- Артикул:00-01056511
- Автор: И.П. Исаев, Ю.М. Иньков, М.А. Маричев
- Тираж: 4000 экз.
- Обложка: Мягкая обложка
- Издательство: Энергоиздат (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 96
- Формат: 84х108 1/32
- Год: 1983
- Вес: 122 г
Развернуть ▼
На основе теоретико-вероятностных положений рассмотрены причины нестабильности параметров силовых полупроводниковых приборов и приведена статистическая модель прибора, характеризующая показатели его работы в статических и динамических режимах. Дан анализ процесса коммутации с учетом разброса параметров элементов силовых цепей.
Для научных работников и инженеров, занимающихся разработкой силовых полупроводниковых преобразователей электроэнергии.
Содержание
Предисловие
Глава первая. Статистическая модель силового полупроводникового прибора
1.1. Причины технологической и эксплуатационной нестабильности параметров приборов
1.2. Некоторые сведения из теории вероятностен
1.3. Вольт-амперная характеристика силового полупроводникового прибора
1.4. Разброс динамических характеристик приборов
1.5. Характеристики управления тиристоров и параметры импульсных трансформаторов
1.6. Параметры приборов и режимы нагрузки преобразовательных устройств
Глава вторая. Характеристики полупроводниковых преобразователей с учетом разброса параметров элементов силовых цепей
2.1. Технологический разброс параметров силовых трансформа торов, реакторов и конденсаторов
2.2. Внешние и регулировочные характеристики преобразователей с естественной коммутацией
2.3. Параметрическая стабильность узлов искусственной коммутации полупроводниковых преобразователей
2.4. Оценка стабильности выходных напряжений полупроводниковых преобразователей
2.5. Составляющие потерь мощности в преобразователях
2.6. Неравномерность токовых нагрузок вентилей преобразователей
Список литературы
5.0
Пока нет отзывов. Будьте первым, кто оставит отзыв.