Описание раздела
Репринтное издание В книге описываются электрические, оптические, рентгеновские и электронномикроскопические методы контроля технологии изготовления полупроводниковых приборов. Рассматриваются принципы организации технологического контроля при разработках и в производстве приборов. Книга рассчитана на инженеров и технологов, занимающихся разработкой и производством полупроводниковых приборов и интегральных схем, а также на студентов, специализирующихся в области физики и технологии полупроводниковых приборов. Оглавление Предисловие Глава первая. Объекты, методы контроля и его организация 1. Основные виды контроля при производстве полупроводниковых приборов 2. Особенности контроля технологических операций при изготовлении полупроводниковых приборов 3. Объекты и методы контроля 4. Организация контроля 5. Статистический контроль 6. Автоматизированные системы управления технологическими процессами (АСУТП) на основе встроенных систем контроля с применением ЭВМ Глава вторая. Электрические методы контроля 7. Измерение вольт-фарадных характеристик полупроводниковых структур 8. Теоретические соотношения для вольт-фарадных характеристик р-п переходов и МДП-структур 9. Контроль свойств границы раздела диэлектрик—полупроводник 10. Особенности методики измерений и аппаратура контроля вольт-фарадных характеристик 11. Контроль вольт-амперных характеристик р-п переходов 12. Методы контроля сопротивления омических контактов Глава третья. Оптические методы контроля 13. Контроль качества полированных поверхностей по картинам отражения когерентного света лазера 14. Контроль качества полированной поверхности и толщин прозрачных диэлектрических пленок на ней по интенсивности отраженного монохроматического света 15. Контроль плоскостности поверхности и равнотолщинности полупроводниковых пластин интерференционными методами 16. Контроль плоскостности стекол и пластин с фото-эмульсией, применяющихся при изготовлении фотошаблонов 17. Эллипсометрические методы контроля параметров структур диэлектрик—полупроводник 18. Контроль инфракрасного излучения полупроводниковых структур Глава четвертая. Рентгеновские и электронно-микроскопические методы контроля 19. Характеристика рентгеновских методов контроля 20. Ориентировка монокристаллов 21. Определение дефектов структуры в полупроводниковых пластинах методами рентгеновской топографии 22. Просвечивание полупроводниковых структур и приборов рентгеновскими лучами 23. Методы растровой электронной микроскопии 24. Просвечивающая электронная микроскопия Список литературы