- Артикул:00-01056146
- Автор: А.И. Губанов
- Тираж: 10000 экз.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Государственное издательство технико-теоретической литературы (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 348
- Формат: 84х108 1/32
- Год: 1956
- Вес: 511 г
Развернуть ▼
Репринтное издание
В книге изложены с единой точки зрения основные работы по теории выпрямляющего действия полупроводников, опубликованные до середины 1953 г. и не потерявшие значения до сих пор. Книга предназначена для научных работников, инженеров, работающих по производству твердых выпрямителей и в смежных областях, и для студентов физических и электротехнических специальностей.
Содержание
Предисловие
Введение
Глава I. Элементы современной теории полупроводников
§ 1. Понятие о зонной теории
§ 2. Статистическое распределение электронов по энергетическим уровням. Проводники, изоляторы и полупроводники
§ 3. Критика зонной теории и область ее применимости
§ 4. Контактная разность потенциалов
§ 5. Об искривлении энергетических зон
§ 6. Поверхностные уровни в кристалле
§ 7. Определение констант, встречающихся в теории
Глава II. Основные экспериментальные данные о твердых выпрямителях
§ 8. Типы твердых выпрямителей и их изготовление
§ 9. Вольтамперные и вольтомные характеристики
§ 10. Емкость и эквивалентные схемы выпрямителя
§ 11. Гистерезис, ползучесть и старение
§ 12. Исследование природы запирающего слоя выпрямителей
§ 13. Исследование твердых выпрямителей на переменном токе
Глава III. Основные уравнения, используемые в теории выпрямляющего действия полупроводников
§ 14. Случай носителей тока одного рода в стационарном режиме
§ 15. Выражение для потока частиц, подчиняющихся статистике Ферми (частично вырожденных)
§ 16. Полная система уравнении в случае носителей тока двух родов и в нестационарном режиме
§ 17. Граничные условия
§ 18. Приближенные методы решения уравнений
§ 19. Общие интегралы для поля, распределения потенциала, концентрации носителей тока и падения напряжения
Глава IV. Теории контакта металла с полупроводником, учитывающие один род носителей тока
§ 20. Физическая картина явлений у контакта
§ 21. Теории с заданным объемным зарядом
§ 22. Случай резерва примесных уровней
§ 23. Частичное истощение примесных уровней
§ 24. Диодная теория
§ 25. Учет сил изображения
§ 26. Сравнение теории с опытом
Глава V. Теория контакта металла с полупроводником с учетом носителей тока двух родов
§ 27. Метод расчета и основные результаты
§ 28. Определение поля и падении напряжения
§ 29. Решение диффузионных уравнений для приконтактных областей
§ 30. Расчет области рекомбинации
Глава VI. Контакт двух полупроводников с проводимостью одного типа
§ 31. Физические особенности контакта двух полупроводников
§ 32. Исходные уравнения и метод расчета
§ 33. Область малых токов
§ 34. Область больших токов
§ 35. Контакт двух полупроводников с сильно различной величиной проводимости
Глава VII. Контакт двух полупроводников со смешанной проводимостью
§ 36. Физические основы теории
§ 37. Теория контакта двух полупроводников по Давыдову
§ 38. Расчет в нулевом приближении
§ 39. Расчет приконтактных областей в первом приближении
§ 40. Расчет областей рекомбинации
§ 41. Вычисление тока
Глава VIII. Контакт двух полупроводников с различным типом проводимости
§ 42. Физические основы теории
§ 43. Вычисление тока, проходящего через контакт
§ 44. Оценка величины коэффициента А и учет зависимости концентрации от х
§ 45. Анализ полученного выражения для тока и учет омического падения напряжения
Глава IX. Области применения различных вариантов теории контакта двух полупроводников и сравнение с опытом
§ 46. Граница применимости расчетов, проделанных в главах VII и VIII
§ 47. Экспериментальные данные о контакте двух полупроводников
§ 48. Числовой пример для контакта ТiO2-Сu2O
§ 49. Объяснение характеристик контактов в остальных случаях
Глава X. Теория электронно-дырочного перехода в полупроводнике
§ 50. Введение
§ 51. Распределение потенциала в переходной области и емкость перехода
§ 52. Влияние рекомбинации на вольтамперную характеристику переходного слоя
§ 53. Упрощенная модель перехода
§ 54. Сравнение теории с опытом
Глава XI. Теория твердых выпрямителей с химическим запирающим слоем
§ 55. Выбор модели твердого выпрямителя и физические основы теории
§ 56. Определение поля и падений напряжения
§ 57. Решение диффузионных уравнений
§ 58. Расчет области рекомбинации
§ 59. Упрощенная теория твердого выпрямителя
§ 60. Применимость теории к различным типам твердых выпрямителей и качественное сравнение с опытом
§ 61. Числовой пример для меднозакисного выпрямителя
Глава XII. Частотная зависимость сопротивления контакта металла с полупроводником
§ 62. Физические причины частотной зависимости
§ 63. Релаксация распределения носителей тока
§ 64. Зависимость емкости от частоты вследствие запаздывания установления концентрации неподвижных зарядов
§ 65. Учет движения ионов
Глава XIII. Динамическая теория твердых выпрямителей
§ 66. Физические основы теории
§ 67. Упрощение исходных уравнений
§ 68. Пределы применимости статической теории
§ 69. Влияние частоты на распределение неподвижных зарядов в запирающем слое
§ 70. Распределение поля и потенциала
§ 71. Зависимость тока от частоты
§ 72. Числовой пример и выводы
Заключение. Перспективы дальнейшего развития теории выпрямления
Литература
Рекомендуем
Артикул 00-00002163
