вакууме
§ 2.3. Подложка и ее поверхность
§ 2.4. Кинетика процесса конденсации
§ 2.5. Методы образования атомарного потока вещества при вакуумтермическом испарении
§ 2.6. Получение рисунка тонкопленочных ИС
§ 2.7. Вакуумтермическая технология тонкопленочных резисторных, конденсаторных и RC-структур
§ 2.8. Получение технологического вакуума и измерение скорости осаждения
Глава третья. Ионноплазменная технология
§ 3.1. Механизм ионного распыления и характеристика встречных потоков
§ 3.2. Особенности конденсации при ионном распылении
§ 3.3. Микроструктурные особенности тонких пленок тантала в связи с технологией
§ 3.4. Реактивное распыление как технологический метод газового легирования
§ 3.5. Плазменное и электролитическое оксидирование
§ 3.6. Технологические причины дефектов танталовых тонкопленочных конденсаторов
§ 3.7. Осаждение органических пленок в тлеющем разряде
Глава четвертая. Технология полупроводниковых микросхем
§ 4.1. Структура полупроводниковых ИС
§ 4.2. Эпитаксия
§ 4.3. Химическое осаждение из газовой фазы
§ 4.4. Легирование диффузией
§ 4.5. Окисное и нитридное маскирование
§ 4.6. Металлизация
§ 4.7. Свойства фоторезистов для прецизионной фотолитографии
§ 4.8. Технология нанесения и обработки фоторезистных слоев
§ 4.9. Репродуцирование и мультиплицирование
Глава пятая. Сборка и контроль качества микросхем
§ 5.1. Термокомпрессионная, контактная и ультразвуковая сварка
§ 5.2. Электрическое соединение склеиванием
§ 5.3. Присоединение выводов пайкой
§ 5.4. Лазерная сварка
§ 5.5. Герметизация микросхем
§ 5.6. Гигиена производственного помещения
§ 5.7. Контроль и обеспечение качества в производстве ИС специального применения
Литература
Рекомендуем
