Физические основы твердотельной электроники

Артикул:00803039
Автор: Спиридонов О.П.
ISBN: 978-5-06-005740-9
Тираж: 3000 экз.
Обложка: Мягкая обложка
Издательство: Высшая школа (все книги издательства)
Город: Москва
Страниц: 191
Формат: 60?88 1/16
Год: 2008
Вес: 244 г
Серия: Учебное пособие для ВУЗов (все книги серии)

Описание Отзывы

Учебное пособие состоит из двух частей.
Первая часть - Физика твердого тела - является необходимым физико-математическим фундаментом для освоения твердотельной электроники.
В ней рассмотрены вопросы тепловых колебаний и электропроводности, статистики электронов и физики неравновесных явлений.
Во второй части - "Основы твердотельной электроники" - более конкретно представлены различного рода контактные явления, физика p-n-переходов, принципы работы и характеристики биполярных, дрейфовых и полевых транзисторов.
Для студентов высших учебных заведений, обучающихся по техническим направлениям подготовки и специальностям.

Содержание
Предисловие
Часть первая. Физика твердого тела
1. Элементы квантовой механики
1.1. Основы квантовой механики
1.2. Электрон в потенциальной яме
1.3. Взаимодействие микрочастиц с потенциальным барьером
1.4. Краткие выводы
2. Типы сил связи. Внутренняя структура кристаллов
2.1. Силы связи
2.2. Кристаллическая решетка. Индексы Миллера
3. Зонная теория твердых тел
3.1. Образование энергетических зон в кристалле при сближении атомов
3.2. Внутренняя структура разрешенных энергетических зон
3.3. Зонная структура диэлектриков, металлов и полупроводников
3.4. Зонные структуры донорных и акцепторных полупроводников
3.5. Модель Кронига-Пенни
3.6. Эффективная масса электрона
4. Статистика электронов в полупроводниках
4.1. Неразличимость микрочастиц. Фермионы и бозоны
4.2. Вырожденные и невырожденные коллективы. Классическая и квантовая статистики
4.3. Квантование фазового пространства. Плотность числа состояний микрочастиц в пространстве импульсов и энергий
4.4. Критерий невырожденности идеального газа
4.5. Способы описания коллектива
4.6. Распределение Максвелла-Больцмана
4.7. Распределение Ферми-Дирака
4.8. Распределение Бозе-Эйнштейна
4.9. Зависимость концентрации электронов от температуры в собственных полупроводниках
4.10. Зависимость концентрации носителей от температуры в примесных полупроводниках
5. Тепловые колебания решетки
5.1. Нормальные колебания, возникающие в цепочке одинаковых атомов.
5.2. Колебания в линейной цепочке неоднородных атомов
5.3. Распределение нормальных колебаний по частотам
5.4. Расчет характеристик фононного газа
6. Электропроводность твердых тел
6.1. Причины появления электрического сопротивления
6.2. Кинетическое уравнение Больцмана
6.3. Время релаксации. Длина свободного пробега
6.4. Проводимость невырожденного и вырожденного электронных газов
6.5. Температурная зависимость подвижности носителей
6.6. Температурная зависимость проводимости металлов и полупроводников
6.7. Сверхпроводимость
7. Неравновесные явления в полупроводниках
7.1. Равновесные носители
7.2. Генерация неравновесных носителей
7.3. Излучательная и безызлучательная рекомбинации
8. Поверхностные явления в полупроводниках
8.1. Поверхностные состояния
8.2. Поверхностная проводимость
Часть вторая. Основы твердотельной электроники
9. Контактные явления
9.1. Эмиссия электронов. Полная и термодинамическая работа выхода
9.2. Контакт двух металлов. Контактная разность потенциалов
9.3. Контакт металл - полупроводник
10. P-n-переход
10.1. P-n-переход, равновесное состояние
10.2. Токи, текущие через p-n-переход
10.3. P-n-переход во внешнем электрическом поле
10.4. Инжекция и экстракция неосновных носителей. Диффузионная емкость p-n-перехода
10.5. Импульсные свойства p-n-перехода
10.6. Частотные свойства p-n-перехода и его эквивалентная схема
10.7. Пробой p-n-перехода
11. Транзисторы
11.1. Устройство и принцип действия полупроводникового триода (транзистора)
11.2. Коэффициент передачи транзистора по току
11.3. Расчет эффективности эмиттера
11.4. Расчет эффективности переноса
11.5. Схемы включения и статические ВАХ транзисторов
11.6. Параметры транзистора
11.7. H-параметры транзисторов
11.8. Влияние уровня инжекции на параметры транзисторов
11.9. Работа транзисторов в импульсном режиме
11.10. Высокочастотные параметры транзисторов
11.11. Дрейфовый транзистор
11.12. Полевые транзисторы
Заключение
Список литературы

Оставьте отзыв о товаре