- Артикул:00-01006995
- Автор: Соколов Л.В.
- ISBN: 978-5-4316-0260-3
- Тираж: 100 экз.
- Обложка: Мягкий переплет
- Издательство: МАИ (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 84
- Формат: 60х84 1/16
- Год: 2015
- Вес: 98 г
- Серия: Учебное пособие для ВУЗов (все книги серии)
Развернуть ▼
Материал, изложенный в учебном пособии, обеспечивает закрепление знаний по технологии проектирования и производства радиокомпонентов и приборов на основе кремния, в частности микроэлектромеханических (МЭМС) измерительных тензорезистивных преобразователей на основе гетероструктуры “кремний на изоляторе” (КНИ). Помимо сведений, известных из различных источников научно-технической информации, приводятся оригинальные, полученные автором, результаты.
Рассмотрены также некоторые вопросы из физики и кристаллографии полупроводниковых материалов, технологии формирования объёмных (3D) кремниевых резисторов и других кремниевых объёмных структур — то, что необходимо для выполнения расчетов электрических и конструктивных параметров ЗБ-резисторов с учетом электрофизических свойств кремния.
Учебное пособие предназначено для студентов вузов, обучающихся по соответствующим специальностям, а также для инженеров и аспирантов, участвующим в выполнении научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ по данной тематике.
Оглавление
Основные сокращения и обозначения
Предисловие
1. Физико-технологические основы разработки и производства кремниевых микроэлектромеханических тензопреобразователей
1.1. Кремний как основной материал полупроводниковых преобразователей механических величин и микросистем
1.2. Пьезорезистивный эффект в кремнии
1.3. Энергетическая диаграмма монокристаллического кремния при наличии и отсутствии механических напряжений
1.4. Транспортные свойства кремния и влияние механических напряжений
1.5. Отрицательные воздействия пьезорезистивного эффекта и их минимизация
2. Монокристаллический кремний как материал интегральных полупроводниковых приборов и гетероструктур “кремний на изоляторе”
2.1. Кристаллы и индексы Миллера
2.2. Основные требования к полупроводниковым материалам
2.3. Основные сведения о гетероструктуре “кремний на изоляторе”
2.4. Получение кремния полупроводниковой чистоты
3. Планарная технология на кремнии
3.1. Объемные полупроводниковые резисторы
3.2. Особенности технологии изготовления интегрального объёмного резистора на основе гетероструктуры “кремний на изоляторе”
3.3. Технология травления кремния
3.4. Классификация новых способов прецизионного микропрофилирования кремния
4. Проектирование интегрального КНИ-тензопреобразователя с монолитной тензорамкой
4.1. Объект разработки
4.2. Метод расчета конструктивных и электрофизических параметров КНИ-тензопреобразователя
5. Разработка топологии интегрального КНИ-тензопреобразователя с монолитной тензорамкой
5.1. Технические требования на проектирование
5.2. Особенности процесса послойного формирования топологии
5.3. Содержание и этапы расчетно-графической работы
Приложение А. Основные свойства кремния
Приложение Б. Варианты заданий на выполнение расчетно-графической работы
Приложение В. Пример оформления расчетной части расчетно-графической работы
Приложение Г. Примеры оформления топологических чертежей
Библиографический список
Список дополнительной литературы
Рекомендуем
