- Артикул:00-01123941
- Автор: Игумнов Д.В., Николаевский И.Ф.
- Обложка: Мягкая обложка
- Издательство: Советское радио (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 136
- Формат: 84х108/32
- Год: 1978
Развернуть ▼
Книга содержит сведения о физических процессах в транзисторах и особенностях их использования в микрорежимах в различных устройствах радиоэлектронной аппаратуры. Рассматриваются вольт-амперные характеристики и основные параметры биполярных и полевых транзисторов в микрорежиме. Показаны возможности и методы построения микромощных устройств непрерывного и импульсного действия на транзисторах, а также устройств с использованием оптронов и пьезоэлектрических трансформаторов.
Книга предназначена для инженеров-разработчиков аппаратуры на полупроводниковых приборах и интегральных схемах и может быть рекомендована в качестве учебного пособия для студентов соответствующих факультетов вузов.
Содержание
Предисловие
Глава 1. Биполярные транзисторы
1.1. Вольт-амперные характеристики
1.2. Коэффициент передачи тока
1.3. Малосигнальные параметры
1.4. Статическое входное сопротивление
1.5. Емкость эмиттерного перехода
1.6. Граничная частота усиления
1.7. Коэффициент шума
1.8. Особенности микромощных транзисторов
Глава 2. Полевые транзисторы
2.1. Полевые транзисторы с р-п-переходом
2.2. МОП-транзисторы
Глава 3. Особенности применения транзисторов
3.1. Особенности транзисторного ключа
3.2. Разновидности транзисторных ключей
3.3. Транзисторные усилители
3.4. Транзисторные повторители
3.5. Особенности использования оптронов в транзисторных устройствах
3.6. Особенности использования пьезоэлектрических трансформаторов в транзисторных устройствах
Заключение
Список литературы
5.0
Пока нет отзывов. Будьте первым, кто оставит отзыв.