Описание раздела
На основе теоретико-вероятностных положений рассмотрены причины нестабильности параметров силовых полупроводниковых приборов и приведена статистическая модель прибора, характеризующая показатели его работы в статических и динамических режимах. Дан анализ процесса коммутации с учетом разброса параметров элементов силовых цепей. Для научных работников и инженеров, занимающихся разработкой силовых полупроводниковых преобразователей электроэнергии. Содержание Предисловие Глава первая. Статистическая модель силового полупроводникового прибора 1.1. Причины технологической и эксплуатационной нестабильности параметров приборов 1.2. Некоторые сведения из теории вероятностен 1.3. Вольт-амперная характеристика силового полупроводникового прибора 1.4. Разброс динамических характеристик приборов 1.5. Характеристики управления тиристоров и параметры импульсных трансформаторов 1.6. Параметры приборов и режимы нагрузки преобразовательных устройств Глава вторая. Характеристики полупроводниковых преобразователей с учетом разброса параметров элементов силовых цепей 2.1. Технологический разброс параметров силовых трансформа торов, реакторов и конденсаторов 2.2. Внешние и регулировочные характеристики преобразователей с естественной коммутацией 2.3. Параметрическая стабильность узлов искусственной коммутации полупроводниковых преобразователей 2.4. Оценка стабильности выходных напряжений полупроводниковых преобразователей 2.5. Составляющие потерь мощности в преобразователях 2.6. Неравномерность токовых нагрузок вентилей преобразователей Список литературы