- Артикул:00-01043778
- Автор: Нашельский А.Я.
- Тираж: 6800 экз.
- Обложка: Твердый переплет
- Издательство: Металлургия (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 336
- Формат: 84х108 1/32
- Год: 1987
- Вес: 496 г
- Серия: Учебное пособие для ВУЗов (все книги серии)
Развернуть ▼
Систематизировано изложены современные технологии важнейших полупроводниковых материалов. Рассмотрены подготовка основных и вспомогательных материалов, выращивание однородно легированных монокристаллов с совершенной структурой, получение высокочистых поликристаллических полупроводников, эпитаксиальных слоев, гомо- и гетероструктур методами газовой и жидкостной эпитаксии, изготовление пластин и подложек.
Учебное пособие предназначено для повышения квалификации и переподготовки мастеров, начальников участков и цехов полупроводникового производства. Может быть полезна студентам вузов, обучающимся по специальностям: «Технология специальных материалов электронной техники», «Полупроводники и диэлектрики», «Полупроводниковые приборы».
Оглавление
Предисловие
Глава 1. Полупроводники
§ 1. Общие сведения о полупроводниках
§ 2. Физико-химические свойства важнейших полупроводников
Глава 2. Основные и вспомогательные материалы полупроводникового производства
§ 1. Чистое вещество
§ 2. Подготовка основных материалов
§ 3. Подготовка вспомогательных материалов
Глава 3. Технология поликристаллических полупроводников
§ 1. Германий
§ 2. Кремний
§ 3. Полупроводниковые соединения
Глава 4. Технология объемных монокристаллов полупроводников
§ 1. Методы выращивания монокристаллов
§ 2. Распределение примеси в процессах направленной кристаллизации
§ 3. Легирование и компоновка
§ 4. Получение однородно легированных монокристаллов
§ 5. Получение высокочистых монокристаллов
§ 6. Получение монокристаллов с совершенной структурой
§ 7. Аппаратура для выращивания объемных монокристаллов
Глава 5. Технология подложек
§ 1. Подготовка монокристаллов к резке на пластины
§ 2. Резка монокристаллов
§ 3. Шлифовка пластин
§ 4. Полировка пластин
§ 5. Межоперационная и финишная очистка пластин
§ 6. Контроль технологического процесса изготовления подложек и их качества
Глава 6. Технология эпитаксиальных структур
§ 1. Получение однослойных структур кремния и германия из газовой фазы
§ 2. Получение эпитаксиальных структур полупроводниковых соединений
Приложение. Аттестация продукции
Рекомендательный библиографический список
Предметный указатель
Рекомендуем
