- Артикул:00-01116863
- Автор: Епифанов Г.И., Мома Ю.А.
- Тираж: 10000 экз.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Высшая школа (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 304
- Формат: 60х90 1/16
- Год: 1986
- Вес: 514 г
- Серия: Учебник для ВУЗов (все товары серии)
Развернуть ▼
В учебнике рассмотрены тепловые, электрические, оптические и магнитные свойства твердых тел и электрические свойства пленок. Для облегчения восприятия материала громоздкие математические построения опущены. Широко используются упрощенные модели с сохранением достаточно строгого уровня изложения.
Содержание
Предисловие
Введение
Глава 1. Структура кристаллов
§ 1.1. Кристаллическая решетка
§ 1.2. Обозначение узлов, направлений и плоскостей в кристалле. Индексы Миллера
§ 1.3. Обратная решетка
§ 1.4. Экспериментальные методы определения структуры кристаллов
§ 1.5. Классификация кристаллов по типам связи
Глава 2. Дефекты в кристаллах
§ 2.1. Точечные дефекты
§ 2.2. Линейные дефекты
§ 2.3. Дислокационный механизм пластической деформации кристаллов
§ 2.4. Поверхностные дефекты
Глава 3. Тепловые колебания атомов кристалла
§ 3.1. Колебания и волны в одномерной решетке из одинаковых атомов
§ 3.2. Оптические колебания
§ 3.3. Колебания трехмерной кристаллической решетки
§ 3.4. Энергия нормальных колебаний. Фононы
§ 3.5. Теплоемкость твердых тел
§ 3.6. Тепловое расширение твердых тел
§ 3.7. Решеточная теплопроводность твердых тел
Глава 4. Основы зонной теории твердых тел
§ 4.1. Энергетические уровни электрона в изолированном атоме
§ 4.2. Обобществление электронов в кристалле
§ 4.3. Волновая функция электрона в кристалле. Зоны Бриллюэна
§ 4.4. Поступательное движение электронов в кристалле
§ 4.5. Движение электрона в кристалле под действием внешней силы
§ 4.6. Заполнение зон электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники
§ 4.7. Собственные полупроводники. Понятие о дырках
§ 4.8. Ферми-поверхности металлов
§ 4.9. Локальные уровни в запрещенной зоне
§ 4.10. Квантование энергии электрона в магнитном поле. Уровни Ландау
Глава 5. Статистика электронов и дырок в полупроводниках
§ 5.1. Функция распределения в статистике Ферми-Дирака
§ 5.2. Функция плотности состояний
§ 5.3. Концентрации электронов и дырок в полупроводнике
§ 5.4. Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных полупроводниках
§ 5.5. Статистика электронов в примесных полупроводниках
§ 5.6. Статистика электронов в металлах
§ 5.7. Теплоемкость электронного газа в металлах и полупроводниках
Глава 6. Кинетические явления
§ 6.1. Распределение электронов по скоростям
§ 6.2. Дрейф свободных носителей заряда в электрическом поле
§ 6.3. Подвижность свободных носителей заряда. Зависимость подвижности от температуры
§ 6.4. Электропроводность полупроводников
§ 6.5. Электропроводность металлов
§ 6.6. Явление сверхпроводимости
§ 6.7. Гальваномагнитные эффекты
§ 6.8. Термомагнитные эффекты
Глава 7. Магнитные свойства твердых тел
§ 7.1. Классификация твердых тел по их магнитным свойствам
§ 7.2. Природа диамагнетизма
§ 7.3. Природа парамагнетизма
§ 7.4. Природа ферромагнетизма
§ 7.5. Доменная структура ферромагнетиков
§ 7.6. Практическое применение ферромагнетизма
Глава 8. Неравновесные носители заряда в полупроводниках
§ 8.1. Равновесные и неравновесные носители заряда. Квазиуровни Ферми
§ 8.2. Время жизни
§ 8.3. Уравнение непрерывности
§ 8.4. Совместная диффузия неравновесных носителей
Глава 9. Оптические и плазменные явления в полупроводниках
§ 9.1. Поглощение света
§ 9.2. Излучение света полупроводниками
§ 9.3. Фотопроводимость полупроводников
§ 9.4. Акустоэлектронные явления
§ 9.5. Эффект Ганна
Глава 10. Контакт металл - полупроводник
§ 10.1. Работа выхода
§ 10.2. Термоэлектронная эмиссия
§ 10.3. Контактная разность потенциалов
§ 10.4. Контакт металла с полупроводником
§ 10.5. Токи, ограниченные пространственным зарядом
§ 10.6. Термо-э.д.с.
§ 10.7. Эффект Пельтье
Глава 117 Полупроводниковые диоды
§ 11.1. Равновесное состояние р-п-перехода
§ 11.2. Барьерная емкость р-п-перехода
§ 11.3. Прямой и обратный токи р-п-перехода
§ 11.4. Импульсные и высокочастотные свойства р-п-перехода
§ 11.5. Пробой р-п-перехода
§ 11.6. Туннельные диоды
§ 11.7. Лавинно-пролетные диоды
§ 11.8. Фотоэлектрические явления в р-п-переходе
§ 11.9. Светодиоды
§ 11.10. Полупроводниковые лазеры
Глава 12. Физические принципы работы транзисторов
§ 12.1. Принцип работы биполярного транзистора
§ 12.2. Параметры н выходные характеристики транзистора
§ 12.3. Переходные процессы в транзисторах. Дрейфовые транзисторы
§ 12.4. Фототранзисторы
§ 12.5. Полевые транзисторы
§ 12.6. Приборы с вольт-амперной характеристикой S-типа
Заключение. Элементы микроэлектроники
Приложения
Рекомендуемая литература
Предметный указатель
Рекомендуем
