Описание раздела
В книге содержатся сведения о разработанных в последние годы мощных таблеточных полупроводниковых приборах, предназначенных для работы в высоковольтных преобразовательных устройствах. Рассматриваются особенности высоковольтных р-п-переходов, конструкция и технология изготовления диодов, тиристоров и ограничителей напряжения. Книга предназначена для инженерно-технических работников, специализирующихся в области изготовления и использования полупроводниковых приборов, она может быть полезна студентам старших курсов соответствующих специальностей. Содержание Предисловие Глава первая. Силовые полупроводниковые приборы - элементы схем мощных высоковольтных устройств Глава вторая. Влияние термической обработки и режимов диффузии на электрофизические свойства монокристаллического кремния 2-1. Основные требования к электронно-дырочным структурам высоковольтных диодов 2-2. Влияние термической обработки на сопротивление монокристаллического кремния 2-3. Восстановление времени жизни неосновных носителей заряда в электронно-дырочных структурах а) Восстановление времени жизни дырок в процессе акцепторной диффузии б) Влияние способа нанесения диффузанта и геттера и их концентрационных соотношений на время жизни дырок в) Влияние режима термической обработки на время жизни дырок г) Влияние исходных электрофизических параметров кремния на время жизни дырок в р+-р-n-структура д) Восстановление времени жизни дырок в процессе донорной диффузии е) Влияние низкотемпературного нагрева на время жизни неосновных носителей заряда Глава третья. Конструкция и технология изготовления силовых высоковольтных таблеточных диодов 3-1. Особенности конструкции диодов а) Электронно-дырочная структура и ее контур в месте выхода р-n-перехода на поверхность б) Конструкция выпрямительного элемента и корпуса прибора 3-2. Особенности изготовления высоковольтных диодов Глава четвертая. Анализ статических характеристик и расчет некоторых параметров р-n-р-n-структуры с учетом неодномерности физических процессов 4-1. Уравнения напряжений па электронно-дырочных переходах р-n-р-n-структуры 4-2. Расчет статических токов управления 4-3. Оценка площади первоначального включения р-n-р-n-структуры Глава пятая. Нестационарные процессы в р-n-р-n-структурах 5-1. Переходный процесс включения в проводящее состояние (одномерное приближение) 5-2. Анализ процессов, протекающих в невключенной области р-n-р-n-структуры 5-3. Исследование процессов в начальной проводящей области р-n-р-n-структуры Глава шестая. Анализ реальных р-n-р-n-структур 6-1. Структура с открытым участком л-эмиттера (с электрическим полем в л-эмиттере) 6-2. Структура с регенеративным управлением 6-3. Структура типа р-n-р-n с обратной проводимостью 6-4. Эффект dudt в р-n-р-n-структурах Глава седьмая. Мощные таблеточные тиристоры 7-1. Конструкция таблеточных тиристоров 7-2. Технология изготовления высоковольтных таблеточных тиристоров Глава восьмая. Электрический пробой кремниевых электронно-дырочных переходов 8-1. Основные положения теории лавинного пробоя электронно-дырочных переходов 8-2. Влияние дефектов структуры монокристаллического кремния на электрический пробой р-л-переходов 8-3. Влияние свойств исходного кремния на параметры вольт-амперной характеристики р-л-перехода в режиме лавинного пробоя Глава девятая. Особенности конструкции и технологии ограничителей напряжения 9-1. Импульсные и стабилитронные ограничители напряжения 9-2. Малоемкостные ограничители напряжения Список литературы
