- Артикул:00-01107942
- Автор: Н. М. Ващенко, В. В. Власенко, Б. С. Гершунский и др.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Вища школа (все книги издательства)
- Город: Киев
- Страниц: 392
- Формат: 60х90/16
- Год: 1978
- Вес: 565 г
Развернуть ▼
В книге в доступной форме излагаются физические основы работы и технические показатели наиболее типичных и распространенных электронных приборов, а также принципы построения простейших электронных схем.
Третье издание дополнено материалом, относящимся к техническим средствам современной микроэлектроники. Обновлен материал, касающийся классификации электронных приборов, их условных графических обозначений и параметров.
Содержание
Предисловие
Раздел 1. Электронные явления
Глава1. Электронная эмиссия
1.1. Электроны в атоме
1.2. Работа выхода
1.3. Термоэлектронная эмиссия
1.4. Фотоэлектронная эмиссия
1.5. Вторичная электронная «миссия
1.6. Электростатическая эмиссия
Глава 2. Движение электронов в электрических и магнитных полях
2.1. Электрон в электрическом поле
2.2. Электрон в магнитном поле
Глава 3. Электрический разряд в газe
3.1. Основные явления электрического разряда в газе
3.2. Вольт-амперная характеристика газового разряда
3.3. Характеристика основных видов газового разряда
Глава 4. Электропроводность полупроводников
4.1. Основные особенности полупроводниковых материалов
4.2. Собственная проводимость полупроводника
4.3. Примесная проводимость полупроводника
4.4. Подвижность носителей заряда
4.5. Температурная зависимость проводимости полупроводников
4.6. Рекомбинационные процессы в полупроводниках
4.7. Электропроводность полупроводников в сильных электрических полях
Эффект Ганна
4.8. Фотопроводимость(внутренний фотоэффект)
4.9. Тензорезистивный эффект
4.10. Термоэлектрические явления
4.11. Гальваномагнитные явления
Глава 5. Электронно-дырочный переход
5.1. Образование р - n-перехода
5.2. Вольт-амперная характеристика р - n-перехода
5.3. Температурные и частотные свойства р - n-перехода
5.4. Туннельный эффект
5.5. Фотогальванический эффект
Раздел 2. Электровакуумные и ионные приборы
Глава 6. Электронные лампы
6.1. Классификация и система обозначений
6.2. Диод
6.3. Триоды
6.4. Тетроды
6.5. Лучевые тетроды
6.6. Пентоды
6.7. Специальные лампы
Глава 7. Электронно-лучевые трубки
7.1. Классификация и система обозначений
7.2. Осциллографические трубки
7.3. Индикаторные трубки
7.4. Кинескопы
7.5. Запоминающие трубки
7.6. Передающие телевизионные трубки
Глава 8. Ионные приборы
8.1. Классификация и система обозначений
8.2. Сигнальные индикаторы тлеющего разряда
8.3. Стабилитроны
8.4. Тиратроны тлеющего разряда
8.5. Декатроны
8.6. Знаковые индикаторы
8.7. Ионные разрядники
8.8. Газотроны
8.9. Тиратроны с накаленным катодом
Глава 9. Фотоэлементы с внешним фотоэффектом и фотоэлектронные умножители
9.1. Классификация и система обозначений
9.2. Вакуумные и газонаполненные фотоэлементы
9.3. Фотоэлектронные умножители (ФЭУ)
Раздел 3. Полупроводниковые приборы
Глава 10. Полупроводниковые резисторы
10.1. Классификация и система обозначений
10.2. Терморезисторы с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления
10.3. Позисторы
10.4. Фоторезисторы
10.5. Варисторы
Глава 11. Полупроводниковые диоды
11.1. Классификация и система обозначений
11.2. Выпрямительные диоды
11.3. Стабилитроны
11.4. Высокочастотные диоды
11.5. Импульсные диоды
11.6. Сверхвысокочастотные диоды
11.7. Варякапы
11.8. Туннельные диоды
11.9. Тирясторы
11.10. Фотодиоды
11.11. Светодиоды
Глава 12. Транзисторы
12.1. Классификация н система обозначений
12.2. Конструкция
12.3. Принцип работы
12.4. Схемы включения
12 5. Характеристики
12.6. Эквивалентные схемы и параметры
12.7. Применение
12.8. Полевые транзисторы
12.9. Однопереходный транзистор (двухбазовый диод)
12.10. Фототранзистор
Раздел 4. Основы микроэлектроники
Глава 13. Микромодули
13.1. Конструкция микромодулей
13.2. Микроэлементы
13.3. Основы конструирования микромодулей
Глава 14. Гибридные интегральные схемы
14.1. Общие сведения
14.2. Пассивные элемент гибридных интегральных микросхем
14.3. Бескорпусные полупроводниковые приборы
14.4. Основы проектирования и технологии изготовления микросхем
Глава 15. Полупроводниковые интегральные микросхемы
15.1. Конструктивно-технологические особенности
15.2. Компоненты полупроводниковых интегральных схем
15.3. Разработка топологии полупроводниковых интегральных
15.4. Большие интегральные схемы (БИС)
15.5. Функциональные устройства
Глава 16. Применение интегральных микросхем
16.1. Система обозначений
16.2. Логические интегральные микросхемы
16.3. Аналоговые (линейные) интегральные микросхемы
Список литературы
Рекомендуем
Артикул 00204639
