- Артикул:00-01044036
- Автор: Фистуль В. И.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Высшая школа (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 352
- Формат: 60x90 1/16
- Год: 1984
- Вес: 574 г
- Серия: Учебное пособие для ВУЗов (все книги серии)
Развернуть ▼
В книге изложены основные разделы физики полупроводников: освещены важнейшие области их применения; рассмотрены наиболее распространенные методы измерения параметров полупроводниковых материалов. Содержание второго издания (1-е вышло в 1975 г.) переработано с учетом новых технологических приемов. Добавлены разделы физические явления в аморфных и стеклообразных полупроводниках и др.
Оглавление
Предисловие
Часть первая Физические явления в полупроводниках
Глава 1. Энергетический спектр носителей заряда в идеальных полупроводниках
§ 1.1. Основные определения
§ 1.2. Зонная структура энергетического спектра носителей заряда
§ 1.3. Энергетический спектр электронов в трехмерном кристалле
§ 1.4. Заполнение зон. Эффективная масса носителей заряда
Глава 2. Энергетический спектр носителей заряда в реальных полупроводниках
§ 2.1. Дефекты в кристаллах
§ 2.2. Примесные атомы
§ 2.3. Вакансии
§ 2.4. Поверхностные уровни
§ 2.5. Дислокации
§ 2.6 Плоские и сложные дефекты
Глава 3. Термодинамическое равновесие носителей заряда
§ 3.1. Основные положения статистической физики
§ 3.2. Связь концентрации носителей заряда в разрешенных зонах с уровнем Ферми
§ 3.3. Связь концентрации носителей заряда на локальных уровнях с уровнем Ферми
§ 3.4. Решение уравнения нейтральности для собственного полупроводника
§ 3.5. Решение уравнения нейтральности в случае полупроводника о одним типом однозарядных доноров
§ 3.6. Решение уравнения нейтральности в случае полупроводника с одним типом однозарядных акцепторов
§ 3.7. Решение уравнения нейтральности в случае полупроводника, содержащего одновалентные компенсирующие примеси
§ 3.8. Решение уравнения нейтральности в случае полупроводника, содержащего многовалентные примеси
§ 3.9. Статистика носителей заряда в полупроводнике, содержащем амфотерную примесь
§ 3.10. Статистика носителей заряда в полупроводнике, содержащем вакансии
§ 3.11. Статистика электронов в полупроводнике с дислокациями
§ 3.12 Статистика электронов при образовании сложных дефектов в кристалле
Глава 4. Кинетические явления в полупроводниках
§ 4.1. Способность полупроводников проводить электрический тон и тепло
§ 4.2. Метод уравнения Больцман
§ 4.3. Рассеяние носителей заряда на ионизированных примесях
§ 4.4. Рассеяние на нейтральных примесях
§ 4.6. Рассеяние на тепловых колебаниях атомов кристаллической решетки
§ 4.6. Рассеяние на других дефектах
§ 4.7. Смешанное рассеяние носителей заряда в полупроводниках
§ 4.8. Электропроводность полупроводников
§ 4.9. Эффект Холла
§ 4.10. Термоэлектрические явления
§ 4.11. Теплопроводность полупроводников
§ 4.12. Термомагнитные явления
§ 4.13 Другие кинетические эффекты
Глава 5. Оптические явления
§ 5.1. Взаимодействие света с кристаллической средой
§ 5.2. Собственное поглощение света в полупроводниках
§ 5.3. Поглощение света свободными носителями заряда
§ 6.4. Поглощение света примесными центрами
§ 5.5. Решеточное (фононное) поглощение света
§ 5.6. Экситонное поглощение света
§ 5.7. Отражение света
§ 5.8 Эффект Фарадея
Глава 6. Рекомбинация носителей заряда в полупроводниках
§ 6.1. Основные определения
§ 6.2. Межзонная излучательная рекомбинация
§ 6.3. Межзонная безызлучательная рекомбинация
§ 6.4. Межзонная ударная рекомбинация (Оже-рекомбинация)
§ 6.5. Рекомбинация через однозарядные локальные центры (теория Шокли-Рида)
