- Артикул:00-01022101
- Автор: Воротынцев В.М., Скупов В.Д.
- ISBN: 978-5-392-25297-8
- Обложка: Мягкая обложка
- Издательство: Проспект (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 520
- Формат: 60х90 1/16
- Год: 2017
- Вес: 651 г
- Серия: Учебное пособие для ВУЗов (все книги серии)
Развернуть ▼
Учебное пособие разработано в соответствии с государственным образовательным стандартом высшего профессионального образования по направлению подготовки дипломированных специалистов 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника». Впервые технологии микро- и наноэлектроники рассмотрены неразрывно с технологиями высокочистых веществ и материалов в основополагающем ключе «высокая чистота материала - высокое качество продукции». Рассмотрены основные процессы получения высокочистых веществ и материалов на их основе, процессы и технологии получения эпитаксиальных структур кремния, арсенида галлия и др., технологии их обработки при переходе к компонентам электронной техники.
Пособие может быть использовано студентами всех форм обучения, в том числе и по смежным специальностям, как для самостоятельной работы, так и выполнения курсовых проектов, а также в качестве конспекта лекций по курсу «Технология материалов электронной техники». Содержит перечень контрольных вопросов для оценки усвоения студентами материала.
Оглавление
Глава 1 Физико-химические основы технологических процессов получения высокочистых веществ и материалов для электронной техники
1.1. Влияние степени чистоты на свойства веществ. Классификация веществ по степени их чистоты
1.2. Классификация исходных веществ и материалов, применяемых в производстве изделий микро- и наноэлектроники
1.3. Химические методы глубокой очистки полупроводниковых материалов
1.4. Электрохимические методы синтеза летучих неорганических гидридов и фторидов для микроэлектроники
1.5. Дистилляционные методы глубокой очистки летучих веществ
1.6. Кристаллизационные методы глубокой очистки летучих веществ
1.7. Базовые технологические схемы получения высокочистых полупроводниковых материалов
1.8. Технология получения монокристаллов полупроводникового кремния
1.9. Технология получения германия
1.10. Технология получения аммиака и структур GaN для светодиодов
1.11. Технология получения исходных материалов для волоконных светодиодов
Контрольные вопросы
Список рекомендуемой литературы
Глава 2 Технология абразивной химической обработки полупроводниковых подложек
2.1. Классификация полупроводниковых материалов
2.2. Основные требования к полупроводниковым материалам и подложкам
2.4. Технологические процессы получения полупроводников в микроэлектронике
2.5. Химическое травление и полирование полупроводников
Приложение
Контрольные вопросы
Список рекомендуемой литературы
Глава 3 Базовые технологии формирования приборных структур
3.1. Методы газофазной эпитаксии
3.2. Особенности метода жидкофазной эпитаксии кремния
3.3. Молекулярно-лучевая эпитаксия - метод изготовления полупроводниковых структур
3.4. Осаждение диэлектрических слоев
3.5. Основы литографических процессов
3.6. Диффузионное легирование полупроводников
3.7. Ионно-лучевое легирование полупроводников
3.8. Осаждение тонких пленок
3.9. Формирование структур со слоями пористого кремния
3.10. Специальные радиационно-термические обработки в технологии изготовления электронных структур
Глава 4 Структуры кремний на диэлектрике и технологические методы их изготовления
4.1. Структуры кремний на сапфире (КНС)
4.2. Структуры кремний на изоляторе (КНИ)
Контрольные вопросы
Список рекомендуемой литературы
Глава 5 Физические и технологические основы наноэлектроники
5.1. Основные положения квантового описания низкоразмерных твердотельных композиций
5.2. Особенности технологий формирования низкоразмерных твердотельных композиций
Контрольные вопросы
Список рекомендуемой литературы
Глава 6 Структурные дефекты в материалах компонентах приборных композиций
6.1. Классификация дефектов в кристаллах
6.2. Термодинамически равновесные собственные точечные дефекты в кристаллах
6.3. Комплексы точечных дефектов
6.4. Теоретические и экспериментальные оценки энергии образования СТД
6.5. Кинетика восстановления равновесной концентрации СТД
6.6. Дислокационная структура кристаллов
6.7. Микродефекты в бездислокационных кристаллах
6.8. Дефектообразование в приборных структурах при проведении базовых технологических операций
6.9. Геттерирование фоновых примесей и протяженных дефектов
Контрольные вопросы
Список рекомендуемой литературы
Рекомендуем