§ 6.6. Механизм рекомбинации через локальные центры
§ 6.7. Соотношения между различными видами и механизмами рекомбинации в полупроводниках
§ 6.8. Особые случаи рекомбинации носителей заряда
§ 6.9. Понятие о поверхностной рекомбинации
§ 6.10. Диффузионная длина носителей заряда
Глава 7. Фотоэлектрические явления
§ 7.1. Фотопроводимость полупроводников
§ 7.2. Примесная фотопроводимость
§ 7.3. Фотовольта и чески е эффекты
§ 7.4. Фотолюминесценция
Глава 8. Полупроводники в сильном электрическом поле
§ 8.1. Разогрев носителей заряда в электрическом поле
§ 8.2. Опыты Иоффе
§ 8.3. Термоэлектрическая ионизация (эффект Френкеля)
§ 8.4. Электростатическая ионизация (туннельный эффект)
§ 8.5. Ударная ионизация
§ 8.6. Эффект Франца-Келдыша
§ 8.7. Рекомбинация носителей заряда в сильном электрическом поле
§ 8.8. Токовые неустойчивости в однородных полупроводниках в сильном электрическом поле
Глава 9. Контактные явления
§ 9.1. Контакт металл-полу проводник
§ 9.2. Выпрямление тока на контакте металл-полупроводник
§ 9.3. Электронно-дырочный переход (р-n-переход)
§ 9.4. Гетеропереходы
Глава 10. Магнитные явления в полупроводниках
§ 10.1. Общие сведения о магнетизме
§ 10.2. Магнетизм полупроводниковых веществ
§ 10.3. Энергетический спектр носителей заряда в магнитном поле
§ 10.4. Осцилляционные явления
§ 10.5. Магнитная восприимчивость немагнитных полупроводников
§ 10.6. Локализованные магнитные моменты в немагнитных полупроводниках
§ 10.7. Резонансные явления
§ 10.8. Полу магнитные полупроводники
§ 10.9. Магнитные полупроводники
Глава 11. Полупроводниковые свойства неупорядоченных веществ
§ 11.1. Неупорядоченные системы
§ 11.2. Основные особенности сильно легированных полупроводников
§ 11.3 Аморфные пат у проводники
§ 11.4. Жидкие и стеклообразные полупроводники
Часть вторая Экспериментальные методы исследования параметров полупроводниковых материалов
Глава 12. Методы измерения основных параметров полупроводниковых материалов
§ 12.1. Основные параметры, характеризующие полупроводниковые материалы
§ 12.2. Зондовые методы измерения удельного сопротивления
§ 12.3. Бесконтактные методы измерения удельной электрической проводимости
§ 12.4. Измерение концентрации и подвижности носителей заряда
§ 12.5. Методы раздельного определения концентраций доноров и акцепторов в полупроводниках типа
§ 12.6. Методы измерения времени жизни носителей заряда
§ 12.7. Оптические, фотоэлектрические и фотолюминесцентные методы исследования
Глава 13. Методы измерения основных параметров эпитаксиальных структур
§ 13.1. Определение толщин эпитаксиальных слоев
§ 13.2. Методы измерения удельной проводимости
§ 13.3. Определение концентрации носителей заряда
§ 13.4. Методы контроля неоднородности эпитаксиальных структур
Часть третья Основные области применения полупроводниковых материалов
Глава 14. Радиотехнические и электротехнические приборы
§ 14.1. Силовые диоды (выпрямители)
§ 14.2. Стабилитроны
§ 14.3. Импульсные диоды
§ 14.4. СВЧ-детекторы
§ 14.5. Диоды с переменной емкостью (варикапы)
§ 14.6. Туннельные диоды
§ 14.7. Транзисторы
§ 14.8. Полевые транзисторы. МДП-транзисторы и приборы с зарядовой связью
§ 14.9. Принципы построения интегральных схем
Главе 15. Фотоэлектрические и другие приборы с р-п переходами
§ 15.1. Солнечные батареи
§ 15.2. Полупроводниковые приемники излучений
§ 15.3. Полупроводниковые источники света и лазеры
§ 15.4. Приборы оптоэлектроники
Глава 16. Полупроводниковые приборы без р-n-переходов
§ 16.1. Термоэлектрические полупроводниковые приборы
§ 16.2. Полупроводниковые тензометры
§ 16.3. Датчика э. д. с. Холла
Приложения
Литература
Рекомендуем
